检索结果-南通市图书馆

高密度封装倒装焊的新简化模型及疲劳寿命分析

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

力学季刊 2023年第1期44卷 65-74页

作者：崔新雨单月晖沈飞柯燎亮苏洁天津大学机械工程学院天津300350 军委装备发展部某中心北京100034

高密度封装结构中存在大量焊球,在进行有限元建模时,考虑到焊球数量多且尺寸小的特点,需简化焊球层模型.本文针对高密度封装结构中倒装焊及底填胶,提出了一种新的简化模型,采用非重点部位简化和材料均匀化相结合的方法,将内部焊球层和... 详细信息

高密度封装结构中存在大量焊球,在进行有限元建模时,考虑到焊球数量多且尺寸小的特点,需简化焊球层模型.本文针对高密度封装结构中倒装焊及底填胶,提出了一种新的简化模型,采用非重点部位简化和材料均匀化相结合的方法,将内部焊球层和底填胶简化为均匀层,只保留外圈几层焊球.通过建立代表性体积单元,计算得到均匀化层的材料参数.讨论了外层焊球圈数对焊球层危险点应力的影响,发现保留外圈两层焊球就能得到非常精确的结果.利用新简化模型计算了高密度封装结构的疲劳寿命,所获得的结果与未均匀化模型结果误差在0.3%以内.

关键词：高密度封装倒装焊材料均匀化热疲劳寿命

高密度封装用氮化铝(AIN)/玻璃复合材料低温共烧研究

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

固体电子学研究与进展 2003年第4期23卷 520-525页

作者：廖淼李越生汪荣昌戎瑞芬顾志光复旦大学材料科学系上海200433

从排胶和共烧两方面 ,研究了氮化铝 ( Al N) /玻璃复合材料的低温共烧。排胶研究结果表明 :流延坯片和银浆的排胶特性不同 ,氧化性气氛有利于两者的排胶。共烧研究表明 :Al N/玻璃复合系统的烧结为液相烧结 ;引入微氧烧结气氛将改变界... 详细信息

从排胶和共烧两方面 ,研究了氮化铝 ( Al N) /玻璃复合材料的低温共烧。排胶研究结果表明 :流延坯片和银浆的排胶特性不同 ,氧化性气氛有利于两者的排胶。共烧研究表明 :Al N/玻璃复合系统的烧结为液相烧结 ;引入微氧烧结气氛将改变界面状况 ,有利于 Al

关键词：集成电路高密度封装氮化铝 AIN 玻璃复合材料低温共烧排胶烧结

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

高密度封装垂直出射窄脉冲半导体激光模块

半导体技术 2023年第5期48卷 421-426页

作者：崔璐张厚博李晓红李松松张港王晓燕中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

针对采用边发射半导体激光器芯片进行多线集成窄脉冲半导体激光模块设计时,存在激光器芯片的排布位置受限、排列密度受限及发射板光轴方向尺寸较大等问题,研制了高密度封装垂直出射窄脉冲半导体激光模块。首先分析了寄生参数对驱动能力... 详细信息

针对采用边发射半导体激光器芯片进行多线集成窄脉冲半导体激光模块设计时,存在激光器芯片的排布位置受限、排列密度受限及发射板光轴方向尺寸较大等问题,研制了高密度封装垂直出射窄脉冲半导体激光模块。首先分析了寄生参数对驱动能力的影响,通过减小寄生电感和寄生电阻以获得高峰值窄脉冲驱动电流;然后进行芯组设计,通过设计侧面金属化陶瓷载体,将激光器芯片电极从陶瓷载体侧面引出,该结构将激光器芯片出光方向旋转90°,实现了激光垂直板面出射和板面自由排布,同时极大地压缩了光轴方向尺寸;最后将芯组和驱动电路进行整体设计,在密集排列的同时兼顾关键电路的均匀布局,实现了16线激光器芯片0.7 mm间隔的高密度排布和垂直板面出光。测试结果显示,模块的单路峰值输出功率约为80 W,脉冲宽度约为6 ns,功率不一致性≤5%。

关键词：半导体激光器窄脉冲驱动高密度封装垂直出射多线集成

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

表贴式MMIC高密度封装外壳微波特性设计

固体电子学研究与进展 2014年第2期34卷 152-156,196页

作者：徐利曹坤李思其王子良南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺,研制了一款32根引脚方形扁平无引线封装(CQFN)型微波外壳,外形尺寸仅为5mm×5mm×1.4mm。该外壳采用侧面挂孔的方式实现微波信号从基板底部到外壳内部带状线和键合区微带线的传输,底部增加了密集阵列接地过... 详细信息

基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺,研制了一款32根引脚方形扁平无引线封装(CQFN)型微波外壳,外形尺寸仅为5mm×5mm×1.4mm。该外壳采用侧面挂孔的方式实现微波信号从基板底部到外壳内部带状线和键合区微带线的传输,底部增加了密集阵列接地过孔以消除高密度引脚间的耦合。对制作的外壳进行了微波性能测试,在C波段内的插入损耗小于0.5dB,驻波比小于1.3,隔离度大于30dB。该小型化表贴陶瓷外壳适用于C波段的微波单片集成电路(MMIC)的高品质气密封装,且便于批量化生产。

