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面向新型非易失存储的文件系统研究综述

计算机应用研究 2021年第6期38卷 1601-1610页

作者：徐远超首都师范大学信息工程学院北京100048

新型非易失存储(NVM)可字节寻址,具有近似内存的低延迟特性以及外存的非易失性,受限于软硬件技术成熟度,目前首先被用于外存。讨论了NVM用于持久性外存所面临的一系列问题,以及管理上的一些挑战;对现有的典型NVM文件系统及其主要特性进... 详细信息

新型非易失存储(NVM)可字节寻址,具有近似内存的低延迟特性以及外存的非易失性,受限于软硬件技术成熟度,目前首先被用于外存。讨论了NVM用于持久性外存所面临的一系列问题,以及管理上的一些挑战;对现有的典型NVM文件系统及其主要特性进行了梳理。归纳起来,这些特性主要围绕降低一致性开销、降低软件栈开销、内存与外存的融合、分布式文件系统、NVM文件系统安全、容错、空间管理几个方面展开。最后,展望了NVM文件系统仍然有待探讨的几个研究方向,包括扩展性问题、虚拟内存与文件系统的有机融合以及分布式文件系统等。

关键词：非易失存储文件系统虚拟内存持久性外存远程直接内存访问

在非易失存储器市场上处于领先地位的Atmel公司

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电子产品世界 1997年第7期 96-97页

Atmel公司于 1984年成立以后,经过13年的辛勤耕耘,发展非常迅速,取得了令人嘱目的业绩。在过去5年内,公司的复合年年增长率达到66％,净收入的复合年增长率为95％。在1992～1996年间,整个工业平均增长了2倍,而 Atmel则增长了 7倍,显示出... 详细信息

Atmel公司于 1984年成立以后,经过13年的辛勤耕耘,发展非常迅速,取得了令人嘱目的业绩。在过去5年内,公司的复合年年增长率达到66％,净收入的复合年增长率为95％。在1992～1996年间,整个工业平均增长了2倍,而 Atmel则增长了 7倍,显示出一派兴旺发达的景象。 Atmel在全世界非易失存储器市场上处于领先地位。它是＃1 EEPROM供应商,1996年市场占有率高达22％;它是＃ 2 EPROM供应商,1996年市场占有率为18％,比1994年的9.5％占有率

关键词：复合年增长率闪存闪速存储器 Atmel 非易失存储地位

富士通和爱普生宣布将联合开发下一代FRAM非易失存储器技术

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计算机与网络 2005年第14期 45-45页

富士通公司和精工爱普生公司近日宣布,双方已签署协议将联合开发下一代铁电随机存储器(Ferroelectric Random AccessMemory,FRAM)非易失存储器技术。根据协议,双方计划研制一种高集成度的下一代 FRAM,其组件面积将只有目前市场上销售的... 详细信息

富士通公司和精工爱普生公司近日宣布,双方已签署协议将联合开发下一代铁电随机存储器(Ferroelectric Random AccessMemory,FRAM)非易失存储器技术。根据协议,双方计划研制一种高集成度的下一代 FRAM,其组件面积将只有目前市场上销售的常规 FRAM 的1/6,研发计划预计将于2006年上半年完成。同时,富士通和爱普生还计划开

关键词：下一代非易失存储爱普生 FRAM 富士通

钴掺杂氧化锌一维微/纳米材料的应力和温度性能研究

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钴掺杂氧化锌一维微/纳米材料的应力和温度性能研究

作者：石岑岑南昌大学

学位级别：硕士

以智能手机、平板电脑等为代表的嵌入式终端的快速迭代,深刻体现了人们对超快信息处理速度与超大存储容量的不懈追求。然而,不断增长的数据量使得存储器对高性能处理器的制约日益凸显。与此同时,物联网的飞速发展,进一步加剧了环境信息... 详细信息

