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对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管二维解析模型

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物理学报 2014年第14期63卷 389-394页

作者：辛艳辉刘红侠王树龙范小娇西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 华北水利水电大学信息工程学院郑州450045

提出了对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管器件结构,为该器件结构建立了全耗尽条件下的表面势模型、表面场强和阈值电压解析模型,并分析了应变对表面势、表面场强和阈值电压的影响,讨论了三栅长度比率对阈值电压和漏致... 详细信息

提出了对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管器件结构,为该器件结构建立了全耗尽条件下的表面势模型、表面场强和阈值电压解析模型,并分析了应变对表面势、表面场强和阈值电压的影响,讨论了三栅长度比率对阈值电压和漏致势垒降低效应的影响,对该结构器件与单材料双栅结构器件的性能进行了对比研究.结果表明,该结构能进一步提高载流子的输运速率,更好地抑制漏致势垒降低效应.适当优化三材料栅的栅长比率,可以增强器件对短沟道效应和漏致势垒降低效应的抑制能力.

关键词：应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管表面势阈值电压

新型金属氧化物半导体场效应晶体管探测器在放疗剂量监控中的应用

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中华放射肿瘤学杂志 2006年第4期15卷 329-334页

作者：祁振宇邓小武黄劭敏康德华 Anatoly Rosenfeld 华南肿瘤学国家重点实验室中山大学肿瘤防治中心放疗科广州510060

目的探索和评估自行开发研制的新型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)探测器在体实时剂量测量中的应用特性。方法分别使用医科达加速器8、15MV光子线,以及6、8、12、18 MeV电子束刻度MOSFET探测器。根据探测器灵敏度随能量变化情况... 详细信息

目的探索和评估自行开发研制的新型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)探测器在体实时剂量测量中的应用特性。方法分别使用医科达加速器8、15MV光子线,以及6、8、12、18 MeV电子束刻度MOSFET探测器。根据探测器灵敏度随能量变化情况评估MOSFET探测器能量依赖性。使用8MV光子线在0～50 Gy范围内观察MOSFET探测器读数随累积剂量变化的线性情况,确定MOSFET探测器剂量测量的线性区间。将MOSFET探测器固定在圆柱形PMMA体模中央,顺时针每15°检测探测器信号响应,判断MOSFET探测器方向性。对1例乳腺癌放疗患者应用MOSFET探测器进行了全程剂量监测。在使用NE-2571指形电离室对该患者放疗计划剂量计算进行物理验证后,分别于首次治疗、每周1次治疗及最后1次治疗中应用MOSFET探测器测量患者体表吸收剂量,并将测量结果与该处计划剂量进行比较,确定乳腺癌三维放疗的总体剂量偏差。结果对8、15 MV光子线和6～18MeV电子束测量结果显示,MOSFET探测器灵敏度随能量变化的幅度＜2．5%。这表明MOSFET探测器对中高能射线具有较好的能量响应。在6 V门控电压状态下,MOSFET探测器在0～50 Gy的剂量范围内保持了较好的剂量线性,最大偏差＜3．0%。在每次测量前和测量后分别刻度MOSFET探测器并取其平均值可使其剂量线性误差控制在1%以内。该MOSFET探测器信号响应在270～90°之间呈现出各向同性,读数偏差＜1．5%。但在探测器背面(135～225°之间)的信号响应明显变小,背面与正面的读数偏差最大可达10．0%。应用于患者实时剂量监测的结果显示,实际测量剂量与计划剂量相比平均偏差2．8%,最大偏差＜5．0%,符合AAPM 13号报告对体外放疗剂量总不确定度的质量控制标准。结论该MOSFEYT探测器体积小,操作简单,对中高能辐射具有较好的能量响应和剂量线性,为治疗计划剂量验证和人体吸收剂量测量提供了一种较好的剂量工具。

