检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

双量子环的隧穿电导和隧穿磁电阻

固体电子学研究与进展 2010年第3期30卷 346-349页

作者：杜坚王素新河北民族师范学院物理系河北承德067000

研究了双量子环的隧穿电导和隧穿磁电阻,研究结果表明:隧穿电导和隧穿磁电阻都随半导体环增大做周期性等幅振荡。δ势垒、Rashba自旋轨道耦合、AB磁通对隧穿电导或隧穿磁电阻的影响各不相同。隧穿磁电阻随AB磁通增强发生周期性等幅振荡... 详细信息

研究了双量子环的隧穿电导和隧穿磁电阻,研究结果表明:隧穿电导和隧穿磁电阻都随半导体环增大做周期性等幅振荡。δ势垒、Rashba自旋轨道耦合、AB磁通对隧穿电导或隧穿磁电阻的影响各不相同。隧穿磁电阻随AB磁通增强发生周期性等幅振荡,并随φ0角的减小而增大。两电极磁矩方向反平行时,隧穿磁电阻恒为零。

关键词：量子环隧穿电导隧穿磁电阻 Rashba自旋轨道耦合 AB磁通

双自旋过滤隧道结在有限偏压下的隧穿电导和隧穿磁电阻

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中国科学（A辑） 2002年第8期32卷 696-703页

作者：谢征微李伯臧中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心

最近的一项理论估计指出,NM/FI/FI/NM 型双自旋过滤隧道结（DSFJ,此处NM和FI分别表示非磁电极和铁磁绝缘体或半导体）,在零偏压下可能具有甚高的隧穿磁电阻（TMR）针对磁电阻元件的研制和应用的需要,计算了DSFJ的TMR和电导随偏压,FI厚... 详细信息

最近的一项理论估计指出,NM/FI/FI/NM 型双自旋过滤隧道结（DSFJ,此处NM和FI分别表示非磁电极和铁磁绝缘体或半导体）,在零偏压下可能具有甚高的隧穿磁电阻（TMR）针对磁电阻元件的研制和应用的需要,计算了DSFJ的TMR和电导随偏压,FI厚度以及势垒高度的变化.结果表明:与传统的FM/NI/FM型磁性隧道结（FM和NI分别代表铁磁电极和非磁绝缘体或半导体）相比,DSFJ具有一个有利于应用的特点:其TMR在具有甚高值的问时,不随偏压的增大而单调地剧烈下降,而是先缓慢升到一个峰值后再下降.

关键词：双自旋过滤隧道结隧穿电导隧穿磁电阻磁性隧道结非零偏压自旋劈裂铁磁电极非磁绝缘体

反铁磁Cr插入层对CoFe/MgO/CoFe磁性隧道结的隧穿磁电阻的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

原子与分子物理学报 2015年第5期32卷 853-858页

作者：初冰卞宝安吴亚敏江南大学理学院无锡214122

利用基于密度泛函理论和非平衡态格林函数的第一性原理计算研究了CoFe/MgO/CoFe磁性隧道结的隧穿磁电阻效应.给出了该隧道结隧穿磁电阻与偏压的依赖关系,并计算了平行结构与反平行结构相应的I-V特性曲线和传输谱.通过在一侧电极与势垒... 详细信息

利用基于密度泛函理论和非平衡态格林函数的第一性原理计算研究了CoFe/MgO/CoFe磁性隧道结的隧穿磁电阻效应.给出了该隧道结隧穿磁电阻与偏压的依赖关系,并计算了平行结构与反平行结构相应的I-V特性曲线和传输谱.通过在一侧电极与势垒层之间插入反铁磁金属Cr层,观察到了隧穿磁电阻、电导随插入层Cr层数增加发生衰减和2个原子层周期的振荡现象,这主要是由于Cr拥有反铁磁结构,在Cr/MgO界面形成了与Cr磁矩取向相关的界面散射.

