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铝掺杂氧化锌薄膜的扫描电镜形貌观察条件研究

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宁波大学学报（理工版） 2015年第4期28卷 80-83页

作者：王琴张科胡子阳诸跃进宁波大学理学院浙江宁波315211

利用日立SU70场发射扫描电镜对铝掺杂氧化锌(AZO)透明导电薄膜进行形貌观察.针对AZO薄膜特点,使用多种测试条件探讨了不同测试条件对薄膜形貌的影响.通过测试结果对比,获得了测定薄膜形貌的最佳条件.结果显示:加速电压为5 k V,工作距离... 详细信息

利用日立SU70场发射扫描电镜对铝掺杂氧化锌(AZO)透明导电薄膜进行形貌观察.针对AZO薄膜特点,使用多种测试条件探讨了不同测试条件对薄膜形貌的影响.通过测试结果对比,获得了测定薄膜形貌的最佳条件.结果显示:加速电压为5 k V,工作距离为10 mm,探测器为混合探测器(Mix),电子强度为high模式时,得到的扫描电镜图片最佳.

关键词：扫描电镜形貌铝掺杂氧化锌薄膜

退火气氛对溶胶-凝胶法制备铝掺杂氧化锌薄膜光电性能的影响

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河南理工大学学报（自然科学版） 2019年第1期38卷 147-151页

作者：胡保付刘丙国徐坚汪舰杜保立河南理工大学物理与电子信息学院河南焦作454000

为研究退火气氛对氧化锌(AZO)薄膜光电性能的影响,采用溶胶-凝胶法在石英基片上制备铝掺杂AZO薄膜。利用X射线衍射、场发射电子扫描显微镜对薄膜的物相结构和形貌进行表征;采用霍尔效应测试仪、紫外-可见-红外分光光度计分析AZO薄膜的... 详细信息

为研究退火气氛对氧化锌(AZO)薄膜光电性能的影响,采用溶胶-凝胶法在石英基片上制备铝掺杂AZO薄膜。利用X射线衍射、场发射电子扫描显微镜对薄膜的物相结构和形貌进行表征;采用霍尔效应测试仪、紫外-可见-红外分光光度计分析AZO薄膜的光电性能。结果表明:退火气氛对AZO薄膜电导的影响机制有明显差异。相较于空气中退火,在N2中退火的AZO薄膜中载流子迁移率变化不明显,薄膜电导性能改善得益于氧空位增加引起的载流子浓度提高;而在95N2/5H2混合气中退火,AZO薄膜中氧空位浓度增加,晶界吸附氧脱附,晶界势垒降低,从而造成载流子浓度和迁移率明显增加,薄膜电阻率为2. 09×10-3Ω·cm。AZO薄膜的透光率在波长400～800 nm的可见光内高于85%。

关键词：铝掺杂氧化锌薄膜退火气氛溶胶-凝胶法光电性能

退火温度对铝掺杂氧化锌薄膜晶体质量及光电性能的影响

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中国激光 2019年第4期46卷 124-128页

作者：郭德双陈子男王登魁唐吉龙方铉房丹林逢源王新伟魏志鹏长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022 长春理工大学材料科学与工程学院吉林长春130022

研究了退火温度对原子层沉积(ALD)生长的铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜光电性能的影响,结果发现:AZO薄膜在600℃退火后,X射线衍射峰的半峰全宽从未退火时的0.609°减小到0.454°,晶体质量得到提升;600℃退火后,薄膜的表面粗糙度从未退火时的0.8... 详细信息

研究了退火温度对原子层沉积(ALD)生长的铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜光电性能的影响,结果发现:AZO薄膜在600℃退火后,X射线衍射峰的半峰全宽从未退火时的0.609°减小到0.454°,晶体质量得到提升;600℃退火后,薄膜的表面粗糙度从未退火时的0.841 nm降低至0.738 nm;400℃退火后,薄膜的载流子浓度和迁移率均达到最大值,分别为1.9×10^(19) cm^(-3)和4.2 cm^2·V^(-1)·s^(-1),之后随着退火温度进一步升高,载流子浓度和迁移率降低;退火温度由300℃升高到600℃过程中薄膜的吸收边先蓝移后红移。

关键词：材料光学性能电学性能铝掺杂氧化锌薄膜退火原子层沉积技术

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射频磁控溅射沉积铝掺杂氧化锌薄膜的研究

电源技术 2015年第8期39卷 1682-1684页

作者：杨立冯金晖徐睿王赫乔在祥中国电子科技集团公司第十八研究所重点实验室天津300384

采用射频磁控溅射法沉积铝掺杂氧化锌(Zn O∶Al,简称AZO)薄膜,研究了本底压强、溅射功率以及沉积时间对AZO薄膜光电性质的影响,优化了该层薄膜的沉积工艺。研究结果表明,在尽可能低的本底压强下,采用适中的溅射功率(500 W),制备出厚度约... 详细信息