关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管剂量学质量保证剂量验证

单电子晶体管-金属氧化物半导体场效应晶体管多峰值负微分电阻器件

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物理学报 2003年第7期52卷 1766-1770页

作者：张志勇王太宏中国科学院物理研究所北京100080

传统的共振隧穿二极管的多峰值负微分电阻器件的峰值数目受到限制 ,由单电子器件和传统的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)器件组成的多峰值负微分电阻器件在原理上具有无穷多个峰值 ,并且MOSFET使单电子晶体管 (SET)的峰值和谷... 详细信息

传统的共振隧穿二极管的多峰值负微分电阻器件的峰值数目受到限制 ,由单电子器件和传统的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)器件组成的多峰值负微分电阻器件在原理上具有无穷多个峰值 ,并且MOSFET使单电子晶体管 (SET)的峰值和谷值电流大小受其源漏电压的影响减小 .利用这种多峰值负微分电阻器件实现了多值存储器 ,该存储器原理上是无穷多值的 .并且利用它的折叠的I V特性 ,实现了一个 4位的FlashA D转换器 ,与传统的FlashA D转换器相比 ,SET MOSFET的A D转换器大大地简化了电路 .

关键词：单电子晶体管金属氧化物半导体场效应晶体管多峰值负微分电阻器件多值存储器模数转换器

65 nm互补金属氧化物半导体场效应和晶体管总剂量效应及损伤机制

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物理学报 2018年第14期67卷 223-229页

作者：马武英姚志斌何宝平王祖军刘敏波刘静盛江坤董观涛薛院院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西北核技术研究所西安710024

对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET和PMOSFET)开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明:PMOSFET的电离辐射响应与器件结构和偏置条件均有很强的依赖性,而NMOSFET表现... 详细信息

对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET和PMOSFET)开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明:PMOSFET的电离辐射响应与器件结构和偏置条件均有很强的依赖性,而NMOSFET表现出较强的抗总剂量性能;在累积相同总剂量时,PMOSFET的辐照损伤远大于NMOSFET.结合理论分析和数值模拟给出了PMOSFET的辐射敏感位置及辐射损伤的物理机制.

关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 ^60Coγ辐照辐射损伤数值仿真

SiC半导体不同晶面氧化机理及动力学的研究进展

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工程科学学报 2021年第5期43卷 594-602页

作者：赵春阳王恩会侯新梅北京科技大学钢铁共性技术协同创新中心北京100083

SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体,在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用.然而SiC热氧化生成SiO_(2)的过程具有各向异性,导致不同晶面上的氧化速率差异较大,这会对半导体器件的性能产生不利影响,因而研究SiC各个晶面上Si... 详细信息

SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体,在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用.然而SiC热氧化生成SiO_(2)的过程具有各向异性,导致不同晶面上的氧化速率差异较大,这会对半导体器件的性能产生不利影响,因而研究SiC各个晶面上SiO_(2)的生长规律尤其重要.建立有效合理的动力学模型是认识上述规律的有效手段.本文从反应机理和拟合准确度两方面对目前具有代表性的改进的Deal-Grove模型(Song模型和Massoud经验关系式)以及硅碳排放模型(Si−C emission model)进行系统研究和比较.在此基础上,分析已有模型的优缺点,提出本课题组建立的真实物理动力学模型应用的可能性,为SiC不同晶面氧化动力学的准确描述提供进一步优化和修正思路.

关键词： SiC 金属氧化物半导体场效应晶体管 Deal-Grove模型晶面氧化

用金属氧化物半导体场效应晶体管量子化的霍尔电阻实验测定 h/e~2

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国外计量 1981年第5期 46-47页

作者： E.Braun 陈竹年胡衍瑞

一、引言克里岑(Klitzing)最近报导了一种新的量子效应可用来测定 h/ie~2(i=1,2,…),其中 h 为普朗克常数;e 为单位电荷。产生这种效应的原理如图1所示:一个附加霍尔电极的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSF—ET)在低温下放在垂直于它... 详细信息

一、引言克里岑(Klitzing)最近报导了一种新的量子效应可用来测定 h/ie~2(i=1,2,…),其中 h 为普朗克常数;e 为单位电荷。产生这种效应的原理如图1所示:一个附加霍尔电极的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSF—ET)在低温下放在垂直于它表面的强磁场中,垂直于它表面的电场(栅极电场)对垂直于半导体氧化层界面的运动产生一系列次能

