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  • 1 篇 理学
    • 1 篇 化学

主题

  • 2 篇 第一性原理
  • 2 篇 间隙al
  • 1 篇 hfo2
  • 1 篇 晶格结构
  • 1 篇 电荷通道

机构

  • 2 篇 安徽工程大学
  • 1 篇 中国科学院微电子...

作者

  • 2 篇 代广珍
  • 2 篇 姜永召
  • 1 篇 刘鑫
  • 1 篇 倪天明
  • 1 篇 刘琦
  • 1 篇 鲁麟

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=间隙Al"
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变组分al对HfO2阻变特性影响:第一性原理研究
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物理学报 2019年 第11期68卷 73-79页
作者： 代广珍 姜永召 倪天明 刘鑫 鲁麟 刘琦 安徽工程大学电气工程学院 芜湖241000 中国科学院微电子研究所 北京100029
为了改善HfO2的阻变特性,提高氧空位(VO)导电细丝形成的一致性和均匀性,采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了掺杂al的HfO2阻变材料的微观特性.结果表明,间隙al (Int-al)更适合掺入到HfO2中,并且Int-al与VO相对位置越近,阻... 详细信息
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基于掺杂al原子的HfO2体系对RRAM性能的影响
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牡丹江师范学院学报（自然科学版） 2019年 第4期45卷 26-29页
作者： 姜永召 代广珍 安徽工程大学电气工程学院
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究掺杂al的HfO2阻变材料的微观特性.研究表明,间隙al掺杂到HfO2中后,体系更稳定;当间隙al浓度为2.04%时,能够形成较为完美的电荷通道,临界等势面值相对最高,有利于器件的均匀性、操作速度... 详细信息
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