直流断路器用4.5 kV/10 kA IGCT特性研究

作     者：操国宏 陈勇民 陈芳林 潘学军 CAO Guo-hong;CHEN Yong-min;CHEN Fang-lin;PAN Xue-jun

作者机构：新型功率半导体器件国家重点实验室湖南株洲412001 株洲中车时代半导体有限公司湖南株洲412001 

出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期：2022年第56卷第2期

页      面：133-135页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家重点研发计划(2017YFB0903200) 科技助力经济2020重点专项(2020YFF0426272) 

主　　题：集成门极换流晶闸管 阴极梳条排布 直流断路器 

摘      要：集成门极换流晶闸管(IGCT)由于电压等级高、关断电流能力大、通态损耗低,在直流断路器(DCCB)领域应用倍受关注。基于4英寸4.5kV/4kA IGCT技术基础,通过优化N-基区掺杂浓度、阳极掺杂分布及阴极梳条排布,研制出6英寸4.5 kV/10kA IGCT。测试结果显示该器件具有良好的高温阻断能力,在高温125℃下8kA时导通压降典型值为1.6V,在DCCB应用拓扑回路中其关断电流能力可达到12kA,且关断电流拖尾期间没有电压振荡现象。