基于掺杂Al原子的HfO2体系对RRAM性能的影响
Effect of HfO2 System Based on Doped Al Atom on RRAM Performance作者机构：安徽工程大学电气工程学院
出 版 物：《牡丹江师范学院学报（自然科学版）》 (Journal of Mudanjiang Normal University：Natural Sciences Edition)
年 卷 期：2019年第45卷第4期
页 面：26-29页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金项目(61306108 61172131 61271377) 安徽省高等学校教育基金项目(KZ00216022) 安徽工程大学科研启动基金项目(2018YQQ007)
摘 要：采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究掺杂Al的HfO2阻变材料的微观特性.研究表明,间隙Al掺杂到HfO2中后,体系更稳定;当间隙Al浓度为2.04%时,能够形成较为完美的电荷通道,临界等势面值相对最高,有利于器件的均匀性、操作速度以及形成电压等性能的改善;当间隙Al浓度高于4%时,掺杂体系的材料制备更加困难.
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