检索结果-南通市图书馆

浸渍提拉法制备有机介质层铝铟锌氧薄膜晶体管

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体光电 2018年第1期39卷 86-90页

作者：岳兰贵州民族大学材料科学与工程学院贵州省普通高等学校光电信息分析与处理特色重点实验室贵阳550025

利用溶液法的浸渍提拉工艺制备了以有机聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为介质层、非晶铝铟锌氧化物(a-AIZO)为沟道层的顶栅共面结构薄膜晶体管(TFT),研究了沟道层退火温度对TFT性能的影响机理。结果表明:较低退火温度(如300和350℃)下处理的沟... 详细信息

利用溶液法的浸渍提拉工艺制备了以有机聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为介质层、非晶铝铟锌氧化物(a-AIZO)为沟道层的顶栅共面结构薄膜晶体管(TFT),研究了沟道层退火温度对TFT性能的影响机理。结果表明:较低退火温度(如300和350℃)下处理的沟道层中存在未彻底分解的金属氢氧化物,其以缺陷态形式存在于TFT沟道层内或沟道层/介质层界面处,对导电沟道中电子进行捕获或散射,劣化TFT的迁移率、电流开关比以及亚阈值摆幅。综合来看,退火温度高于400℃下制备的a-AIZO适用于TFT器件的沟道层,相应的器件呈现出较高的迁移率(大于20cm2/(V·s))、较低的亚阈值摆幅(小于0.5V/decade)以及高于104的电流开关比。

关键词：薄膜晶体管非晶氧化物半导体浸渍提拉法有机介质层沟道层退火温度

电流体打印制备非晶In-Zn-O线型场效应晶体管

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

固体电子学研究与进展 2021年第4期41卷 264-267页

作者：杜晓松沈秋华常州大学微电子与控制工程学院江苏常州213164 中芯长电半导体(江阴)有限公司江苏江阴214400

无掩膜版直接图形化制备非晶氧化物场效应晶体管的方法在透明电子学领域受到了广泛关注。提出了一种简易可行的采用电流体打印技术制备高性能的铟锌氧化物In-Zn-O(IZO)底栅型场效应晶体管。在氧化物表面打印自组装单分子膜作为湿法刻蚀... 详细信息

无掩膜版直接图形化制备非晶氧化物场效应晶体管的方法在透明电子学领域受到了广泛关注。提出了一种简易可行的采用电流体打印技术制备高性能的铟锌氧化物In-Zn-O(IZO)底栅型场效应晶体管。在氧化物表面打印自组装单分子膜作为湿法刻蚀的化学保护层,制备了轮廓清晰的线条型IZO场效应晶体管。直写式制备的底栅型IZO晶体管展现了优良的电学性能:极低的漏电流(氧化物晶体管提供了全新的方法。

关键词：非晶氧化物半导体场效应晶体管电流体打印无掩膜版直写

软印刷法便捷制备非晶Zn-Sn-O场效应晶体管

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

固体电子学研究与进展 2022年第1期42卷 33-37页

作者：杜晓松沈秋华常州大学微电子与控制工程学院江苏常州213164 中芯长电半导体(江阴)有限公司江苏江阴214400

在柔性透明电子学领域,非晶氧化物半导体是场效应晶体管的关键材料。采用了一种简单、低成本的方法,即软印刷技术制备高性能的锌锡氧化物Zn-Sn-O(ZTO)底栅型场效应晶体管(FETs)。利用自组装单分子膜(SAM)进行微接触印刷,制备了铟锡氧化... 详细信息

在柔性透明电子学领域,非晶氧化物半导体是场效应晶体管的关键材料。采用了一种简单、低成本的方法,即软印刷技术制备高性能的锌锡氧化物Zn-Sn-O(ZTO)底栅型场效应晶体管(FETs)。利用自组装单分子膜(SAM)进行微接触印刷,制备了铟锡氧化物(ITO)源漏电极和ZTO晶体管沟道材料。柔性聚合物印章被用于SAMs的图形转移,然后在氧化物湿蚀刻期间用作化学保护层。光学显微镜和电子显微镜中可以清晰地看见良好的图形转移,其分辨率高,台阶轮廓清晰。电学测量显示制备的底栅型ZTO晶体管有着极低的漏电流(<1 nA/cm^(2))、高平均电子迁移率[2.2 cm^(2)/(V·s)]和优良的通断比(1.7×10^(7))。

