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IBM率先公布锗化硅IC产品

电子产品世界 1999年第2期 50-50页

ＩＢＭ公司发布了其第一个标准的量产锗化硅ＩＣ系列芯片，这些产品利用了其拥有专利的锗化硅制造工艺。锗化硅ＩＣ可望实现范围广泛的功能并使最终产品更小、更轻和更便宜。ＩＢＭ是使锗化硅技术进入主流量产阶段的第一个厂商。由ＩＢ... 详细信息

ＩＢＭ公司发布了其第一个标准的量产锗化硅ＩＣ系列芯片，这些产品利用了其拥有专利的锗化硅制造工艺。锗化硅ＩＣ可望实现范围广泛的功能并使最终产品更小、更轻和更便宜。ＩＢＭ是使锗化硅技术进入主流量产阶段的第一个厂商。由ＩＢＭ倡导的锗化硅技术作为高速ＩＣ材料...

关键词：锗化硅第一个最终产品量产 IBM IC

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硅基低维材料的可见光发射机理探讨

固体电子学研究与进展 1998年第2期18卷 146-151页

作者：彭英才河北大学电子与信息工程系保定071002

Si的可见光发射是半导体发光材料研究中的一个新课题。文中从能带工程的角度出发，着重讨论了SiGe应变层异质结、Si量子细线、Si纳米团簇以及Si－O化合物年维体系的可见光发射机理，并进而探讨了提高这些娃基低线材料发光效率的可能途径。

关键词：应变层异质结量子细线纳米团簇硅锗化硅

SiGe HBT基区渡越时间与基区Ge组分剖面优化

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西安电子科技大学学报 2000年第3期27卷 305-308页

作者：张鹤鸣戴显英林大松孙建诚何林西安电子科技大学微电子所陕西西安710071 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,到x0 点时 ,Ge组分达峰... 详细信息

建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,到x0 点时 ,Ge组分达峰值 ,并保持到收集结处 .α是大于 1的数 ,随基区中收集结侧相对发射结侧禁带变化量的增加而减小 ,x0

关键词： HBT 组分剖面基区渡越时间锗化硅

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SiGeHBT的二维数值模拟分析设计

固体电子学研究与进展 2001年第3期21卷 313-319页

作者：杨廉峰吴金刘其贵夏君魏同立东南大学微电子中心南京210096

采用适合于亚微米器件模拟的流体动力学模型 (HDM) ,对 Si Ge HBT的亚微米器件模拟软件进行了设计。在 SMDS1.0模拟软件 [1]的基础之上 ,软件的设计仍采用面向对象技术 ,因而该软件仍将保持良好的可扩展性等特点。

关键词：异质结双极晶体管器件模拟锗化硅面向对象

梯度Si_(1-c)Ge_c混晶太阳电池长波光谱响应及其短路电流的理论计算与分析

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Journal of Semiconductors 2000年第11期21卷 1122-1128页

作者：李成虎赵玉文黎雪梅王福永王玉亭阎晓彬陆炜北京市太阳能研究所北京100083

提出了一种新型 Si/Si1- c Gec太阳电池结构 .对长波波段的响应区域—Si基区 Si1- c Gec梯度区光生少子分布进行了求解 .根据电流连续性原理计算了光谱响应 SR,讨论了电池结构和梯度区最大锗浓度 c对光生电流 JI的影响 .结果表明 :在一... 详细信息

提出了一种新型 Si/Si1- c Gec太阳电池结构 .对长波波段的响应区域—Si基区 Si1- c Gec梯度区光生少子分布进行了求解 .根据电流连续性原理计算了光谱响应 SR,讨论了电池结构和梯度区最大锗浓度 c对光生电流 JI的影响 .结果表明 :在一定条件下梯度区的引入使得 SR明显提高 ,但 c和梯度区厚度同时增加 ,窄能隙的复合效应显现出来 .电池结构对器件性能的影响更为显著 .当梯度区厚度 L2 远小于基区厚度 L1时 ,复合及电场的抽运使得 SR低于相同厚度 Si基区之值 .

