NM/FS1/FS2/NM结的隧穿电导和隧穿磁电阻
The Tunnel Conductance and Tunnel Magnetic Resistance in NM/FS1/FS2/NM Junction作者机构：四川师范大学物理与电子工程学院四川成都610066
出 版 物：《四川师范大学学报（自然科学版）》 (Journal of Sichuan Normal University（Natural Science）)
年 卷 期：2008年第31卷第6期
页 面：716-720页
学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
摘 要：利用平均场近似和转移矩阵方法,对NM/FS1/FS2/NM结(NM为非磁金属,FS1和FS2为铁磁半导体层)的隧穿磁电阻(TMR)与FS层厚度及Rashba自旋轨道耦合的关系进行了研究.结果表明NM/FS1/FS2/NM结中TMR值随半导体层厚度的改变发生周期性变化,选择适当的半导体层的厚度和Rashba自旋轨道耦合系数可以得到大的TMR值.
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