关键词：高温共烧陶瓷方形扁平无引线封装微波外壳高密度封装微波单片集成电路

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

高密度封装工艺中芯片拾放机械手设计

高密度封装工艺中芯片拾放机械手设计

作者：李宏举华中科技大学

学位级别：硕士

如今IC封装行业飞速发展，高密度芯片的应用数量越来越大，因此对于高密度芯片封装工艺的研究变得必要。本文针对高密度倒装键合工艺中的芯片拾放机械手进行研究，着重讲述芯片拾放机械手的方案设计、运动学建模与分析、误差建模与分析... 详细信息

如今IC封装行业飞速发展，高密度芯片的应用数量越来越大，因此对于高密度芯片封装工艺的研究变得必要。本文针对高密度倒装键合工艺中的芯片拾放机械手进行研究，着重讲述芯片拾放机械手的方案设计、运动学建模与分析、误差建模与分析以及参数标定与实验等内容。首先，明确工艺需求，对机械手进行方案设计。基于ACA（各向异性导电胶）的倒装键合工艺包括点胶、对位纠姿、热压贴装等过程，芯片拾放机械手主要承担对位纠姿过程的调平功能。对调平机构进行分析与型综合，确定调平机构为两自由度转动解耦并联机构，经过精度计算、强度分析，建立包含键合头等部件的机械手设计模型。然后，运用几何法对机械手进行运动学建模。建立调平机构运动学模型，据此创建芯片倾角调整装置数学模型，完成芯片倾角所需调整量和调平机构输入之间的直接对应，方便调平控制。接着，基于摄动法对调平机构中连杆机构进行误差建模。根据误差模型分析输出角度对于输入杆长误差的灵敏度，揭示加工装配误差给调平精度带来的影响。最后，对机械手运动学参数进行标定。结合机械手运动学模型和误差模型，实验测定拾放机械手的调平精度，据此建立标定模型对参数进行辨识，用辨识参数替代设计参数进行调平计算，实验证明在一定程度上提高了芯片拾放机械手的调平精度，并使其满足设计精度指标0.01°。

关键词：高密度封装机械手调平机构运动学建模误差建模参数标定

多孔型氧化铝薄膜在高密度封装中的应用及性能

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

功能材料与器件学报 2007年第6期13卷 619-624页

作者：朱大鹏王立春罗乐中科院上海微系统与信息技术研究所上海200050

利用铝阳极氧化方法对微晶玻璃基板上的多层铝膜进行选择性氧化,制备了4层布线的高密度MCM-D基板,对氧化得到的多孔型氧化铝介质膜的绝缘及介电性能进行了研究。实验结果表明:多层布线铝与氧化铝结合性好,层间和同层多孔氧化铝绝缘电阻... 详细信息

利用铝阳极氧化方法对微晶玻璃基板上的多层铝膜进行选择性氧化,制备了4层布线的高密度MCM-D基板,对氧化得到的多孔型氧化铝介质膜的绝缘及介电性能进行了研究。实验结果表明:多层布线铝与氧化铝结合性好,层间和同层多孔氧化铝绝缘电阻分别达到10~9Ω和10^(11)Ω以上;多孔型氧化铝的相对介电常数和损耗分别为5.73和0.022(1 MHz);导带、互连通孔与绝缘层所形成的层间通孔互连结构共面性好,具有良好的电互连性能。多孔型氧化铝介质膜适用于制备高密度MCM—D基板。

关键词：多孔型氧化铝膜高密度封装绝缘性能

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

适用于高密度封装的失效分析技术及其应用

半导体技术 2018年第4期43卷 310-315页

作者：刘晓昱陈燕宁李建强乔彦彬马强单书珊张海峰唐晓柯北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司电力芯片设计分析重点实验室北京100192 北京智芯微电子科技有限公司北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心北京100192

高密度封装技术在近些年迅猛发展,同时也给失效分析过程带来新的挑战。常规的失效分析手段难以满足结构复杂、线宽微小的高密度封装分析需求,需要针对具体分析对象对分析手法进行调整和改进。介绍了X射线、计算机辅助层析成像（CT）技... 详细信息

高密度封装技术在近些年迅猛发展,同时也给失效分析过程带来新的挑战。常规的失效分析手段难以满足结构复杂、线宽微小的高密度封装分析需求,需要针对具体分析对象对分析手法进行调整和改进。介绍了X射线、计算机辅助层析成像（CT）技术、微探针和多方法联用等失效分析技术,分析了其原理和适用于高密度封装的优势。并结合两个高密度封装失效分析案例,具体介绍了其在案例中的使用阶段和应用方法,成功找到失效原因。最后总结了各方法在高密度封装失效分析中应用的优势、不足和适用范围。

关键词：失效分析高密度封装可靠性计算机辅助层析成像(CT)技术键合失效