多孔型氧化铝薄膜在高密度封装中的应用及性能

作     者：朱大鹏 王立春 罗乐 ZHU Da-peng;WANG Li-chun;LUO Le

作者机构：中科院上海微系统与信息技术研究所上海200050 

出 版 物：《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)

年 卷 期：2007年第13卷第6期

页      面：619-624页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：多孔型氧化铝膜 高密度封装 绝缘性能 

摘      要：利用铝阳极氧化方法对微晶玻璃基板上的多层铝膜进行选择性氧化,制备了4层布线的高密度MCM-D基板,对氧化得到的多孔型氧化铝介质膜的绝缘及介电性能进行了研究。实验结果表明:多层布线铝与氧化铝结合性好,层间和同层多孔氧化铝绝缘电阻分别达到10~9Ω和10^(11)Ω以上;多孔型氧化铝的相对介电常数和损耗分别为5.73和0.022(1 MHz);导带、互连通孔与绝缘层所形成的层间通孔互连结构共面性好,具有良好的电互连性能。多孔型氧化铝介质膜适用于制备高密度MCM—D基板。