关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管霍尔电阻 MOSFET h/e~2 量子化量子论

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碳化硅MOSFET并联特性分析

电力电子技术 2022年第5期56卷 137-140页

作者：江添洋广东美的制冷设备有限公司中央研究院电力电子技术研究所上海201203

由于碳化硅器件的耐流限制,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在大功率应用领域通常需并联连接。然而,碳化硅MOSFET开关速度快,使之相比于硅基MOSFET和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)对寄生参数更加敏感,在并联连接时尤其是动态过... 详细信息

由于碳化硅器件的耐流限制,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在大功率应用领域通常需并联连接。然而,碳化硅MOSFET开关速度快,使之相比于硅基MOSFET和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)对寄生参数更加敏感,在并联连接时尤其是动态过程中实现均流也成为更大的挑战。器件并联工作中,由于不均流造成的高电流过冲和高损耗可能造成器件损坏。此处介绍了一种自建器件模型,并基于该模型进行器件并联的仿真。互感在电路分析中,通常会被忽略,通过实验和仿真的对比,论证了互感会对均流效果产生重要影响。

关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管器件模型并联互感

4H-SiC LDMOSFET沟道迁移率影响因素的研究

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电力电子技术 2022年第3期56卷 136-140页

作者：高秀秀邱乐山戴小平李诚瞻湖南国芯半导体科技有限公司湖南株洲412001 株洲中车时代半导体有限公司湖南株洲412001

为了研究4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)沟道迁移率和界面态密度的影响因素,通过在N型4H-SiC(0001)外延片上制备不同沟道长度和宽度的横向扩散MOSFET(LDMOSFET),其干氧氧化的栅极氧化层在不同温度和时间的NO和/或N2气氛中... 详细信息

为了研究4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)沟道迁移率和界面态密度的影响因素,通过在N型4H-SiC(0001)外延片上制备不同沟道长度和宽度的横向扩散MOSFET(LDMOSFET),其干氧氧化的栅极氧化层在不同温度和时间的NO和/或N2气氛中退火,测试了其输出和转移曲线,提取了有效迁移率和场效应迁移率,利用亚阈值摆幅法提取了界面态密度,并探讨了漏源电压、晶圆位置、温度对迁移率和界面态密度的影响。结果显示,LDMOSFET的沟道尺寸对沟道迁移率和界面态密度有显著的影响,增加NO的退火温度和时间可以提高沟道迁移率,1250℃40 min NO退火和1200℃70 min NO退火的LDMOSFET的常温峰值迁移率均约为45 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),沟道迁移率随测试温度的增加而增加,且高栅压下栅压比测试温度对迁移率的影响更大。

关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管界面态密度沟道迁移率

超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应

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物理学报 2016年第7期65卷 250-255页

作者：郑齐文崔江维王汉宁周航余徳昭魏莹苏丹丹中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100076 北京微电子技术研究所北京100049

对0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)及静态随机存储器(SRAM)开展了不同剂量率下的电离总剂量辐照试验研究.结果表明:在相同累积剂量,SRAM的低剂量率辐照损伤要略大于高剂量率辐照的损... 详细信息

对0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)及静态随机存储器(SRAM)开展了不同剂量率下的电离总剂量辐照试验研究.结果表明:在相同累积剂量,SRAM的低剂量率辐照损伤要略大于高剂量率辐照的损伤,并且低剂量率辐照损伤要远大于高剂量率辐照加与低剂量率辐照时间相同的室温退火后的损伤.虽然NMOSFET低剂量率辐照损伤略小于高剂量率辐照损伤,但室温退火后,高剂量率辐照损伤同样要远小于低剂量率辐照损伤.研究结果表明0.18μm CMOS工艺器件的辐射损伤不是时间相关效应.利用数值模拟的方法提出了解释CMOS器件剂量率效应的理论模型.

关键词：总剂量辐射效应超深亚微米金属氧化物半导体场效应晶体管静态随机存储器