关键词：磁性隧道结隧穿磁电阻第一性原理计算反铁磁Cr

铁磁/绝缘层/有机半导体/铁磁多层膜隧道结的隧穿磁电阻的温度和偏压特性研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中国科学：物理学、力学、天文学 2010年第4期40卷 433-439页

作者：张佩佩徐明陈尚荣吴艳南周勋刘杰四川师范大学物理与电子工程学院&固体物理研究所低维结构物理实验室成都610068 贵州师范大学物理与电子科学学院贵阳550001

采用Slonczewski的近自由电子模型,利用转移矩阵的方法,研究了铁磁/绝缘层/有机半导体/铁磁隧道结的自旋极化载流子隧穿的温度和偏压特性.计算了T=4K和T=300K时,隧穿磁电阻(Tunneling Magnetic Resistance,TMR)随偏压的变化关系,同时还... 详细信息

采用Slonczewski的近自由电子模型,利用转移矩阵的方法,研究了铁磁/绝缘层/有机半导体/铁磁隧道结的自旋极化载流子隧穿的温度和偏压特性.计算了T=4K和T=300K时,隧穿磁电阻(Tunneling Magnetic Resistance,TMR)随偏压的变化关系,同时还研究了零温时在有限偏压下隧穿磁电阻TMR与绝缘层厚度、有机半导体层厚度以及铁磁/有机半导体界面势垒U的变化关系.我们的计算结果较好地解释了有关的实验结论.

关键词：多层膜有机半导体绝缘体铁磁层隧穿磁电阻

铁磁金属/绝缘体/铁磁半导体/普通金属(FM/I/FS/NM)磁性隧道结中的隧穿磁电阻效应

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

四川师范大学学报（自然科学版） 2020年第2期43卷 230-235页

作者：李双伶曾柏魁谢征微四川师范大学物理与电子工程学院四川成都610066

在已有的单自旋过滤磁性隧道结铁磁金属/绝缘体/铁磁绝缘体/普通金属(FM/I/FI/NM)研究的基础上,将其中的铁磁绝缘层(FI)换为铁磁半导体层(FS),研究了铁磁金属/绝缘体/铁磁半导体/普通金属(FM/I/FS/NM)磁性隧道结中的隧穿磁电阻(TMR)现象... 详细信息

在已有的单自旋过滤磁性隧道结铁磁金属/绝缘体/铁磁绝缘体/普通金属(FM/I/FI/NM)研究的基础上,将其中的铁磁绝缘层(FI)换为铁磁半导体层(FS),研究了铁磁金属/绝缘体/铁磁半导体/普通金属(FM/I/FS/NM)磁性隧道结中的隧穿磁电阻(TMR)现象.结果表明:由于FS层中的自旋过滤效应和Rashba自旋轨道耦合的影响,FM/I/FS/NM结可以在FS层厚度较大的情况下获得非常大的TMR值,从而避免已有的FM/I/FI/NM单自旋过滤结(FI表示铁磁绝缘层)中TMR随FI层厚度增加而下降所导致FI层不能做的太厚带来的制备上的困难.同时,计算结果还显示,FM/I/FS/NM结的TMR随铁磁半导体层FS的厚度,FS层中的Rashba自旋轨道耦合强度和分子场的变化呈振荡变化,随绝缘层I厚度的增加呈饱和趋势.

关键词：磁性隧道结铁磁半导体隧穿磁电阻 Rashba自旋轨道耦合

NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结的隧穿磁电阻

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

四川师范大学学报（自然科学版） 2005年第6期28卷 683-686页

作者：朱林陈卫东谢征微四川师范大学物理与电子工程学院四川成都610066

在NM/FI/FI/NM型双自旋过滤隧道结(NM为非磁金属,FI和后面的NI分别为铁磁和非磁绝缘体或半导体)的基础上,提出一种NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结.基于自由电子近似并利用转移矩阵方法,对NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结在不... 详细信息

在NM/FI/FI/NM型双自旋过滤隧道结(NM为非磁金属,FI和后面的NI分别为铁磁和非磁绝缘体或半导体)的基础上,提出一种NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结.基于自由电子近似并利用转移矩阵方法,对NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结在不同偏压下的隧穿磁电阻TMR与FI层厚度及NI层厚度的关系做了理论研究.计算结果表明,在NM/FI/NI/FI/NM型双自旋过滤隧道结中仍可以得到很大的TMR值.

