退火温度对磁控溅射制备的β-FeSi2薄膜的影响
作者单位：贵州大学电子科学与信息技术学院
会议名称：《第六届中国功能材料及其应用学术会议》
会议日期：2007年
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金(60566001) 教育部博士点专项科研基金(20050657003) 教育部留学回国科研基金(教外司(2005)383) 贵州省优秀青年科技人才培养计划资助项目(黔科合人:20050528) 贵州省科技厅国际合作资助项目(黔科合 G(2005)400102) 贵州省教育厅重点基金(05JJ002) 贵州省留学人员科技资助项目(黔人项目(2004)03)
关 键 词：铁硅化物 退火温度 β-FeSi2薄膜 XRD SEM RBS
摘 要：采用磁控溅射的方法,在高真空条件下,沉积金属 Fe 到 Si(100)衬底上,然后通过真空退火炉在不同温度条件下对样品进行热处理,直接形成了β-FeSi 薄膜．采用 X 射线衍射仪(XRD)对样品进行了晶体结构分析,利用卢瑟福背散射(RBS)对 Fe-Si 化合物的形成过程中的 Fe 原子和 Si 原子的互扩散机理进行了研究,利用扫描电镜(SEM)对样品表面的显微结构进行表征,结果表明,在900℃条件下退火能够得到质量很好的β-FeSi薄膜,超过这一温度β相将开始向α相转化,到1000℃,β-FeSi全部转化为αFeSi+2．