基于阶跃式匹配结构与谐波控制技术高效宽带GaN HEMT射频功率放大器设计

作     者：鲁聪 林倩 LU Cong;LIN Qian

作者机构：青海民族大学物理与电子信息工程学院青海西宁810007 电子科技大学电子科学与工程学院四川成都610000 同方电子科技有限公司江西九江332000 

出 版 物：《天津理工大学学报》 (Journal of Tianjin University of Technology)

年 卷 期：2024年第40卷第2期

页      面：1-6页

学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家自然科学基金(62161046) 2022年青海省科技援青项目(2022-YQ-212) 

主　　题：阶跃式匹配结构 高效率 宽带 GaN HEMT 功率放大器 

摘      要：针对射频功率放大器存在的效率及带宽问题,文中设计了一款高效宽带GaN HEMT功率放大器(power amplifier,PA),采用阶跃式匹配结构实现其输入输出匹配网络设计,结合典型的十字型谐波控制技术实现了二、三次谐波的控制,极大地提高了输出效率。以GaN HEMT晶体管为核心器件,通过设置合适的偏置网络和匹配网络结构实现了电路设计。仿真结果表明,在2.3~2.9 GHz内其输出功率(P_(out))为41~42.1 dBm,增益(Gain)达12~13.1 dB、漏极效率(drain efficiency,DE)达69.1%~77.7%、功率附加效率(power added efficiency,PAE)达67.1%-74.3%。