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现代化工 2000年第1期 57-57页

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现代化工 2003年第1期23卷 63-66页

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上海金属.有色分册 1984年第1期 57-63页

用于电子设备的新合金美国最近研制成功一种可代替铍铜合金的新的铜基合金,称为Dickulloy。这是一种沉积硬化合金,除铜外还含有铬、铝、硅和镍,适用于制造目前工业已普遍使用的小型特薄电子元件。它不仅强度高,而且价格要比铍铜合会低,... 详细信息

用于电子设备的新合金美国最近研制成功一种可代替铍铜合金的新的铜基合金,称为Dickulloy。这是一种沉积硬化合金,除铜外还含有铬、铝、硅和镍,适用于制造目前工业已普遍使用的小型特薄电子元件。它不仅强度高,而且价格要比铍铜合会低,环境污染较轻,并不需热处理。过去几年,已用这种原材料生产电子开关终端,效果良好,电视遥控和汽车电话都需要这种材料。 Dickulloy合金张力强度可达100000—140000磅/时~2,售价每磅8美元,而铍铜合金则要10.50美元。此外铍铜合金需要热处

关键词：铜合金铜基合金重有色金属合金国外动态扫描声学显微镜冶炼厂消费量铁硅化物上海美元本位币

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微处理器芯片技术的发展及展望

微型电脑应用 2002年第12期18卷 5-6,11页

作者：施劲松胡越明上海交通大学计算机系硕士研究生上海200030

作为计算机核心的微处理器芯片问世至今三十多年以来,式样不断翻新,产品性能突飞猛进,有力的带动了信息产业发展。本文回顾了三十年以来从4004微处理器到当今Pentium4的技术发展历程,从芯片所用材料的变更、封装技术及光布线技术发展的... 详细信息

作为计算机核心的微处理器芯片问世至今三十多年以来,式样不断翻新,产品性能突飞猛进,有力的带动了信息产业发展。本文回顾了三十年以来从4004微处理器到当今Pentium4的技术发展历程,从芯片所用材料的变更、封装技术及光布线技术发展的角度进一步探讨,展望了微处理器芯片未来的发展趋势。

关键词：微处理器晶体管铜布线工艺耗电量光布线光纤连接铁硅化物集成电路芯片

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退火温度对磁控溅射制备的β-FeSi2薄膜的影响

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退火温度对磁控溅射制备的β-FeSi2薄膜的影响

退火温度对磁控溅射制备的β-FeSi2薄膜的影响

第六届中国功能材料及其应用学术会议

作者：梁艳谢泉曾武贤张晋敏杨吟野肖清泉任雪勇贵州大学电子科学与信息技术学院

采用磁控溅射的方法,在高真空条件下,沉积金属 Fe 到 Si(100)衬底上,然后通过真空退火炉在不同温度条件下对样品进行热处理,直接形成了β-FeSi 薄膜．采用 X 射线衍射仪(XRD)对样品进行了晶体结构分析,利用卢瑟福背散射(RBS)对 Fe-Si ... 详细信息

采用磁控溅射的方法,在高真空条件下,沉积金属 Fe 到 Si(100)衬底上,然后通过真空退火炉在不同温度条件下对样品进行热处理,直接形成了β-FeSi 薄膜．采用 X 射线衍射仪(XRD)对样品进行了晶体结构分析,利用卢瑟福背散射(RBS)对 Fe-Si 化合物的形成过程中的 Fe 原子和 Si 原子的互扩散机理进行了研究,利用扫描电镜(SEM)对样品表面的显微结构进行表征,结果表明,在900℃条件下退火能够得到质量很好的β-FeSi薄膜,超过这一温度β相将开始向α相转化,到1000℃,β-FeSi全部转化为αFeSi+2．

关键词：铁硅化物退火温度 β-FeSi2薄膜 XRD SEM RBS

来源： cnki会议评论

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功能材料 2007年第A1期38卷 373-375页

作者：梁艳谢泉曾武贤张晋敏杨吟野肖清泉任雪勇贵州大学电子科学与信息技术学院贵州贵阳550025

采用磁控溅射的方法，在高真空条件下，沉积金属Fe到Si（100）衬底上，然后通过真空退火炉在不同温度条件下对样品进行热处理，直接形成了β-FeSi2薄膜．采用X射线衍射仪（XRD）对样品进行了晶体结构分析，利用卢瑟福背散射（RBS）对Fe... 详细信息

采用磁控溅射的方法，在高真空条件下，沉积金属Fe到Si（100）衬底上，然后通过真空退火炉在不同温度条件下对样品进行热处理，直接形成了β-FeSi2薄膜．采用X射线衍射仪（XRD）对样品进行了晶体结构分析，利用卢瑟福背散射（RBS）对Fe-Si化合物的形成过程中的Fe原子和Si原子的互扩散机理进行了研究，利用扫描电镜（SEM）对样品表面的显微结构进行表征，结果表明，在900℃条件下退火能够得到质量很好的β-FeSi2薄膜，超过这一温度β相将开始向α相转化，到1000℃，β-FeSi2全部转化为α-FeSi2。

关键词：铁硅化物退火温度 β-FeSi2薄膜 XRD SEM RBS