关键词：隧穿磁电阻非磁绝缘(半导)体间隔层双自旋过滤隧道结

铁磁体/有机体/铁磁体三明治结构的隧穿磁电阻

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

四川师范大学学报（自然科学版） 2009年第4期32卷 482-485页

作者：陈尚荣徐明刘杰四川师范大学物理与电子工程学院.固体物理研究所四川成都610066

对铁磁体/有机体/铁磁体三明治结构的隧穿磁电阻进行了研究.考虑有机层对自旋的过滤作用,用Slonczewsk i自由电子理论模型计算了不同的隧穿势垒下在高自旋过滤因子和低自旋过滤因子两种情况隧穿磁电阻随有机层厚度的变化.计算结果供设... 详细信息

对铁磁体/有机体/铁磁体三明治结构的隧穿磁电阻进行了研究.考虑有机层对自旋的过滤作用,用Slonczewsk i自由电子理论模型计算了不同的隧穿势垒下在高自旋过滤因子和低自旋过滤因子两种情况隧穿磁电阻随有机层厚度的变化.计算结果供设计新的有机自旋电子器件参考.

关键词：磁性隧道结铁磁层有机体隧穿磁电阻

NM/FS1/FS2/NM结的隧穿电导和隧穿磁电阻

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

四川师范大学学报（自然科学版） 2008年第6期31卷 716-720页

作者：唐科黄劲松朱林谢征微李玲四川师范大学物理与电子工程学院四川成都610066

利用平均场近似和转移矩阵方法,对NM/FS1/FS2/NM结(NM为非磁金属,FS1和FS2为铁磁半导体层)的隧穿磁电阻(TMR)与FS层厚度及Rashba自旋轨道耦合的关系进行了研究.结果表明NM/FS1/FS2/NM结中TMR值随半导体层厚度的改变发生周期性变化,选择... 详细信息

利用平均场近似和转移矩阵方法,对NM/FS1/FS2/NM结(NM为非磁金属,FS1和FS2为铁磁半导体层)的隧穿磁电阻(TMR)与FS层厚度及Rashba自旋轨道耦合的关系进行了研究.结果表明NM/FS1/FS2/NM结中TMR值随半导体层厚度的改变发生周期性变化,选择适当的半导体层的厚度和Rashba自旋轨道耦合系数可以得到大的TMR值.

关键词：隧穿磁电阻铁磁半导体 Rashba耦合

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

磁性隧道结的隧穿磁电阻研究

磁性隧道结的隧穿磁电阻研究

作者：张佩佩四川师范大学

学位级别：硕士

21世纪,科学技术正以其迅猛的发展改变着人们的生活,利用电子的电荷和自旋来进行信息的传输和存储,以此为基础研发的自旋电子学器件将逐步改变信息的存储方式。与传统的磁电子学器件相比,自旋电子学器件具有非易失型、高集成度和低功耗... 详细信息

21世纪,科学技术正以其迅猛的发展改变着人们的生活,利用电子的电荷和自旋来进行信息的传输和存储,以此为基础研发的自旋电子学器件将逐步改变信息的存储方式。与传统的磁电子学器件相比,自旋电子学器件具有非易失型、高集成度和低功耗等优点,在计算机读出磁头、磁随机存储器(MRAM)等方面显示出诱人的应用前景。新型自旋电子学材料如磁性半导体、有机半导体因其独特的性质成为了实现自旋极化输运候选的理想材料。研究有机半导体材料中的自旋极化注入和输运性质,进一步了解有机半导体材料的物理性质,对自旋电子学的发展具有重要的意义。本论文主要包括以下两个方面工作: 1、选择磁性半导体作为中间层,研究了铁磁金属(FM)/磁性半导体(FS)//铁磁金属(FM)/异质结的自旋极化输运性质。研究表明:对比一般的铁磁金属/金属氧化物/铁磁金属三明治结构,由于考虑了磁性半导体层的自旋过滤效应,所以在FM/FS/FM隧道结中可以获得更大的TMR值。通过改变一些物理参数如磁性半导体层的厚度,Rashba自旋-轨道耦合强度,磁性分子场的大小,可以得到合理的隧穿系数和TMR值。我们的计算结果为设计自旋电子学器件提供了一定的参考依据 2、基于Slonczewski的近自由电子模型,利用转移矩阵的方法研究了铁磁/层/机半导体/铁磁三层膜隧道结和铁磁/绝缘层/有机半导体/铁磁多层膜隧道结自旋极化电子隧穿的温度和偏压特性。计算了隧穿磁电阻( Tunneling MagneticResistance, TMR )随偏压和温度的变化关系,同时还研究了零温时在有限偏压下隧穿磁电阻TMR与绝缘层厚度、有机半导体层厚度以及铁磁/有机半导体界面势垒U的变化关系。我们的计算结果较好地解释了有关的实验结果。

关键词：磁性半导体有机半导体隧穿磁电阻自旋轨道耦合隧穿系数