关键词：非晶氧化物半导体场效应晶体管软印刷微接触印刷柔性电子

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

非晶CuNiSnO薄膜的生长与光电性能

材料科学与工程学报 2019年第6期37卷 876-879页

作者：程晓涵吕建国岳士录吕容恺陈凌翔叶志镇浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室

采用脉冲激光沉积(PLD)法制备出一种新型的p型非晶氧化物-半导体非晶CuNiSnO(CNTO)。CNTO薄膜分别在室温(RT)与300℃的生长条件下获得,对其结构、光学和电学性能进行研究。研究结果表明,所得的CNTO薄膜为非晶态,表面平整,元素分布均匀... 详细信息

采用脉冲激光沉积(PLD)法制备出一种新型的p型非晶氧化物-半导体非晶CuNiSnO(CNTO)。CNTO薄膜分别在室温(RT)与300℃的生长条件下获得,对其结构、光学和电学性能进行研究。研究结果表明,所得的CNTO薄膜为非晶态,表面平整,元素分布均匀。当衬底温度由RT升高至300℃时,CNTO薄膜的粗糙度由0.38nm下降至0.26nm;电阻率由高阻态转变为p型导电态,空穴浓度为4.06×1014/cm3。在300℃下生长的非晶CNTO薄膜表现为明显的p型导电,气敏测试结果进一步佐证了这一结论。此外,非晶CNTO薄膜可见光透过率达80%以上,为宽禁带非晶氧化物半导体,有望向透明显示领域发展。

关键词：脉冲激光沉积 p型导电非晶氧化物半导体 CuNiSnO 薄膜生长温度

非晶氧化物薄膜晶体管的制备及电学性能综合性教学实验设计与实践

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

实验技术与管理 2022年第8期39卷 181-184,188页

作者：许磊胡梦真宋增才张新楠华北水利水电大学物理与电子学院河南郑州450046

文章设计了非晶氧化物薄膜晶体管制备及电学性能综合性教学实验项目。实验教学实践表明,通过真空溅射镀膜、器件微加工及性能检测等多个实验环节的设计,有助于学生认识电子材料与器件对信息时代的基石作用,了解新型显示和智能终端领域... 详细信息

文章设计了非晶氧化物薄膜晶体管制备及电学性能综合性教学实验项目。实验教学实践表明,通过真空溅射镀膜、器件微加工及性能检测等多个实验环节的设计,有助于学生认识电子材料与器件对信息时代的基石作用,了解新型显示和智能终端领域的前沿技术及国家的重大需求。将多个实验内容有机关联成一个综合性教学实验项目,有利于学生理解复杂工程问题的内涵。

关键词：非晶氧化物半导体磁控溅射退火实验设计薄膜晶体管

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

非晶氧化物薄膜晶体管金属电极的研究

非晶氧化物薄膜晶体管金属电极的研究

作者：陈宇霆上海交通大学

学位级别：硕士

非晶氧化物薄膜晶体管(Thin Film Transistors, TFTs)，特别是非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFTs)被普遍认为可替代传统的非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFTs)而用于下一代包括有源液晶显示（AMLCD）和有源有机电致发光显示(AMOLED)等在内的... 详细信息

