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  • 12 篇 期刊文献

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  • 12 篇 电子文献
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  • 12 篇 工学
    • 10 篇 电子科学与技术(可...
    • 6 篇 材料科学与工程(可...
    • 1 篇 信息与通信工程

主题

  • 12 篇 金属化系统
  • 2 篇 应用材料公司
  • 2 篇 集成电路
  • 2 篇 可靠性
  • 1 篇 硅微波器件
  • 1 篇 快速实现
  • 1 篇 金属薄膜
  • 1 篇
  • 1 篇 难熔金属
  • 1 篇 可靠性测试
  • 1 篇
  • 1 篇 失效模式
  • 1 篇 烫金工艺
  • 1 篇 回流加固结构
  • 1 篇 电迁移
  • 1 篇 金属硅化物
  • 1 篇 二次印刷
  • 1 篇 metal
  • 1 篇 tempo
  • 1 篇 表面处理

机构

  • 5 篇 北京工业大学
  • 1 篇 北京东方电子集团...
  • 1 篇 电子十三所
  • 1 篇 天光集成电路厂
  • 1 篇 天水天光半导体有...
  • 1 篇 河北半导体研究所

作者

  • 5 篇 程尧海
  • 4 篇 孙英华
  • 4 篇 李志国
  • 3 篇 吉元
  • 3 篇 郭伟玲
  • 2 篇 李学信
  • 2 篇 张炜
  • 1 篇 赵丽华
  • 1 篇 谢怀亮
  • 1 篇 张万荣
  • 1 篇 蒲耀川
  • 1 篇 徐学东
  • 1 篇 穆杰
  • 1 篇 黄焕琴
  • 1 篇 刘淑萍
  • 1 篇 苗城
  • 1 篇 强桂华
  • 1 篇 黄廷荣

语言

  • 12 篇 中文
检索条件"主题词=金属化系统"
12 条 记 录,以下是1-10 订阅
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利用回流效应的新型金属化系统研究
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Journal of Semiconductors 1996年 第12期17卷 914-918页
作者: 李志国 张炜 孙英华 程尧海 郭伟玲 吉元 李学信 北京工业大学电子工程系
本文研究了Al金属化系统中的回流效应,提出了一种全新三层金属化系统抗电迁徙结构,同时对新旧两种结构的金属化系统进行了各种动态应力的电迁徙实验对比,结果显示出新结构在抗电迁徙性能上的明显优越性,SEM分析对此也提供了有... 详细信息
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核辐射加固功率晶体管的金属化系统研究
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微电子学与计算机 1989年 第12期6卷 27-31页
作者: 赵丽华 黄焕琴 刘淑萍 河北半导体研究所
本文介绍了金属化系统的失效模式和选择金属化系统的基本原则。给出了铝金属化和金多层金属化的实验结果,并进行了比较,最后。在抗辐照功率晶体管中选用了PtSi—Mo—Au多层金属化系统
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回流加固结构金属化系统的可靠性测试
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半导体技术 2000年 第4期25卷 47-50页
作者: 孙英华 李志国 苗城 程尧海 张万荣 强桂华 穆杰 北京工业大学电子工程系 北京100022 北京东方电子集团东方半导体器件厂 北京100016 电子十三所 石家庄050002
结合器件具体结构和工艺,在回流效应理论和实验研究的基础上优设计了回流加固结构。建立了一套自动测试系统,对回流加固结构样管进行了电热加速应力试验,考核了不同结构的加固效果及抗热电迁徙性能,优选了最佳回流结构。
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新型Al金属化系统微波器件EB结的可靠性研究
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半导体技术 1997年 第3期13卷 28-32页
作者: 郭伟玲 李志国 孙英华 程尧海 北京工业大学电子工程系可靠性物理室
对具有Al-Si-Pd/TiN/Ti/PtSi/Si(样品A)和Al-Si-Pd/Ti/PtSi/Si(样品B)两种新型金属化结构的微波管的EB结在不同温度、相同电流条件下进行了加速寿命试验,得到其中值寿命(MTF)... 详细信息
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对硅微波功率器件金属化系统的改进
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半导体技术 1997年 第6期13卷 37-39页
作者: 郭伟玲 李志国 吉元 程尧海 孙英华 北京工业大学电子工程系可靠性物理实验室
将带有TiN、Mo和W阻挡层的Au金属化系统用在高频功率管上,对其EB结进行了高温大电流应力试验。结果表明采用TiN作阻挡层的器件寿命比用W作阻挡层的器件提高了2.2倍,比用Mo作阻挡层的器件提高了1.3倍。SEM和... 详细信息
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难熔金属物及多层难熔金属化系统研究
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半导体杂志 1992年 第4期17卷 1-9页
作者: 黄廷荣
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半导体器件中金属化系统的失效模式
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甘肃科技纵横 2006年 第6期35卷 48-48,16页
作者: 蒲耀川 天水天光半导体有限责任公司 甘肃天水741000
阐述了半导体器件中金属化系统的失效模式和机理,提出了为消除金属化系统失效模式和提高金属化系统可靠性而采取的措施。
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微电子器件金属化系统失效的电子显微分析
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电子显微学报 1990年 第3期9卷 150-150页
作者: 吉元 徐学东 张炜 程尧海 李学信 北京工业大学显微分析中心 北京工业大学半导体器可靠性物理研究室
随着微电子器件向着超高频,超高速和高集成度方向发展,电徒动引起的器件金属化系统失效问题变得日益突出。所谓电徒动是指高电流密度作用下,金属导体中发生质量输运的现象。电徒动使器件的内部金属化系统条状铝薄膜上出现小丘。晶须(... 详细信息
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应用材料公司推出全新光伏金属化系统
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太阳能 2015年 第5期 10-10页
应用材料公司领先的光伏生产解决方案一直伴随中国光伏产业的成长,在一年一度的SNEC展会上,它又会带来什么创新性产品?这的确令笔者充满期待。光伏发电实现平价上网是大家追求的理想目标,此目标的实现离不开光伏产业链各环节成本的... 详细信息
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晋能清洁能源科技有限公司采用应用材料公司的全新金属化系统,快速实现量产
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电子工业专用设备 2015年 第5期44卷 64-64页
应用材料公司日前宣布,晋能清洁能源科技有限公司(以下简称"晋能")选用其全新Tempo TM金属化系统,通过低拥有成本、高产能的解决方案实现高效电池的制造。Tempo系统旨在推进先进电池制造技术的发展,支持应用材料公司独一无二的Fine ... 详细信息
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