对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管二维解析模型
Two-dimensional analytical models for the symmetrical triple-material double-gate strained Si MOSFETs作者机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 华北水利水电大学信息工程学院郑州450045
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2014年第63卷第14期
页 面：389-394页
核心收录：
学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0704[理学-天文学]
基 金：国家自然科学基金(批准号:61376099 11235008) 教育部博士点基金(批准号:20130203130002 20110203110012)资助的课题~~
主 题：应变硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 表面势 阈值电压
摘 要：提出了对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管器件结构,为该器件结构建立了全耗尽条件下的表面势模型、表面场强和阈值电压解析模型,并分析了应变对表面势、表面场强和阈值电压的影响,讨论了三栅长度比率对阈值电压和漏致势垒降低效应的影响,对该结构器件与单材料双栅结构器件的性能进行了对比研究.结果表明,该结构能进一步提高载流子的输运速率,更好地抑制漏致势垒降低效应.适当优化三材料栅的栅长比率,可以增强器件对短沟道效应和漏致势垒降低效应的抑制能力.
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