Ti_(1-x)Co_xO_2铁磁性半导体薄膜研究
Study of ferromagnetic semiconductor films:Ti_(1-x)Co_xO_2作者机构：山东大学物理与微电子学院晶体材料国家重点实验室济南250100
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2005年第54卷第1期
页 面：369-372页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0704[理学-天文学] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金 (批准号 :5 0 1710 3 6 10 2 3 40 10 ) 国家重点基础研究发展计划 (批准号:973011CB610 60 3 )资助的课题~~
主 题：铁磁性 磁矩 x射线光电子能谱(XPS) 磁控反应溅射 磁特性 饱和磁化强度 半导体薄膜 矫顽力 SQUID 测量
摘 要：利用射频磁控反应溅射制备了Ti1 -xCoxO2 薄膜样品 .超导量子干涉仪 (SQUID)测量了样品在常温 ,低温下的磁特性 .结果显示样品在常温下已经具有明显的铁磁性 .常温时其矫顽力 32× 10 3A m ,饱和磁化强度 5 5emu/cm3 磁性元素的磁矩达 0 6 79μB/Co.饱和场 12× 10 4 A m .x射线衍射 (XRD)和x射线光电子能谱 (XPS)实验分析初步表明样品中没有钴颗粒 .
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