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文献类型

  • 1 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 1 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 1 篇 重掺直拉硅
  • 1 篇 内吸杂
  • 1 篇 氧沉淀

机构

  • 1 篇 浙江大学

作者

  • 1 篇 阙端麟
  • 1 篇 杨德仁
  • 1 篇 马向阳
  • 1 篇 余学功
  • 1 篇 杨建松

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=重掺直拉硅"
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排序:
重掺直拉硅金属Cr的内吸杂能力
收藏 引用
Journal of Semiconductors 2003年 第6期24卷 598-601页
作者: 余学功 杨德仁 马向阳 杨建松 阙端麟 浙江大学材料国家点实验室 杭州310027
研究了硼 ( HB)、砷 ( HAs)以及锑 ( HSb)直拉 ( CZ)片对金属 Cr的内吸杂能力 .将不同程度(~ 10 1 2 cm- 2 ,~ 10 1 4 cm- 2 )沾污 Cr的片在 N2 下进行常规的高 -低 -高三步退火 ,并由全反射 X射线荧光光谱( TRXF)... 详细信息
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