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作者

  • 6 篇 侯洵
  • 5 篇 李晓峰
  • 5 篇 张景文
  • 5 篇 高鸿楷
  • 2 篇 王卿璞
  • 2 篇 杨玉芬
  • 2 篇 马洪磊
  • 2 篇 程兴奎
  • 2 篇 陈效双
  • 2 篇 张兴宏
  • 2 篇 王占国
  • 1 篇 马朝晖
  • 1 篇 杜国同
  • 1 篇 陆卫
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  • 1 篇 刘式墉
  • 1 篇 韩爱珍
  • 1 篇 王玲

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  • 19 篇 中文
检索条件"主题词=镓铝砷化合物"
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透射式GaAs光电阴极AlGaAs窗层Al组份的X射线衍射分析
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光子学报 2002年 第4期31卷 454-457页
作者： 李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室 西安710068
研究了 Al Ga As窗层中 Al组份的 X射线衍射分析原理和计算方法 。
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AlGaAs/GaAs HEMT中界面态对沟道层电场特性影响的二维数值研究
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Journal of Semiconductors 1998年 第3期19卷 191-196页
作者： 张兴宏 杨玉芬 王占国 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 中国科学院半导体研究所微电子技术研究发展中心
本文建立了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ的二维量子模型，这个模型是基于在ＧａＡｓ沟道中用自洽求解薛定谔方程和泊松方程．用二维数值模拟得到了ＨＥＭＴ沟道中横向电场和纵向电场的二维分布，详细研究了不同固定界面态密度对沟道... 详细信息
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GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子阱的平方电光效应和光折变效应的研究
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南开大学学报（自然科学版） 1997年 第4期30卷 72-77页
作者： 李乙钢 郭儒 潘士宏 杨小平 南开大学物理系 天津300071 北京半导体超晶格国家重点实验室 北京100083
本文研究了半绝缘GaAs／Al0.3Ga0.7As多量子阱的电光效应和光折变效应．用光调制反射谱分析了样品的结构;用电调制透射谱测量了电吸收和电折变;用二波混合的方法测量了它的光折变性质．对两种方法得到的电吸收和电折变作了分析比较．
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透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层MOCVD过程中应变结构形成的研究
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光子学报 2002年 第2期31卷 205-208页
作者： 李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵 中国科学院西安光学精密机械研究所 光电子学研究室西安710068
本文介绍了 Al Ga As/ Ga As外延层生长的应变状况的生长温度控制模型 ,并根据Al Ga As/ Ga As外延层 X射线衍射摇摆曲线的分析从实验上验证了 Al Ga As/ Ga
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透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层倒易点二维图分析
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光子学报 2002年 第3期31卷 312-316页
作者： 李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室 西安710068
本文介绍了摇摆曲线和倒易点二维图在评价晶格完整性时的特点 ,分析了透射式Ga As光电阴极样品 Al Ga As/Ga As外延层的倒易点二维图 ,获得了晶面弯曲以及Al Ga As外延层中 Al组份变化等方面的信息 ,为优化外延工艺提供了可靠的保证 .
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GaAs/AlGaAs近表面单量子阱的光调制光谱研究
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Journal of Semiconductors 1998年 第1期19卷 25-28页
作者： 刘兴权 陆卫 徐文兰 穆耀明 陈效双 马朝晖 沈学础 中国科学院上海技术物理研究所
我们利用光调制反射光谱研究了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱，观察到了电子的１１Ｈ及１１Ｌ跃近．通过改变表面垒的厚度，使得真空垒对阱中电子态影响发生变化，由于量子阱中电子态所受的约束的加强，我们观察到了价带到导带的跃迁... 详细信息
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透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层X射线衍射摇摆曲线研究
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光子学报 2002年 第4期31卷 458-462页
作者： 李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室 西安710068
利用透射式 Ga As光电阴极 Al Ga As/ Ga As外延层的结构特点及其 X射线衍射摇摆曲线分析方法 ,解释了 Al Ga As/ Ga
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高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器
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发光学报 2002年 第1期23卷 90-92页
作者： 李忠辉 王玉霞 高欣 李梅 王玲 张兴德 长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室 吉林长春130022
应用MOVPE研制出梯度折射率分别限制GaAs/AlGaAs单量子阱激光器 ,室温单面连续输出光功率超过 5 0 0mW ,激射波长为 82 0 3nm 。
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透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层在热应力作用下晶格弯曲的倒易点二维图研究
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光子学报 2002年 第2期31卷 200-204页
作者： 李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵 中国科学院西安光学精密机械研究所 光电子学研究室西安710068
本文介绍了倒易点及其倒易点二维图的概念、倒易点形状及其倒易点二维图同晶格形变的关系 ,推导了热应力作用下双层膜发生弯曲的理论公式 ,阐明了晶格弯曲的原因和晶格倒易点二维图展宽的方向 ,分析了 Ga As光电阴极 Al Ga As/ Ga As外... 详细信息
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高铝GaAlAs及其多层结构MOVPE生长特性
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吉林大学自然科学学报 1993年 第3期 73-76页
作者： 张晓波 杨树人 陈伯军 赵方海 秦福文 杜国同 吉林大学电子科学系 集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区长春130023
本文报导了高铝GaAlAs及其多层结构的生长特性.X光双晶衍射结果表明,多层GaAlAs叠层材料的X光双晶衍射峰呈现多级卫星峰,这表明材料具有良好的晶体完整性和结构周期性.
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