检索结果-南通市图书馆

固体电子学研究与进展 2009年第3期29卷 330-333,368页

作者：任春江陈堂胜焦刚钟世昌薛舫时陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的AlN介质作为绝缘层。采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够... 详细信息

报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的AlN介质作为绝缘层。采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压。在8GHz、55V的工作电压下,研制的1mm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率达到了10.4W,此时器件的功率增益和功率附加效率分别达到了6.56dB和39.2%。

关键词：场板铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管氮化铝金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管

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