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日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 1 篇 离子注入
  • 1 篇 导电性
  • 1 篇 钕硅化物
  • 1 篇 集成电路
  • 1 篇 mevva源
  • 1 篇 离子束工艺
  • 1 篇 结晶性能
  • 1 篇 结构

机构

  • 1 篇 南昌大学
  • 1 篇 复旦大学
  • 1 篇 北京师范大学

作者

  • 1 篇 徐飞
  • 1 篇 王水凤
  • 1 篇 程国安
  • 1 篇 曾宇昕

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=钕硅化物"
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MEVVA源离子注入合成钕硅化物的研究
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南昌大学学报（理科版） 2002年 第3期26卷 259-261页
作者： 王水凤 曾宇昕 程国安 徐飞 南昌大学物理学系 江西南昌330047 南昌大学材料科学与工程系 江西南昌330047 北京师范大学低能物理所教育部射线束材料工程开放实验室 北京100875 复旦大学应用物理表面国家重点实验室 上海200433
用MEVVA离子源将稀土Nd离子注入到硅基片中 ,可以合成出性能良好的钕硅化合物。用电子显微镜和X射线衍射对样品进行了观测 ,随着退火温度的升高 ,注入层的薄层方块电阻R□ 显著下降 ,注入层形成Nd5Si4 和NdSi两种硅化钕相 ,并逐渐向NdS... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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