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基于阶跃式匹配结构与谐波控制技术高效宽带GaN HEMT射频功率放大器设计

天津理工大学学报 2024年第2期40卷 1-6页

作者：鲁聪林倩青海民族大学物理与电子信息工程学院青海西宁810007 电子科技大学电子科学与工程学院四川成都610000 同方电子科技有限公司江西九江332000

针对射频功率放大器存在的效率及带宽问题,文中设计了一款高效宽带GaN HEMT功率放大器(power amplifier,PA),采用阶跃式匹配结构实现其输入输出匹配网络设计,结合典型的十字型谐波控制技术实现了二、三次谐波的控制,极大地提高了输出效... 详细信息

针对射频功率放大器存在的效率及带宽问题,文中设计了一款高效宽带GaN HEMT功率放大器(power amplifier,PA),采用阶跃式匹配结构实现其输入输出匹配网络设计,结合典型的十字型谐波控制技术实现了二、三次谐波的控制,极大地提高了输出效率。以GaN HEMT晶体管为核心器件,通过设置合适的偏置网络和匹配网络结构实现了电路设计。仿真结果表明,在2.3~2.9 GHz内其输出功率(P_(out))为41~42.1 dBm,增益(Gain)达12~13.1 dB、漏极效率(drain efficiency,DE)达69.1%~77.7%、功率附加效率(power added efficiency,PAE)达67.1%-74.3%。

关键词：阶跃式匹配结构高效率宽带 GaN HEMT 功率放大器

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