采用射频磁控溅射法沉积铝掺杂氧化锌(Zn O∶Al,简称AZO)薄膜,研究了本底压强、溅射功率以及沉积时间对AZO薄膜光电性质的影响,优化了该层薄膜的沉积工艺。研究结果表明,在尽可能低的本底压强下,采用适中的溅射功率(500 W),制备出厚度约为500 nm的AZO薄膜,其电阻率达到5×10-4Ω·cm,可见光范围内的平均透过率达到82.7%。

关键词：铝掺杂氧化锌薄膜射频磁控溅射导电性透过率

制备条件对铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜结构和电学性质的影响

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影像科学与光化学 2009年第6期27卷 452-461页

作者：张天宝李金培中国科学院理化技术研究所北京100190 中国科学院研究生院北京100049

本文利用溶胶-凝胶法在玻璃基底上制备得到了AZO透明导电薄膜,就两种不同的热处理-退火方式对薄膜的结构与性质的影响做了比较,研究了掺杂浓度、退火温度对薄膜结构及性质的影响规律.结果表明,高温、分层退火、铝掺杂均有利于生成结晶... 详细信息

本文利用溶胶-凝胶法在玻璃基底上制备得到了AZO透明导电薄膜,就两种不同的热处理-退火方式对薄膜的结构与性质的影响做了比较,研究了掺杂浓度、退火温度对薄膜结构及性质的影响规律.结果表明,高温、分层退火、铝掺杂均有利于生成结晶度高、具有C轴优先取向的AZO薄膜;高温和分层退火有利于晶粒长大,相反铝掺杂却有碍晶粒长大;薄膜的电学性质随退火温度和铝掺杂量的变化呈现规律的变化.通过分析AZO薄膜内的晶体生长过程,本文认为主要是制备条件和AZO晶体的晶面习性导致了薄膜的结晶度、晶体生长取向性和晶粒尺寸等方面的差异.

关键词：溶胶-凝胶铝掺杂氧化锌薄膜掺杂热处理退火

氧气分压和衬底温度对铝掺杂氧化锌透明导电薄膜性能的影响（英文）

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电池工业 2018年第1期22卷 39-44页

作者：彭光怀李金琼温和瑞廖金生洪瑞金江西理工大学冶金与化学工程学院江西赣州341000

通过直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了一系列铝掺杂氧化锌透明导电薄膜,研究了氧气分压和衬底温度对铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的结构和光电性能的影响。X-射线衍射研究表明铝掺杂氧化锌薄膜是沿c-轴方向堆积的具有六方结构的多晶薄膜,... 详细信息

通过直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了一系列铝掺杂氧化锌透明导电薄膜,研究了氧气分压和衬底温度对铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的结构和光电性能的影响。X-射线衍射研究表明铝掺杂氧化锌薄膜是沿c-轴方向堆积的具有六方结构的多晶薄膜,实验获得的最佳沉积衬底温度和氧分压分别为400℃和5∶100(O_2/Ar),在该条件下制备的铝掺杂氧化锌薄膜具有较低的表面电阻(80%)。

关键词：铝掺杂氧化锌薄膜磁控溅射氧分压沉积温度透明导电薄膜

基于磁控溅射技术的铝掺杂氧化锌薄膜的制备与性能研究

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基于磁控溅射技术的铝掺杂氧化锌薄膜的制备与性能研究

作者：李伟民中国地质大学(北京)

学位级别：硕士

Al掺杂ZnO(AZO)薄膜作为第三代透明导电氧化物(TCO)，是当前半导体领域的研究热点。本文利用射频磁控溅射技术，以掺Al质量分数为3%的Al:ZnO合金靶为溅射源，分别在石英玻璃、柔性透明以及不透明耐高温聚酰亚胺膜上制备了AZO薄膜和Al/Al... 详细信息