关键词：梯度太阳电池锗化硅混晶光谱响应短路电流

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微波低噪声SiGe HBT的研制

Journal of Semiconductors 2000年第5期21卷 445-450页

作者：钱伟张进书贾宏勇林惠旺钱佩信清华大学微电子所北京100084

利用 3μm工艺条件制得 Si Ge HBT( Heterojunction Bipolar Transistor) ,器件的特征频率达到 8GHz.60 0 MHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .0 4 d B,相关功率增益为 1 2 .6d B,1 GHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .9d B,相关功率增益... 详细信息

利用 3μm工艺条件制得 Si Ge HBT( Heterojunction Bipolar Transistor) ,器件的特征频率达到 8GHz.60 0 MHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .0 4 d B,相关功率增益为 1 2 .6d B,1 GHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .9d B,相关功率增益为 9d B。

关键词：微波低噪声锗化硅 HBT 晶体管

不同偏置电压下SiGe HBT Early电压的理论研究

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Journal of Semiconductors 1998年第4期19卷 261-266页

作者：钱伟金晓军张炯林惠旺陈培毅钱佩信清华大学微电子所

Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ和直流增益β是双极器件在模拟电路中应用的重要参数，本文研究了在器件不发生大注入效应和雪崩倍增效应的条件下，ＳｉＧｅＨＢＴ中基区Ｇｅ含量以及ＶＣＥ对器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ的影响，并用数值计算的方法得... 详细信息

Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ和直流增益β是双极器件在模拟电路中应用的重要参数，本文研究了在器件不发生大注入效应和雪崩倍增效应的条件下，ＳｉＧｅＨＢＴ中基区Ｇｅ含量以及ＶＣＥ对器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ的影响，并用数值计算的方法得到了在其它参数相同的情况下，器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ随基区中Ｇｅ含量和偏置电压ＶＣＥ的变化规律，表明Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ是随ＶＣＥ和Ｇｅ含量的增加而增加的．这些结果对ＳｉＧｅＨＢＴ在模拟集成电路中的设计和应用提供了指导．

关键词：锗化硅 HBT 应变层 Early电压

UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学

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Journal of Semiconductors 2000年第6期21卷 564-569页

作者：于卓李代宗成步文黄昌俊雷震霖余金中王启明梁骏吾中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室北京100083

利用 Si H4 和 Ge H4 作为源气体 ,对 UHV/CVD生长 Si1- x Gex/Si外延层的表面反应机理进行了研究 ,通过 TPD、RHEED等实验观察了 Si( 1 0 0 )表面 Si H4 的饱和吸附、热脱附过程 ,得出 Si H4 的分解应该是每个 Si H4 分子的 4个 H原子... 详细信息

利用 Si H4 和 Ge H4 作为源气体 ,对 UHV/CVD生长 Si1- x Gex/Si外延层的表面反应机理进行了研究 ,通过 TPD、RHEED等实验观察了 Si( 1 0 0 )表面 Si H4 的饱和吸附、热脱附过程 ,得出 Si H4 的分解应该是每个 Si H4 分子的 4个 H原子全部都吸附到了 Si表面 ,Si H4 的吸附率正比于表面空位的 4次方 ,并分析了 Ge H4 的表面吸附机制 .在此基础上建立了 UHV/CVD生长Si1- x Gex/Si的表面反应动力学模型 ,利用模型对实验结果进行了模拟。

关键词： UHV/CVD 外延生长硅锗化硅表面反应动力学

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一种低损耗SiGe脊形光波导的结构和设计

Journal of Semiconductors 1999年第10期20卷 894-899页

作者：施斌蒋最敏王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

本文提出了一种Ｇｅ含量在波导厚度方向渐变的ＳｉＧｅ光波导，对这种波导进行了模式分析，给出了进行单模波导设计的方法，并与成分均匀的ＳｉＧｅ光波导进行了传输损耗的比较。

关键词：锗化硅脊形波导结构设计