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铁磁性Cr^(3+)掺杂纤蛇纹石纳米管的制备与表征

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功能材料 2009年第9期40卷 1471-1472,1476页

作者：马国华彭同江李明刘海峰西南科技大学分析测试中心四川绵阳621010

研究了在水热条件下,通过离子替代的方法制备Cr3+掺杂纤蛇纹石纳米管。采用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、红外光谱和磁性测试等手段对样品进行了表征。结果表明,掺杂Cr3+后的纤蛇纹石样品其晶胞参数b值增大,内外... 详细信息

研究了在水热条件下,通过离子替代的方法制备Cr3+掺杂纤蛇纹石纳米管。采用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、红外光谱和磁性测试等手段对样品进行了表征。结果表明,掺杂Cr3+后的纤蛇纹石样品其晶胞参数b值增大,内外径分别为6～8nm和30～40nm,长度为50～300nm;掺杂样品中,Cr3+部分替代了Mg2+进入纤蛇纹石的八面体结构单元层中,使得其具有室温铁磁性和磁滞回线特性。

关键词：纤蛇纹石纳米管掺杂铁磁性

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铁磁性构件缺陷的脉冲涡流检测传感机理研究

仪器仪表学报 2015年第5期36卷 989-995页

作者：周德强王俊张秋菊吴静静张洪江苏省食品先进制造装备技术重点实验室无锡214122 江南大学机械工程学院无锡214122

铁磁性构件的脉冲涡流检测法是一种融合了漏磁检测与涡流检测的新的复合磁传感检测法。建立了脉冲涡流复合传感有限元仿真模型,仿真分析了铁磁性构件电导率、磁导率和导入直流电流激励大小对脉冲涡流响应信号的影响规律。实验结果表明:... 详细信息

铁磁性构件的脉冲涡流检测法是一种融合了漏磁检测与涡流检测的新的复合磁传感检测法。建立了脉冲涡流复合传感有限元仿真模型,仿真分析了铁磁性构件电导率、磁导率和导入直流电流激励大小对脉冲涡流响应信号的影响规律。实验结果表明:随着导入直流电流激励增加,铁磁性构件表面缺陷漏磁场和电流密度引起扰动磁场的复合场对脉冲涡流响应信号的影响更显著,而铁磁构件亚表面埋藏缺陷随着缺陷深度的增大而增大,缺陷漏磁及电流扰动磁场的复合场对脉冲涡流响应信号的影响变小,涡流响应信号占主导地位,为脉冲涡流传感器设计奠定理论基础。

关键词：脉冲涡流铁磁性电导率磁导率直流激励

非掺杂锐钛矿相TiO_2铁磁性的第一性原理研究

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物理学报 2017年第5期66卷 235-241页

作者：潘凤春徐佳楠杨花林雪玲陈焕铭宁夏大学物理与电子电气工程学院银川750021

运用第一性原理的方法研究了锐钛矿相TiO_2中O空位(V_o)和Ti空位(V_(Ti))的电子结构和磁学性质.计算结果表明,单独的V_o并不会诱发局域磁矩,V_(Ti)可以产生大小为4μB(1μ=9.274×10^(-21)emu,CGS)的局域磁矩,主要分布在其周围的0原子上... 详细信息

运用第一性原理的方法研究了锐钛矿相TiO_2中O空位(V_o)和Ti空位(V_(Ti))的电子结构和磁学性质.计算结果表明,单独的V_o并不会诱发局域磁矩,V_(Ti)可以产生大小为4μB(1μ=9.274×10^(-21)emu,CGS)的局域磁矩,主要分布在其周围的0原子上.这两种缺陷产生局域磁矩的原因在文中做了详细的介绍.此外,由两个V_(Ti)诱发的局域磁矩之间的磁耦合相互作用为铁磁耦合,其交换耦合系数J_0为88.7 meV,意味着V_(Ti)间的铁磁耦合可以持续到室温.虽然V_o并不会产生局域磁矩,但是引入V_o可以进一步提升两个V_(Ti)之间的耦合强度,这可以对非掺杂锐钛矿结构的TiO_2体系中铁磁性的来源作出解释:V_(Ti)产生了局域磁矩,而V_o增强了V_(Ti)间长程的铁磁耦合相互作用.此外,还提出了局域磁矩之间耦合的第二类直接交换作用模型.