Al掺杂ZnO(AZO)薄膜作为第三代透明导电氧化物(TCO)，是当前半导体领域的研究热点。本文利用射频磁控溅射技术，以掺Al质量分数为3%的Al:ZnO合金靶为溅射源，分别在石英玻璃、柔性透明以及不透明耐高温聚酰亚胺膜上制备了AZO薄膜和Al/Al:ZnO背反射电极。主要研究内容包括以下几个方面： 1)系统研究了室温下在玻璃衬底上沉积AZO薄膜的工艺参数对薄膜电学性能、光学性能和生长速率的影响。当沉积气压固定为1.0Pa时，薄膜的生长速率随溅射功率的增加而线性增加，在200W时高达73nm/min;AZO薄膜的电阻率在200W时出现最低值，归因于高功率引起的温度效应。当溅射功率固定为80W时，随着沉积气压的增加，薄膜的生长速率逐渐降低，在1.0Pa时电阻率最低。 2)系统研究了沉积气压及衬底温度对AZO薄膜的表面形貌、光电性能、微结构以及生长速率的影响。在2.0Pa时表面织构最为均匀，薄膜电阻率最低。随着衬底温度增加，薄膜结晶性能变好，电阻率下降，表面织构更加明显。在衬底温度为500℃，沉积气压为2.0Pa时沉积的AZO薄膜的电阻率为9.04×10 cm，浓度和迁移率分别为3.38×1020/cm和20.45m/Vs，可见光平均透过率为76.83%。 3)以玻璃化转变温度＞250℃的透明柔性聚酰亚胺为衬底，制备了一系列AZO薄膜，并系统研究了溅射功率和衬底温度对AZO薄膜的光电性能、输运特性、微结构的调控规律。在衬底温度为150℃，溅射功率为60W，工作压强为1.0Pa时制备出电阻率为2.51×10 cm，可见光平均透过率为74.3%的AZO薄膜，为进一步的柔性透明电池的研发打下基础。 4)在柔性耐高温不透明聚酰亚胺衬底上制备用于太阳能电池的AZO/Al复合背反射电极，研究了提高薄膜附着力的方法以及溅射功率对复合薄膜结构、电学性能、光学性能和表面形貌的影响，分析了薄膜的表面成分。

关键词：磁控溅射铝掺杂氧化锌薄膜衬底温度溅射功率工作压强

Al_2O_3掺量及氧气分压对直流磁控溅射法制备铝掺杂氧化锌薄膜性能的影响

同方学位论文库评论

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同方学位论文库

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硅酸盐学报 2004年第10期32卷 1241-1245页

作者：余俊赵青南赵修建武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室武汉430070

制备了掺杂质量数为1%,2%,3%和4%Al2O3的ZnO靶材。用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO∶Al(ZAO)透明导电薄膜试样。用X射线衍射和扫描电镜分析了薄膜的物相及表面形貌。用四探针法测试了薄膜的电性能。用紫外可见光谱仪测试了试样... 详细信息

制备了掺杂质量数为1%,2%,3%和4%Al2O3的ZnO靶材。用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO∶Al(ZAO)透明导电薄膜试样。用X射线衍射和扫描电镜分析了薄膜的物相及表面形貌。用四探针法测试了薄膜的电性能。用紫外可见光谱仪测试了试样的可见光透过率。结果表明:溅射气氛中氧气的存在降低薄膜的电导率,对薄膜试样的可见光透过率影响不大;用含3%Al2O3的ZnO靶材制备的薄膜的电导率最高。讨论了氧气分压和Al2O3的掺杂量对ZAO薄膜的结构和性能的影响。

关键词：铝掺杂氧化锌薄膜电导率直流磁控溅射

热处理工艺对溶胶-凝胶法制备ZnO:Al薄膜光电性能的影响

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硅酸盐学报 2015年第4期43卷 451-457页

作者：彭寿金良茂王芸汤永康甘治平王东石丽芬单传丽蚌埠玻璃工业设计研究院浮法玻璃新技术国家重点实验室安徽蚌埠233000

采用溶胶-凝胶法以提拉的方式在普通玻璃基底上制备出ZnO:Al(AZO)薄膜。通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、方块电阻测试仪、Hall效应测试仪、紫外-可见-红外分光光度计研究了薄膜物相、微观结构、光电性能;分析了不同热处理方式... 详细信息

采用溶胶-凝胶法以提拉的方式在普通玻璃基底上制备出ZnO:Al(AZO)薄膜。通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、方块电阻测试仪、Hall效应测试仪、紫外-可见-红外分光光度计研究了薄膜物相、微观结构、光电性能;分析了不同热处理方式对于薄膜光电性能的影响。结果表明:经10次提拉所制备薄膜可见光透过率85%左右。热处理工艺的选择对于提升AZO薄膜的电学性能至关重要,相比于空气气氛和真空下的热处理,采用具有还原性的5%H_2和95%N_2的混合气氛热处理得到了具有最好电学性能的AZO薄膜。在550℃还原气氛下保温60 min得到薄膜方块电阻约为300Ω/□,电阻率约为3.3×10^(-3)Ω·cm。

关键词：铝掺杂氧化锌薄膜热处理光电性能溶胶-凝胶法