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具有高集成密度的热释电器件

红外 1998年第6期 45-45页

作者：高

本专利提供一种具有高集成密度的热释电器件,这种热释电器件有一块可以非均质刻蚀并可以用作膜片支座的衬底(MT),衬底中安置了一个探测器窗口(DF)。探测器窗口上横跨着一片绝缘膜片(M)。该膜片和探测器窗口上面是一个热释电探测器元件(P... 详细信息

本专利提供一种具有高集成密度的热释电器件,这种热释电器件有一块可以非均质刻蚀并可以用作膜片支座的衬底(MT),衬底中安置了一个探测器窗口(DF)。探测器窗口上横跨着一片绝缘膜片(M)。该膜片和探测器窗口上面是一个热释电探测器元件(PDE)。膜片上面还有一层(100)取向的单晶硅层。

关键词：器件膜片探测器弹性元件热释电集成密度

用于改良性能和集成密度的双层场效应晶体管制作方法

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电脑与电信 2008年第1期 9-9页

项目简介：本技术主要是为了克服尺寸的界限，并且降低半导体生产过程中的制造成本。

关键词：场效应晶体管集成密度制作性能改良制造成本生产过程半导体

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将摩尔定律推向新高度

科技纵览 2022年第12期 32-37,4页

作者： Marko Radosavljevic Jack Kavalieros 不详

过去50年里,影响最深远的技术成就也许就是晶体管小型化的稳步推进,它们的集成密度越来越高、功耗越来越低。自从20多年前在英特尔开始职业生涯以来,我们就一直听到这样的警告:这种无穷小的演变即将结束.

关键词：无穷小集成密度摩尔定律稳步推进英特尔职业生涯晶体管小型化

色彩管理中胶片密度与色度转换模型研究(二)

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现代电影技术 2012年第3期 6-11页

作者：刘是曾志刚北京电影学院数字媒体技术研究所

如果将归一化至1的StatusARGB光谱乘积曲线与正片三个染料层在几个不同浓度下的光谱透射比的曲线重叠起来（如图7所示），会直观地看到，StatusARGB三密度值中的每一个都受胶片中三个染料层影响，例如，蓝色密度既与黄染料的浓度有关，... 详细信息

如果将归一化至1的StatusARGB光谱乘积曲线与正片三个染料层在几个不同浓度下的光谱透射比的曲线重叠起来（如图7所示），会直观地看到，StatusARGB三密度值中的每一个都受胶片中三个染料层影响，例如，蓝色密度既与黄染料的浓度有关，也与品红及青染料的浓度有关，只是黄染料的浓度的变化较之另两种染料对蓝密度的影响更大。因此这种密度通常被称为集成密度（integraldensi—ties）。

关键词：密度值转换模型色彩管理胶片光谱透射比色度集成密度浓度

初级纵向集成电路的制造工艺、应用和未来(一)

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微电子学与计算机 1991年第2期8卷 41-43页

作者： Tadayoshi Enomoto 石广元白古山

为实现高集成密度、高产量和短制造周期,发展了一种新的双层迭式LSI 制造工艺.称作初级纵向集成电路(ELVIC)技术工艺是把两个用常规方法制造的LSI 芯片面对面放置并热压在一起.此工艺还包括上下两层LSI 纵向互连(VI)的形成、上下两层表... 详细信息

为实现高集成密度、高产量和短制造周期,发展了一种新的双层迭式LSI 制造工艺.称作初级纵向集成电路(ELVIC)技术工艺是把两个用常规方法制造的LSI 芯片面对面放置并热压在一起.此工艺还包括上下两层LSI 纵向互连(VI)的形成、上下两层表面的平整化和使用热压方法的中间层连接.本实验中,在5×5mm^2的芯片上,约有52000个10×10μm^2的金-钛纵向互连.测量得知,每对VI 点的拉伸强度为4mg 力.已制造出由上层p 沟和下层n 沟MOSFET 组成的两层31级体硅CMOS 环形振荡器.在电源电压为5V 时,每级的传输延迟时间为1.86ns.

关键词：初级纵向集成电路制造工艺 LSI 大规模集成电路集成密度

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Flash存贮器及应用

电子技术应用 1993年第2期19卷 34-38页

作者：王卫海空军电讯工程学院 710077

本文介绍存贮器家族新成员——Flash 的特点和应用。该存贮器编程速度快;抗干扰能力强;支持在线编程。有广阔的发展前景。

关键词：集成密度在线编程平均无故障时间信息锁存

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第三代可编程逻辑器件——高密EPLD

电子技术应用 1993年第7期19卷 28-31页

作者：黄正瑾东南大学无线电系 210018

高密EPLD采用UVCMOS工艺,其集成规模远大于普通GAL。目前规模最大的EPLD每片含5000只等效逻辑门,可擦写万次以上。加上异步时钟,异步清零,独立的I/O端及独立的反馈通道,觖发器隐埋功能,或门的组合运用等优点,使得它的使用更加灵活,适应... 详细信息

高密EPLD采用UVCMOS工艺,其集成规模远大于普通GAL。目前规模最大的EPLD每片含5000只等效逻辑门,可擦写万次以上。加上异步时钟,异步清零,独立的I/O端及独立的反馈通道,觖发器隐埋功能,或门的组合运用等优点,使得它的使用更加灵活,适应性更强,等效门的利用率高,成为现代逻辑ASIC设计的最佳选择之一。

关键词：集成密度逻辑器件异步时钟 EPLD

化学所在亚波长尺度光子学调控方面取得系列进展

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化工新型材料 2017年第12期45卷 243-244页

作者：新型

受光学衍射极限的束缚,基于介质材料的光子学器件的尺寸都在几百纳米以上,制约了微型化光子器件集成密度的进一步提高,急需发展尺度在衍射极限以下的光学器件来进行光信息的传输与处理。表面等离子极化激元是一种存在于金属表面的特殊... 详细信息

受光学衍射极限的束缚,基于介质材料的光子学器件的尺寸都在几百纳米以上,制约了微型化光子器件集成密度的进一步提高,急需发展尺度在衍射极限以下的光学器件来进行光信息的传输与处理。表面等离子极化激元是一种存在于金属表面的特殊电磁场形式,可将光限域在衍射极限以下传播,其在偏振状态、模式体积、色散特性等方面具有一系列独特的物理性质，有利于实现亚波长尺度下的器件集成。

关键词：光子学器件亚波长调控化学衍射极限集成密度光学器件表面等离子

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前言

计算机研究与发展 2020年第6期57卷 1123-1124页

作者：刘志勇窦勇中国科学院计算技术研究所国防科技大学

我们高兴地向读者推出本刊“计算机体系结构前沿技术”专题!本专题收录的6篇文章既包含不同技术领域和方向的综述,也包含了具体技术的发明和介绍.自旋转移力矩随机存储器(STTGRAM)是一种新型非易失性随机存储器.STTGRAM与传统的静态随... 详细信息

我们高兴地向读者推出本刊“计算机体系结构前沿技术”专题!本专题收录的6篇文章既包含不同技术领域和方向的综述,也包含了具体技术的发明和介绍.自旋转移力矩随机存储器(STTGRAM)是一种新型非易失性随机存储器.STTGRAM与传统的静态随机存储器(SRAM)分别在写入速度、集成密度、制造成本、功耗、使用寿命等方面各有优势和劣势,而综合这2种随机存储器件而形成的SRAM和STTGRAM混合缓冲存储器是一种重要的缓存结构.

关键词：随机存储器计算机体系结构缓冲存储器写入速度集成密度 GRAM 缓存结构前沿技术