关键词：第一性原理 TiO2 非掺杂铁磁性

Ti_(1-x)Co_xO_2铁磁性半导体薄膜研究

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物理学报 2005年第1期54卷 369-372页

作者：宋红强陈延学任妙娟季刚山东大学物理与微电子学院晶体材料国家重点实验室济南250100

利用射频磁控反应溅射制备了Ti1 -xCoxO2 薄膜样品 .超导量子干涉仪 (SQUID)测量了样品在常温 ,低温下的磁特性 .结果显示样品在常温下已经具有明显的铁磁性 .常温时其矫顽力 32× 10 3A m ,饱和磁化强度 5 5emu/cm3 磁性元素的磁矩达 0... 详细信息

利用射频磁控反应溅射制备了Ti1 -xCoxO2 薄膜样品 .超导量子干涉仪 (SQUID)测量了样品在常温 ,低温下的磁特性 .结果显示样品在常温下已经具有明显的铁磁性 .常温时其矫顽力 32× 10 3A m ,饱和磁化强度 5 5emu/cm3 磁性元素的磁矩达 0 6 79μB/Co.饱和场 12× 10 4 A m .x射线衍射 (XRD)和x射线光电子能谱 (XPS)实验分析初步表明样品中没有钴颗粒 .

关键词：铁磁性磁矩 x射线光电子能谱(XPS) 磁控反应溅射磁特性饱和磁化强度半导体薄膜矫顽力 SQUID 测量

Ce和Ni共掺杂BiFeO_3薄膜的光学和铁磁性能

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红外与毫米波学报 2016年第3期35卷 322-325,331页

作者：崔金玉杨平雄褚君浩营口理工学院机电工程系辽宁营口115014 华东师范大学信息科学技术学院电子系极化材料与器件教育部重点实验室上海200241

利用溶胶-凝胶工艺在石英衬底上制备了镍铈共掺杂铁酸铋Bi_(0.9)Ce_(0.1)Fe_(1-x)Ni_xO_3(xBCFNO,x=0,0.03,0.05,0.07)薄膜.X-射线衍射(XRD)测试表明所有样品的晶体结构都为四方钙钛矿铁酸铋BiFeO_3结构.由于Ce和Ni共掺杂,XRD显示,峰位置发生偏移.主峰(012/110)峰值在Ni含量x=0.05时峰值最大.扫描电子显微镜(SEM)测试也显示x=0.05时晶粒最大,结晶度最好.光学透射测试显示xBCFNO薄膜x=0.03时的光学禁带宽度最小,为2.14 eV.铁磁测试结果表明镍铈共掺杂可以进一步提高铁酸铋的室温铁磁性.

关键词：铁酸铋镍铈共掺杂光学特性铁磁性

第一性原理研究half-Heusler合金VLiBi和CrLiBi的半金属铁磁性

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物理学报 2018年第21期67卷 325-333页

作者：姚仲瑜孙丽潘孟美孙书娟刘汉军海南师范大学物理与电子工程学院海口571158

构建只含有一种过渡金属元素的half-Heusler合金VLiBi和CrLiBi.采用第一性原理的全势能线性缀加平面波方法计算half-Heusler合金VLiBi和CrLiBi的电子结构.计算结果表明, VLiBi和CrLiBi是半金属性铁磁体,它们的半金属隙分别是0.25 eV和0.... 详细信息

构建只含有一种过渡金属元素的half-Heusler合金VLiBi和CrLiBi.采用第一性原理的全势能线性缀加平面波方法计算half-Heusler合金VLiBi和CrLiBi的电子结构.计算结果表明, VLiBi和CrLiBi是半金属性铁磁体,它们的半金属隙分别是0.25 eV和0.46 eV,晶胞总磁矩分别为3.00μB和4.00μB.磁性计算结果显示,晶胞总磁矩主要来源于V和Cr的原子磁矩, Li和Bi的原子磁矩较弱,而且Bi的原子磁矩为负值.利用平均场近似方法计算合金的居里温度TC, VLiBi和CrLiBi的居里温度(TC)的估算值分别为1401 K和1551 K.使晶格常数在±10%的范围内变化,分别计算VLiBi和CrLiBi的电子结构.计算研究表明,晶格常数在-5.6%—10%和-6.9%—10%的范围内变化时VLiBi和CrLiBi仍具有半金属性,并且晶胞总磁矩稳定于3.00μB和4.00μB.采用局域密度近似(LDA)+U (电子库仑相互作用项)的方法计算VLiBi和CrLiBi的电子结构,当U的取值增大到5 eV时VLiBi和CrLiBi仍保持半金属性.此外,采用考虑自旋-轨道耦合(spin-orbit coupling, SOC)效应的广义梯度近似(GGA)+SOC方法计算VLiBi和CrLiBi的电子结构,计算结果显示有微弱的自旋向下能带穿过费米能级,此时VLiBi和CrLiBi在费米面处的自旋极化率分别为98.8%和94.3%,它们的晶胞总磁矩分别为3.03μB和4.04μB. VLiBi的半金属性几乎不受SOC效应的影响,而CrLiBi在费米面处仍有较高的自旋极化率.

