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主题

  • 1 篇 直流断路器
  • 1 篇 集成门极换流晶闸...
  • 1 篇 阴极梳条排布

机构

  • 1 篇 新型功率半导体器...
  • 1 篇 株洲中车时代半导...

作者

  • 1 篇 陈芳林
  • 1 篇 陈勇民
  • 1 篇 潘学军
  • 1 篇 操国宏

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=阴极梳条排布"
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直流断路器用4.5 kV/10 kA IGCT特性研究
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电力电子技术 2022年 第2期56卷 133-135页
作者： 操国宏 陈勇民 陈芳林 潘学军 新型功率半导体器件国家重点实验室 湖南株洲412001 株洲中车时代半导体有限公司 湖南株洲412001
集成门极换流晶闸管(IGCT)由于电压等级高、关断电流能力大、通态损耗低,在直流断路器(DCCB)领域应用倍受关注。基于4英寸4.5kV/4kA IGCT技术基础,通过优化N-基区掺杂浓度、阳极掺杂分布及阴极梳条排布,研制出6英寸4.5 kV/10kA IGCT。... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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