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文献类型

  • 2 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 2 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程（可...
    • 2 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 2 篇 选通二极管
  • 1 篇 漏泄电流
  • 1 篇 相变存储器
  • 1 篇 sio2-si3n4
  • 1 篇 存贮单元
  • 1 篇 衬底偏置
  • 1 篇 器件参数
  • 1 篇 保存时间
  • 1 篇 四氮化三硅
  • 1 篇 硅栅
  • 1 篇 fet
  • 1 篇 氮化物
  • 1 篇 数值模拟
  • 1 篇 水汽
  • 1 篇 氮化硅
  • 1 篇 绝缘层

机构

  • 1 篇 同济大学
  • 1 篇 中国科学院上海微...

作者

  • 1 篇 李宜瑾
  • 1 篇 凌云
  • 1 篇 胡天籁
  • 1 篇 宋志棠
  • 1 篇 贾晓玲
  • 1 篇 罗胜钦

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=选通二极管"
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相变存储器中选通二极管的模型与优化
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功能材料与器件学报 2010年 第6期16卷 536-541页
作者： 李宜瑾 凌云 宋志棠 贾晓玲 罗胜钦 同济大学电子与信息工程学院 上海201804 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050
设计了0.13um标准CMOS工艺下相变存储器(PCM)中选通二极管的二维工艺模型,利用数值模拟方法进行仿真,对模型中关键参数的优化,得到了一个性能优化的P+/N-/N+结构的选通二极管,此选通二极管可在1.47V电压下达到1 mA的RESET电流,并且反向... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
带有SiO2-Si3N4栅绝缘层的低漏泄电流n沟、P沟硅栅FET
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引用
微电子学与计算机 1976年 第2期 59-69页
作者： 胡天籁
用300埃SiO2-300埃Si3N4绝缘栅制造了n沟、p沟硅栅FET （场效应晶体管）。这些器件具有低的漏泄电流和适用于动态FET存贮器。由于使用了n型或p型掺杂的多晶硅场屏蔽,故才实现很低的n沟漏泄电流。单管动态存贮单元有长的平均保存时间:n... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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