非晶氧化物薄膜晶体管(Thin Film Transistors, TFTs)，特别是非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFTs)被普遍认为可替代传统的非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFTs)而用于下一代包括有源液晶显示（AMLCD）和有源有机电致发光显示(AMOLED)等在内的平板显示器。为了适应即将到来的量产需求，仍有许多与非晶氧化物薄膜晶体管制备工艺相关的问题值得深入研究，其中就包括a-IGZO TFTs电极材料与工艺的研究与开发。A-IGZO薄膜易被各种酸碱等化学溶液腐蚀的特点导致在当前研究中多采用刻蚀阻挡层结构，这无疑将大大增加制造成本;另一方面，在大尺寸显示领域，尽量降低TFT电极线的电阻也是一个不容回避的问题。本文以实验为基础并结合理论分析针对以上问题开展了比较深入的研究工作。首先，我们进行了a-IGZO TFTs源漏电极材料的比较研究及相应的器件制程开发。为了确定能够满足背沟道刻蚀型a-IGZO TFTs制造要求的源漏电极材料，我们对多种金属材料（铝、铜、钛、钽、铬等）的湿法刻蚀性质进行了细致的研究，重点考察了不同金属薄膜在不同刻蚀液中的湿法刻蚀速率以及与a-IGZO薄膜的刻蚀选择比。随后基于上述实验结果进行了a-IGZO TFTs的制程开发，通过一系列工艺优化最终成功采用全湿刻工艺制备出了背沟道刻蚀型a-IGZO TFTs，并表现出了较好的电学性能（μFE=6.0cm2/V s，Vth=2.5V，S.S.=1.8V/decade,Ion/Ioff>106）和电学稳定性。上述研究成果可望在低成本小尺寸平板显示器件中得到应用。此外，我们还尝试将低电阻率金属-银应用于a-IGZO TFTs的源漏电极和栅电极。研究发现浓度为200g/L的硝酸铁溶液作为银电极的刻蚀液，拥有较快且可控的银刻蚀速率（约270nm/min），同时在此过程中还能较好的保护下方的a-IGZO半导体层。在对Al2O3、Y2O3、ZrO2、TiO2、Ta2O5五种氧化物绝缘薄膜的粘附性特性、光学特性以及成膜速率等进行比较的基础上，最终确定Al2O3与TiO2薄膜适合作为银栅电极下层缓冲层。上述两者中Al2O3薄膜具有对可见光透过性高的优点而TiO2则具有成膜速率快和粘附性更强的优点，因此具体选择可根据实际需要而定。另外，实验发现采用低功率与高功率成膜相结合的双层栅绝缘层结构可有效减少栅绝缘层氧化硅薄膜溅射沉积过程中对银栅电极造成的等离子体伤害并可显著改善由此产生的前沟道界面粗糙问题。最后，在上述研究结果的基础上进行工艺整合制备出了全银电极a-IGZO TFTs (BCE)并获得了较好的电学特性（μFE=6.5cm2/V s，Ion/Ioff～105。）与稳定特性。与此相关的研究成果可在低成本大尺寸平板显示技术领域得到应用。

关键词：非晶氧化物半导体非晶InGaZnO 薄膜晶体管金属电极

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

基于非晶态氧化铌的钙钛矿器件光伏特性研究

基于非晶态氧化铌的钙钛矿器件光伏特性研究

作者：江晨大连理工大学

学位级别：硕士

有机-无机杂化钙钛矿作为一种新兴的可溶液法加工的光电材料,具有消光系数高、带隙合适、载流子寿命长和缺陷容忍度高等一系列优异的光电特性。在过去的几年中,钙钛矿太阳能电池(perovskite solar cells,PSCs)快速发展,光电转换效率(pho... 详细信息