以智能手机、平板电脑等为代表的嵌入式终端的快速迭代,深刻体现了人们对超快信息处理速度与超大存储容量的不懈追求。然而,不断增长的数据量使得存储器对高性能处理器的制约日益凸显。与此同时,物联网的飞速发展,进一步加剧了环境信息在收集、计算和存储方面的压力,这些挑战都对传统的存储体系提出了更为严峻的考验。因此,积极探索和开发下一代具有感存算多功能的非易失性存储器显得尤为重要。本研究利用制备的一维ZnO:Co微/纳米结构材料,开展了非易失性温度存储和非易失性应力存储的研究,着重探究了器件的存储容量、稳定性、存储机理及应用开发。具体的研究内容与结果如下:1.基于ZnO:Co微/纳米器件的非易失性温度存储研究。在低偏压下加载温度时器件表现出明显的热阻开关效应并具有非易失性,探究发现该非易失性温度存储器的On/Off比大于10～3,数据保持时间大于10～4 s,数据擦除电压不大于10 V,并具有良好的耐久性和较强的抗干扰能力。器件的热阻效应与器件表面空间电荷区陷阱内电子受热激发有关,其温度信息的擦除则依赖于大偏压作用下电子的注入。随后利用非接触式的激光器代替接触式的加热台加载温度,通过设计特定的电路连接,开发光控逻辑门,并实现对简单图像的存储与边缘识别。2.基于ZnO:Co微/纳米器件的非易失性应力存储研究。器件在压缩/拉伸应变下表现出非易失性压阻效应,并且处于非易失高阻值状态的器件仍旧具有高灵敏度的实时感知功能。探究发现,压缩应变下表征器件灵敏度的形变因子随着应变的增大而增大,随着偏压的增大而降低,最高可达4.8×10～4;拉伸应变下器件的灵敏度随着应变与偏压的增大而增大,最高可达3×10～6。该非易失性应力存储器的数据保持时间大于10～4 s,数据擦除电压小于10 V,并具有良好的耐久性。器件的压阻效应与陷阱势垒高度变化有关,其应力信息的擦除则依赖于大偏压作用下电子的注入。随后根据器件对应变的高灵敏实时感知与响应,开发应变传感单元,以实现手指姿态与动作的监测。

关键词：温度感知热阻效应应力感知压阻效应非易失存储

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坐八年冷板凳，蹚一条创新路

坐八年冷板凳，蹚一条创新路

嵌入式系统的高速度大容量非易失随机数据存储

解放日报

作者：肖彤

创立一家企业——对多数创始人，都是他们人生的高光时刻。但对中天弘宇集成电路有限责任公司董事长张佳来说，却是她人生的危机时刻。“2015年，我作为投资人，投资了存储器领域。但在实际研发中，团队才发现：最初设计的技术路线完全... 详细信息

创立一家企业——对多数创始人，都是他们人生的高光时刻。但对中天弘宇集成电路有限责任公司董事长张佳来说，却是她人生的危机时刻。“2015年，我作为投资人，投资了存储器领域。但在实际研发中，团队才发现：最初设计的技术路线完全没有可行性；唯一的出路，是全盘推倒重......

关键词：非易失存储 Flash NOR 编程原理底层技术

来源： cnki报纸评论

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单片机与嵌入式系统应用 2008年第7期8卷 15-18页

作者：怯肇乾埃派克森微电子有限公司

介绍现代高速度大容量非易失随机数据存储的性能特点和典型器件;分析对比常见各种高速度大容量非易失随机数据存储器件的关键特性;阐述如何在嵌入式应用体系设计中选择合适的高速度大容量非易失随机数据存储器件。

关键词： E^2PROM SLC/MLC Flash BBSRAM NVSRAM FRAM MRAM 非易失存储

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基于非易失存储器的混合TCAM研究与设计

基于非易失存储器的混合TCAM研究与设计

作者：丁宪忠山东大学

学位级别：硕士

软件定义网络(SDN)是一种新兴的网络模式,它通过将网络的控制平面和数据平面进行解耦来简化网络管理。其中交换机作为数据转发的设备,而实际上网络管理则由逻辑上集中的服务器来进行控制。通过将控制平面转移到逻辑为中心的控制器上,SD... 详细信息

