重掺直拉硅对重金属Cr的内吸杂能力
Inner Gettering of Heavily-Doping Silicon for Cr作者机构：浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：2003年第24卷第6期
页 面：598-601页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
基 金：国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 0 0 32 0 10 )~
摘 要：研究了重掺硼 ( HB)、重掺砷 ( HAs)以及重掺锑 ( HSb)直拉 ( CZ)硅片对重金属 Cr的内吸杂能力 .将不同程度(～ 10 1 2 cm- 2 ,～ 10 1 4 cm- 2 )沾污 Cr的硅片在 N2 下进行常规的高 -低 -高三步退火 ,并由全反射 X射线荧光光谱( TRXF)测量退火前后样品表面 Cr的含量 .结果表明在三种重掺硅中 ,HB硅片的内吸杂能力最强 ,HAs硅片次之 。
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