检索结果-南通市图书馆

红外与毫米波学报 1996年第3期15卷 218-220页

作者：刘颖杜国同姜秀英刘素平张晓波赵永生高鼎三林世呜高洪海高俊华王洪杰康学军吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区中国科学院半导体研究所

报道了一种新型的具有ＩｎＧａＡｓ量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器．采用钨丝作为掩膜，通过两次垂直交叉Ｈ＋质子轰击工艺制备器件，初步实现了室温脉冲工作，最低阈值电流达２０ｍＡ，激射波长为９１５ｎｍ。

关键词： InGaAs 量子阱面发射激光器

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面发射分布反馈半导体激光器

中国光学 2016年第1期9卷 51-64页

作者：田锟邹永刚马晓辉郝永芹关宝璐侯林宝长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022 北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室北京100124

本文详细阐述了面发射分布反馈半导体激光器(SE-DFB-LD)的基本工作原理、结构设计及其工作性能,针对国内外研究最新进展与发展现状进行了总结和评述,并在此基础上,对面发射半导体激光器的研究工作和发展趋势做出了进一步的讨论和展望。... 详细信息

本文详细阐述了面发射分布反馈半导体激光器(SE-DFB-LD)的基本工作原理、结构设计及其工作性能,针对国内外研究最新进展与发展现状进行了总结和评述,并在此基础上,对面发射半导体激光器的研究工作和发展趋势做出了进一步的讨论和展望。随着面发射分布反馈半导体激光器各性能指标的不断优化提升和后期加工、装调技术的逐渐成熟,其将不断满足科学研究及工业、军事等实际应用领域对半导体激光器的需求,具有很大的发展潜力。

关键词：二阶光栅面发射分布反馈半导体激光器

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水平腔面发射半导体激光器研究进展

中国光学 2017年第2期10卷 194-206页

作者：海一娜邹永刚田锟马晓辉王海珠范杰白云峰长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022

近年来,水平腔面发射半导体激光器具有高功率、高光束质量及易封装集成等优良性能,已成为激光器领域的研究热点。本文详细阐述了几种水平腔面发射半导体激光器的结构设计、工作原理以及激光输出特性,并对该激光器国内外最新研究进展与... 详细信息

近年来,水平腔面发射半导体激光器具有高功率、高光束质量及易封装集成等优良性能,已成为激光器领域的研究热点。本文详细阐述了几种水平腔面发射半导体激光器的结构设计、工作原理以及激光输出特性,并对该激光器国内外最新研究进展与发展现状进行了总结和论述。在此基础上,对该激光器的研究方向和发展趋势进行了分析与展望。目前,水平腔面发射半导体激光器的激光输出功率可达瓦级,美国Alfalight公司引入曲线形光栅的单一发射器输出功率可达73 W。随着应用领域的不断拓展,中远红外波段水平腔面发射激光器将成为未来的研究焦点。

关键词：面发射转向镜二阶光栅光子晶体半导体激光器

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可调谐垂直腔面发射激光器

激光技术 2018年第4期42卷 556-561页

作者：李保志邹永刚长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室长春130022

近年来国内外在可调谐垂直腔面发射激光器这一研究领域取得了极大的进步。叙述了可调谐垂直腔面发射激光器的结构原理和发展历程,对不同结构的优缺点作了对比介绍,展望了可调谐激光器的发展前景。这种器件在光传输、光互连及光并行信息... 详细信息

近年来国内外在可调谐垂直腔面发射激光器这一研究领域取得了极大的进步。叙述了可调谐垂直腔面发射激光器的结构原理和发展历程,对不同结构的优缺点作了对比介绍,展望了可调谐激光器的发展前景。这种器件在光传输、光互连及光并行信息处理等方面有着良好的应用前景。

关键词：激光器可调谐半导体激光器谐振腔光程面发射

面发射型InGaAsP/InP发光二极管的均匀衰减

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液晶与显示 1989年第3期9卷 31-36页

作者：邸建华

本文讨论了具有Au-Zn欧姆型和Ti/Pt/Au肖特基型p侧电极的InGaAsP/InP发光二极管(LED)的均匀衰减模式。对于具有Au-Zn电极的LED,均匀衰减通过两个不同的阶段:初期,光输出功率降低非常缓慢,其后,光输出功率急剧下降。这两个衰减阶段的起... 详细信息

本文讨论了具有Au-Zn欧姆型和Ti/Pt/Au肖特基型p侧电极的InGaAsP/InP发光二极管(LED)的均匀衰减模式。对于具有Au-Zn电极的LED,均匀衰减通过两个不同的阶段:初期,光输出功率降低非常缓慢,其后,光输出功率急剧下降。这两个衰减阶段的起因在于:老化过程中电极金属的扩散及电极与顶层、覆盖层和有源层的合金反应。对于具有Ti/Pt/Au电极的LED来说,是由于电阻的增加而导致均匀衰减,而这种现象则是由电极和顶层之间In和Ga耗尽的界面形成而引起的。从而可以证明均匀衰减取决于p侧电极和顶层间的界面稳定性。

关键词：发光二极管 InGaAsP/InP 面发射侧电极有源层输出功率肖特基覆盖层暗斑界面稳定性

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面发射半导体激光器的研制进展

半导体情报 1991年第1期28卷 25-36页

作者：张瑞华机电部第13研究所石家庄050051

随着高速大容量光信息处理技术发展需求的增长,二维(2D)阵列型光发射器件变得日益迫切。为了实现2D阵列激光器,发射光垂直于衬底的表面发射激光器(SEL)成为关键器件。本文综述了某些重要的面发射激光器及其阵列的结构和激射特性。三种... 详细信息

随着高速大容量光信息处理技术发展需求的增长,二维(2D)阵列型光发射器件变得日益迫切。为了实现2D阵列激光器,发射光垂直于衬底的表面发射激光器(SEL)成为关键器件。本文综述了某些重要的面发射激光器及其阵列的结构和激射特性。三种基本结构——光栅耦合型、45°偏转镜面型和垂直腔型SEL竞相成为最佳的器件结构。文中还讨论了2D阵列激光器的应用前景。

关键词：半导体激光器面发射激光器

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垂直腔面发射半导体激光器

长春理工大学学报（自然科学版） 2003年第2期26卷 68-72页

作者：李林钟景昌苏伟赵英杰长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022

描述了垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的结构特点,比较了它与边发射激光器的不同。介绍了VCSELs的历史、现状、发展趋势和应用前景。

关键词：半导体激光器垂直腔面发射 VCSELs 边发射

InGaN多量子阱面发射微盘激光器的理论研究

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半导体光电 2000年第3期21卷 188-192页

作者：谢成城王舒民北京大学物理系北京100871

为了实现半导体微盘激光器的单模面发射 ,设计了一种以InGaN多量子阱为有源层 ,GaN外延层为覆盖层的半导体微盘激光器。通过对GaN覆盖层进行图形刻蚀 ,可以对不同的角模式进行有选择的增益 ,由此实现选模。用有效增益因子加电介质盘的... 详细信息

为了实现半导体微盘激光器的单模面发射 ,设计了一种以InGaN多量子阱为有源层 ,GaN外延层为覆盖层的半导体微盘激光器。通过对GaN覆盖层进行图形刻蚀 ,可以对不同的角模式进行有选择的增益 ,由此实现选模。用有效增益因子加电介质盘的模型对实际微盘结构进行简化 ,并根据此模型计算微盘内的场分布和盘外的远场分布 ,并进一步计算有效增益因子。分析表明 ,这种结构能够实现m =1角模式的面发射。

关键词：微盘激光器面发射多量子阱 InGaN