软件定义网络(SDN)是一种新兴的网络模式,它通过将网络的控制平面和数据平面进行解耦来简化网络管理。其中交换机作为数据转发的设备,而实际上网络管理则由逻辑上集中的服务器来进行控制。通过将控制平面转移到逻辑为中心的控制器上,SDN提供了可编程功能并且用于动态地控制和管理交换机中的数据包的转发和处理。在SDN中,网络流量是由一组存储在交换机中的三态内容寻址存储器(TCAM)的流表所管理。TCAM可以以线性的速度与到来的数据包和存储在TCAM中的所有流表进行并行比较。然而,现在的商业交换机的TCAM容量很少。另一方面,更加细化的SDN策略导致更大更多的流表数量的增长,这些流表需要存储和保持在SDN交换机的TCAM中,以保证快速的网络需求。尽管TCAM由于它的性能优势变得不可缺少,但是本身也带来了不可忽视的代价。例如,TCAM耗能比较大、价格昂贵、比一般存储器RAM需要占更大的芯片面积。这主要是由于现在的商业交换机中的TCAM是由静态随机存取存储器(SRAM)组成,而SRAM的高耗能和低密度等特性极大地限制了 TCAM的容量,加剧了 SDN交换机的处理负担和延迟。由于网络中的数据流量持续增长,增加TCAM容量的同时最小化TCAM的使用代价已经成为了一个挑战。最近,新型非易失性存储器件(NVM)由于它的低静态功耗和高密度等优点,像电阻式存储器件(ReRAM)已经被引入来实现TCAM。与传统的由SRAM组成的TCAM(sTCAM)相比,由NVM组成的TCAM(nvTCAM)可以获得更高的存储容量和更低的能量消耗。然而,nvTCAM由于固有的高的写延迟操作,因此也不是完美的解决方案。此外,TCAM中的流表的更新操作本身也是一个缓慢的过程,现在的基于SRAM的交换机仅仅支持每秒40至50条流表的更新。这个更新操作对于由NVM组成的交换机会更加严重,极大地限制了大型网络中的网络性能。本论文提出了一个由NVM组成的TCAM(nvTCAM)和基于SRAM组成的TCAM(sTCAM)的混合TCAM架构,利用nvTCAM存储更多的并且能够捕获更多流量的流表来增加缓存命中率,并且利用一小块sTCAM来处理那些未命中或者命中次数比较少的流表来降低所提出的混合TCAM的更新代价。考虑到缓存流表的特殊依赖特性,本文提出了有效的流表迁移替换策略充分利用nvTCAM和sTCAM的优势来获得混合TCAM架构的更好的性能。实验结果显示本论文提出的混合TCAM架构(由nvTCAM和sTCAM组成)比当前的TCAM架构的性能更有效。

关键词： TCAM 非易失存储 SRAM 数据包匹配软件定义网络

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非易失数据存储器防误写措施

电子技术 1999年第11期 43-43页

作者：刘振栋河北高等工程技术专科学校!沧州061001

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面向非易失内存写优化的重计算方法

计算机研究与发展 2020年第2期57卷 243-256页

作者：张铭华宇刘璐荣胡蓉李子怡武汉光电国家研究中心(华中科技大学) 武汉430074 华中科技大学计算机学院武汉430074

非易失存储(non-volatile memory,NVM)技术的兴起给计算机存储系统带来了很多机遇与挑战.与DRAM相比,NVM作为持久性内存具有非易失、低能耗以及高存储密度等优点,但同时它也具有擦写次数有限以及写操作延迟高等缺点,故以NVM为内存的系... 详细信息

非易失存储(non-volatile memory,NVM)技术的兴起给计算机存储系统带来了很多机遇与挑战.与DRAM相比,NVM作为持久性内存具有非易失、低能耗以及高存储密度等优点,但同时它也具有擦写次数有限以及写操作延迟高等缺点,故以NVM为内存的系统需要减少对内存的写操作,以提升NVM寿命和系统性能.为了解决这个问题,提出了基于结点出度的重计算方法(re-computation scheme based on the out degree of computing nodes,ROD),由于CPU与内存间的性能差距会导致CPU计算资源的浪费,为此ROD方法选择性地丢弃本需要存储到内存的计算结果,需要时再重新计算得到,利用计算换存储的方式减少写NVM的次数.实验采用powerstone测试集,在搭载了NVMain的Gem5模拟器中对ROD方法与贪心重计算方法和以存储为主导的无重计算方法做性能对比.结果表明ROD方法相比于存储主导的方法平均减少44.3%(最高68.5%)的写操作.ROD方法的运行耗时比存储主导的方法平均减少28.1%(最高68.6%),比贪心重计算的方法平均减少9.3%(最高19.4%).

关键词：非易失存储重计算减少写结点出度模拟器