有机-无机杂化钙钛矿作为一种新兴的可溶液法加工的光电材料,具有消光系数高、带隙合适、载流子寿命长和缺陷容忍度高等一系列优异的光电特性。在过去的几年中,钙钛矿太阳能电池(perovskite solar cells,PSCs)快速发展,光电转换效率(photoelectric conversion efficiency,PCE)从2012年的9.7%迅速增加到2019年的25.2%,展现出巨大的应用潜力。电子传输层(Electron transporting layers,ETLs)作为器件中分离和提取光生电子的关键组成部分,对高效率和高稳定性的PSCs至关重要。但是,目前PSCs中通常使用的TiO纳米晶ETL需要高温(450°C以上)烧结,并且电子迁移率较低,紫外光下容易催化降解钙钛矿,这阻碍了PSCs未来柔性化、产业化的发展。非晶态NbO易于低温溶液法制备,并且电子迁移率高、带隙宽、与钙钛矿能级相匹配,具备替代TiO ETL材料的潜力。然而,Nb盐极易水解,容易造成薄膜均匀性差、杂质缺陷度高,这使得高质量NbO膜的制备仍具挑战。本论文利用配位原理控制Nb盐的水解速率,来消除NbO薄膜内部缺陷,提高NbO薄膜质量,从而实现高效率、高稳定性的PSCs器件。具体研究内容如下:首先,采用臭氧(O)作为Nb离子的配体,将O直接通入Nb盐前驱体溶液中制备O@NbO前驱体液。结果表明,O与Nb离子的强配位特性有效抑制了Nb盐的水解,这一方面使O@NbO前驱体在空气环境下保持了良好的稳定性,从而得到致密性好、可重复性高的NbO薄膜,另一方面降低了薄膜中-OH杂质的含量,提高了NbO薄膜的纯度与质量。其次,基于NbO ETL制备了平面异质结PSCs器件,并研究其光伏特性。与传统NbO相比,O@NbO ETL有着更高的电导率与光透过率、更低的缺陷态浓度以及更好的覆盖度,使其展现出更好的电子传输以及复合抑制能力。O@NbO ETL基PSCs最高PCE达到19.54%,明显高于传统NbO ETL基器件的15.60%。最后,基于O@NbO ETL的可低温制备特性,成功制备出PCE为16.42%的高效柔性PSCs。本研究不仅为制备高性能非晶态NbO薄膜提供了高效的解决方案,也为解决其他金属氧化物半导体薄膜的类似低温加工问题提供了宝贵的参考,更进一步促进了柔性PSCs的发展。

关键词：氧化铌非晶氧化物半导体低温电子传输层钙钛矿太阳能电池

基于光诱导同质结非晶ZnSnO3紫外光电传感器的研究

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

基于光诱导同质结非晶ZnSnO3紫外光电传感器的研究

作者：夏梦真天津大学

学位级别：硕士

紫外(UV)探测技术几乎不受环境背景噪声影响,在生物分析、发射器校准、空间探测等方面得到了广泛应用,而紫外光电传感器是其核心。当今,紫外光电传感器多基于单原子硅、Ⅲ族氮化物和金属氧化物材料。硅和Ⅲ族氮化物成本高、制备工艺复杂... 详细信息

紫外(UV)探测技术几乎不受环境背景噪声影响,在生物分析、发射器校准、空间探测等方面得到了广泛应用,而紫外光电传感器是其核心。当今,紫外光电传感器多基于单原子硅、Ⅲ族氮化物和金属氧化物材料。硅和Ⅲ族氮化物成本高、制备工艺复杂,发展受到限制。宽带隙金属氧化物半导体材料,如ZnO、SnO等二元氧化物和Zn GaO、ZnSnO等三元氧化物,对紫外光也具有良好的UV光敏性能;且其物化性质稳定、制备成本低、可见光区透光率高,因此成为紫外光电检测器领域的研究热点。三元氧化物结构稳定,可通过改变其组成灵活地调节氧化物的功能而受到广泛关注。UV光敏材料ZnSnO兼具ZnO和SnO的优点,应用前景广阔,但其光电性能易受制备工艺的影响。本课题以Na OH为沉淀剂、HTMA为有机功能添加剂,分别用共沉淀法和水热法合成了高纯度的Zn Sn(OH)颗粒。SAEM和TEM分析表明,所合成的Zn Sn(OH)前驱体为多晶立方体,高温处理后其所对应的ZnSnO半导体材料为非晶结构。实验对比表明,由水热法途径所获得ZnSnO的光电性能比共沉淀法的好,因此本研究针对前者所获得ZnSnO的光电性能进行了重点研究。此外,ZnSnO的性能可通过其Zn Sn(OH)前驱体灵活控制,这一点通过Mg离子掺杂Zn Sn(OH)得到证实,基于水热法得到的Mg掺杂物光电性能得到显著提高:ZnMgSnO光电传感器的光暗电流比为10715(偏压3.3 V,UV:2.46 m W/cm),响应及恢复速度分别为4 s和9 s,显示出良好的线性度和稳定性。对此进行机理研究认为,基于氧空位的差异性,在ZnSnO中形成光诱导同质结,抑制光生电子和空穴的复合是其具有良好光电性能的原因。紫外光电传感器用于成像时,需要构成阵列,并提供适配的读出电路。本研究在光电性能测试的基础上,建立了ZnMgSnO紫外光电传感器的2×2阵列模型,为其设计了包括电容反馈跨阻放大器(CTIA)型读出、相关双采样的CMOS读出电路。基于0.25μm 1-poly 5-metal工艺进行仿真,阵列完整读出所需时间为80μs,电路能准确转换10 n A–16μA的光电流,运放功耗815.5μW。仿真结果表明,设计的读出电路能够快速完成2×2传感器阵列电信号的读出,且功耗较低。

