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富士通和爱普生宣布将联合开发下一代FRAM非易失存储器技术

出 版 物:《计算机与网络》 (Computer & Network)

年 卷 期:2005年第14期

页      面:45-45页

学科分类:0202[经济学-应用经济学] 02[经济学] 020205[经济学-产业经济学] 

主  题:下一代 非易失存储 爱普生 FRAM 富士通 

摘      要:富士通公司和精工爱普生公司近日宣布,双方已签署协议将联合开发下一代铁电随机存储器(Ferroelectric Random AccessMemory,FRAM)非易失存储器技术。根据协议,双方计划研制一种高集成度的下一代 FRAM,其组件面积将只有目前市场上销售的常规 FRAM 的1/6,研发计划预计将于2006年上半年完成。同时,富士通和爱普生还计划开

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