SiGe HBT基区渡越时间与基区Ge组分剖面优化
Optimization of the base Ge composition profile for base transittime minimization in the SiGe heterojunction bipolar transistor作者机构：西安电子科技大学微电子所陕西西安710071 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060
出 版 物：《西安电子科技大学学报》 (Journal of Xidian University)
年 卷 期：2000年第27卷第3期
页 面：305-308页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目!(99JS0 9 1 1 DZ0 1 0 4 )
摘 要：建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,到x0 点时 ,Ge组分达峰值 ,并保持到收集结处 .α是大于 1的数 ,随基区中收集结侧相对发射结侧禁带变化量的增加而减小 ,x0
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