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非晶态硅的激光辐照研究

北京理工大学学报 1983年第3期 94-99页

作者：林鸿溢谢宗钧黄乐斌中国科学院半导体研究所

我们对不同的晶态硅样品,进行高剂量(1×10;—1×10;cm;)的离子注入,采用不同的离子源（B,P,A;）和不同的注入能量（60—100kev）,最终形成非晶态层。文章给出激光辐照使a—S;向c—S;发生结构转变的观测结果。文中还对不同形式样品的c... 详细信息

我们对不同的晶态硅样品,进行高剂量(1×10;—1×10;cm;)的离子注入,采用不同的离子源（B,P,A;）和不同的注入能量（60—100kev）,最终形成非晶态层。文章给出激光辐照使a—S;向c—S;发生结构转变的观测结果。文中还对不同形式样品的c—v实验曲线进行讨论。

关键词：激光辐照非晶态硅离子注入高剂量激光疗法离子掺杂非晶态层非晶态半导体

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电镀

材料保护 1998年第8期 41-43页

作者：范宏义

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离子注入金属表层的椭圆仪分析

金属学报 1984年第1期 111-116页

作者：隋森芳陈鹤鸣清华大学

本文探讨了激光椭圆仪对离子注入金属表层的分析方法。实验结果表明,赝介电虚(?)值的变化可以提供金属表层由晶态到非晶态转变的信息。

关键词：离子注入离子掺杂非晶态层椭圆仪衍射环电子衍射离子轰击金属金属材料

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国外点滴

电世界 1999年第2期 38-39页

压力可使塑料变成"铜"导体英国科学家在研制"密封终端器"时,使用到一种类似于橡胶的奇怪聚合物,当它受到压力或绞合时会从绝缘体变成类似金属的导体。这种特异的塑料在正常的未受到压力状态下是极佳的绝缘体,其电阻率为10;～10;Ω·cm;... 详细信息

压力可使塑料变成"铜"导体英国科学家在研制"密封终端器"时,使用到一种类似于橡胶的奇怪聚合物,当它受到压力或绞合时会从绝缘体变成类似金属的导体。这种特异的塑料在正常的未受到压力状态下是极佳的绝缘体,其电阻率为10;～10;Ω·cm;但当其受压后,其导电性几乎与铜相等,电阻率为1～1000μΩ·cm。这些材料的电阻率有极宽的变化范围,在一些场合这些材料显示出只需象手握话筒那么灵敏的动作,而在

关键词：光电转换效率接触导线导线(电) 非晶态层绝缘体电阻率电阻系数绞合导体导电体太阳能电池光生伏打电池单晶体印制电路板印刷电路板(材料)

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固相外延

功能材料 1979年第3期 63-67页

作者：石原宏齐藤修黄元龙

一、前言所谓固相外延生长(So1id Pbase Epi-taxial Growth)现象。就是在单晶衬底上形成非晶态层后,由于固相状态反应而形成外延层生长的现象,因高浓度离子注入而形成非晶态的半导体表面,用结晶融点的一半温度可以再结晶,这个机理大约... 详细信息

一、前言所谓固相外延生长(So1id Pbase Epi-taxial Growth)现象。就是在单晶衬底上形成非晶态层后,由于固相状态反应而形成外延层生长的现象,因高浓度离子注入而形成非晶态的半导体表面,用结晶融点的一半温度可以再结晶,这个机理大约十年前就已经知道了。但是,在单晶半导体表面上蒸镀,如用化学气相沉积(CVD)等方法沉积半导体非晶态层或多晶层时,由于衬底表面存在着自然氧化膜等的污染,即使进行高温热处理也只能扩展其多晶化,所以固相

关键词：非晶态层 Si 中间层半导体表面固相外延半导体衬底生长层结晶性金属原子单晶衬底金属间化合物金属互化物外延生长晶体生长结晶颗粒化学气相沉积法蒸镀化学镀

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离子注入对水晶的影响

人工晶体学报 1984年第2期 162-166页

作者： P.Hartemann ,方净灵

用离子轰击了石英基片,其中最常注入的是1OOKeV 下的轻的氦离子。用各种方法鉴定了石英晶体物理性质的注入诱发变化。所有实验结果都表明大剂量的离子轰击可得到结晶态向非晶质的转变,受扰层的特性接近玻璃态二氧化硅的性质。研究了不... 详细信息

用离子轰击了石英基片,其中最常注入的是1OOKeV 下的轻的氦离子。用各种方法鉴定了石英晶体物理性质的注入诱发变化。所有实验结果都表明大剂量的离子轰击可得到结晶态向非晶质的转变,受扰层的特性接近玻璃态二氧化硅的性质。研究了不同注入条件下离子注入的效果并测定了热处理的影响。此外,报导了声表面波速度的注入诱发变动、传播损耗和延迟温度系数。讨论了注入技术在弹性波装置上的应用。

关键词：二氧化硅非晶态层离子注入离子掺杂晶态石英基片水晶石英玻璃态琉态非晶态声表面波

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离子注入对金属腐蚀性能影响的研究