关键词： ZnSnO3 同质结非晶氧化物半导体紫外光电传感器 CMOS读出电路

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

SiZnSnO薄膜的制备与应用研究

SiZnSnO薄膜的制备与应用研究

作者：吴传佳浙江大学

学位级别：硕士

非晶氧化物半导体(AOS)由于迁移率高,可以在低温下制备等优点而受到研究者的广泛关注。采用AOS作为沟道层的薄膜晶体管(TFT)被认为是下一代大尺寸、高分辨率以及柔性平板显示的主流技术。目前AOS TFT主要是InGaZnO4为沟道层,虽然在日韩... 详细信息

非晶氧化物半导体(AOS)由于迁移率高,可以在低温下制备等优点而受到研究者的广泛关注。采用AOS作为沟道层的薄膜晶体管(TFT)被认为是下一代大尺寸、高分辨率以及柔性平板显示的主流技术。目前AOS TFT主要是InGaZnO4为沟道层,虽然在日韩等企业中已经逐步实现了工业化,但是仍然面临着In元素成本高,TFT良率低的困扰。这样一个技术变革的时代对我国的平板显示工业是一个难得的机遇。因此,开展我国独立自主的氧化物TFT技术是很有必要的。本文通过脉冲激光沉积法研究了非晶SiZnSnO薄膜的室温(25℃)制备过程。改变生长过程中的O2分压,发现在5Pa氧分压下对应的SiZnSnO薄膜表面的平整度最好。XRD和HR-TEM表明室温下生长和400℃退火后的薄膜都是处于非晶状态。结合椭圆偏振发现SZTO(0.06)对应的薄膜最致密。紫外-可见光透射谱测试结果表明SiZnSnO薄膜在可见光范围内的透过率都在80%以上。XPS表明Si对薄膜中氧空位具有抑制作用,掺入Si含量越多,薄膜中的氧空位就会越少。将SiZnSnO应用于TFT的沟道层。室温下制备的TFT性能并不突出,但是在400℃退火后的器件达到了很好的性能,SZTO(0.06)对应的TFT场效应迁移率为μFE=0.80cm2V-1S-1,阈值电压Vth=4.12V,亚阈值摆幅S=0.863V/decade,电流开关比Ion/off≈107.对SiZnSnO TFT的进行了不同相对湿度与气氛环境的稳定性研究,发现TFT背沟道处吸附HO会导致关态电流和开态电流的增加,而Si的适当引入会促进TFT器件的长期稳定性。采用脉冲激光沉积技术制备了SiZnSnO/Si异质结,并通过XPS测定Zn和Sn的芯能级,计算了SiZnSnO/Si的价带带阶,并结合SiZnSnO的光学禁带宽度确定了SiZnSnO/Si异质结的能带结构。

关键词： SiZnSnO 非晶氧化物半导体薄膜晶体管平板显示