关键词：半金属第一性原理电子结构铁磁性

稀释磁性半导体Sn_(1-x)Mn_xO_2的室温铁磁性

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物理学报 2005年第6期54卷 2934-2937页

作者：匡安龙刘兴翀路忠林任尚坤刘存业张凤鸣都有为西南师范大学物理系重庆400715 南京大学固体微结构国家重点实验室南京210093

采用固相反应法,制备了不同成分的稀释磁性半导体Sn1-xMnxO2(x=0.02,0.04,0.06).利用x射线衍射和傅里叶变换红外光谱法证明了锰均匀地掺杂到二氧化锡中.在室温下研究了掺锰二氧化锡基稀释半导体的磁性,发现它具有明显的铁磁性,同时对磁... 详细信息

采用固相反应法,制备了不同成分的稀释磁性半导体Sn1-xMnxO2(x=0.02,0.04,0.06).利用x射线衍射和傅里叶变换红外光谱法证明了锰均匀地掺杂到二氧化锡中.在室温下研究了掺锰二氧化锡基稀释半导体的磁性,发现它具有明显的铁磁性,同时对磁性的强弱与锰的含量和烧结温度的关系作了研究.

关键词：稀释磁性半导体掺杂方法锰铁磁性烧结温度

基片温度对Co掺杂ZnO薄膜室温铁磁性的影响(英文)

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稀有金属材料与工程 2008年第5期37卷 831-834页

作者：王朱良李小丽江凤仙田宝强吕宝华许小红山西师范大学山西临汾041004

采用磁控共溅射法在Al2O3（0001）基片上沉积了Zn1-xCoxO（x=0.08～0.31%）薄膜,研究了基片温度对Co掺杂ZnO薄膜结构和磁性的影响。结果表明：Al2O3（001）基片很好地诱导了ZnCoO薄膜（002）取向生长,并且所有的薄膜均显示室温铁磁性。... 详细信息

采用磁控共溅射法在Al2O3（0001）基片上沉积了Zn1-xCoxO（x=0.08～0.31%）薄膜,研究了基片温度对Co掺杂ZnO薄膜结构和磁性的影响。结果表明：Al2O3（001）基片很好地诱导了ZnCoO薄膜（002）取向生长,并且所有的薄膜均显示室温铁磁性。较低的基片温度不仅能有效抑制薄膜中Co2O3杂质相的产生,而且薄膜磁矩较大。紫外-可见光谱也表明,薄膜中Co^2＋取代了ZnO中Zn^2＋的位置。

关键词： Co掺杂的ZnO薄膜磁控共溅射基片温度铁磁性

Cu掺杂的AlN铁磁性和光学性质的第一性原理研究

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物理学报 2009年第3期58卷 1917-1923页

作者：林竹郭志友毕艳军董玉成华南师范大学信息光电子科技学院光电子材料与技术研究所广州510631

采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似(GGA),对Cu掺杂AlN32原子超原胞体系进行了几何结构优化,计算了Cu掺杂AlN的晶格常数,能带结构,电子态密度和光学性质.结果表明,Cu掺杂AlN会产生自旋极化状态,... 详细信息

采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似(GGA),对Cu掺杂AlN32原子超原胞体系进行了几何结构优化,计算了Cu掺杂AlN的晶格常数,能带结构,电子态密度和光学性质.结果表明,Cu掺杂AlN会产生自旋极化状态,能带结构显示半金属性质,掺杂后带隙变窄,长波吸收加强,能量损失明显减小.同传统的稀磁半导体(DMS)相比,Cu掺杂AlN不会有铁磁性沉淀物的问题,因为Cu本身不具有磁性.因而,Cu掺杂的AlN也许是一种非常有前途的稀磁半导体.

关键词： AlN 第一性原理铁磁性光学性质