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渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料

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物理学报 2006年第6期55卷 2982-2985页

作者：赵谦潘教青张靖周帆王宝军王鲁峰边静安欣赵玲娟王圩中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心北京100083

采用超低压(22mbar)选择区域生长(Selective Area Growth,SAG)金属有机化学汽相沉积(Metal-organic ChemicalVapor Deposition,MOCVD)技术成功制备了高质量InGaAsP/InGaAsP多量子阱(Multiple Quantum Well,MQW)材料.在较小的掩蔽宽度变化范围内(15—30μm),得到了46nm的光荧光(Photoluminescence,PL)波长偏移量,PL半高宽(Full-Width-at-Half-Maximum,FWHM)小于30meV.为了保证选择区域内的MQWs材料的均匀性,我们采用了新型的渐变掩蔽图形,并且运用这种新型渐变掩蔽图形,研究了渐变区域的过渡效应对材料生长的影响.我们还观察到,渐变区域的能量偏调量随着掩蔽图形宽度与渐变区域长度比值的增大而出现饱和现象.

关键词：超低压选择区域生长渐变掩蔽图形

选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料

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Journal of Semiconductors 2001年第5期22卷 609-612页

作者：刘国利王圩张佰君许国阳陈娓兮叶小玲张静媛汪孝杰朱洪亮中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心北京100083 中国科学院半导体研究所材料科学开放实验室北京100083

采用 L P- MOVPE在 Si O2 掩膜的 In P衬底上实现了高质量的 In Ga As P多量子阱 (MQW)的选择区域生长(SAG) .通过改变生长温度和生长压力 ,MQW的适用范围由 C波段扩展至 L 波段 ,即 MQW的光致发光波长从15 46 nm延展至 16 2 1nm.光致发... 详细信息

采用 L P- MOVPE在 Si O2 掩膜的 In P衬底上实现了高质量的 In Ga As P多量子阱 (MQW)的选择区域生长(SAG) .通过改变生长温度和生长压力 ,MQW的适用范围由 C波段扩展至 L 波段 ,即 MQW的光致发光波长从15 46 nm延展至 16 2 1nm.光致发光 (PL)测试表明 :在宽达 75 nm的波长范围内 ,MQW的质量与非选择生长的MQW质量相当 ,并成功制作出电吸收调制 DFB激光器 (EML) .

关键词：选择区域生长 InGaAsP 多量子阱材料半导体材料

用于10Gb/s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源

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物理学报 2006年第3期55卷 1259-1263页

作者：赵谦潘教青张靖李宝霞周帆王宝军王鲁峰边静赵玲娟王圩中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心北京100083

采用超低压(22×10~2Pa)选择区域生长(selective area growth,SAG)金属有机化学气相沉积(metal-organic chemicalvapor deposition,MOCVD)技术成功制备了应变型InGaAsP/InGaAsP电吸收调制器(electroabsorption modulator,EAM)与分布反馈激光器(distribute feedbacklaser,DFB)单片集成光源的新型光电器件.实验结果表明,采用该技术制备的集成器件表现出了良好的性能:激射阈值为19mA,出光功率接近7mW,边模抑制比(side-mode suppressionratio,SMSR)大于40dB,将该集成器件出射光耦合进普通单模光纤后进行测量,获得了16dB的消光比,器件3dB响应带宽达到了10GHz以上.将该集成器件完全封装后成功进行了10Gb/s非归零码(non-returnzero,NRZ)的传输实验:在误码率为10^(-10)的传输条件下于普通单模光纤中传输了53.3km,色散代价小于1.5dB,动态消光比大于8dB,且眼图清晰张开.

关键词：超低压选择区域生长集成光电子器件 10 Gb/s

25Gb／s单片集成电吸收调制分布反馈激光器

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光学学报 2015年第A1期35卷 209-212页

作者：周代兵边静安欣王宝军张瑞康赵玲娟吉晨王圩中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083

采用选区外延生长应变InGaAsP／InGaAsP多量子阱有源层，制备出带宽为25Gb／s的单片集成电吸收调制分布反馈激光器。激光器区和调制器区的荧光光谱波长分别为1535rim和1497nm，偏调约为38rim。利用全息技术在激光器区制备光栅，集成器... 详细信息

采用选区外延生长应变InGaAsP／InGaAsP多量子阱有源层，制备出带宽为25Gb／s的单片集成电吸收调制分布反馈激光器。激光器区和调制器区的荧光光谱波长分别为1535rim和1497nm，偏调约为38rim。利用全息技术在激光器区制备光栅，集成器件激射在1549nm波长处，器件的阈值电流为18mA，在100mA直流电流下出光功率大于10mw。器件工作在单模状态，边模抑制比大于40dB，与单模光纤耦合后测得的静态消光比为23dB，器件的3dB响应带宽为16GHz。调制器偏压为-1．7V，峰峰值电压为3．5V，在25Gb／s非归零伪随机二进制码（2^15-1）调制下测得器件的背靠背眼图清晰张开，动态消光比大于5．7dB。器件具有低成本、高带宽的特点，是下一代光纤通信网络的理想光源。

关键词：激光器分布反馈激光器电吸收调制器选择区域生长

A selective area growth double stack active layer electroabsorption modulator integrated with a distributed feedback laser

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Chinese Science Bulletin 2009年第20期54卷 3627-3632页

作者： ZHU HongLiang LIANG Song ZHAO Ling Juan KONG DuanHua ZHU NingHua WANG Wei Key Laboratory of Semiconductor Materials Institute of Semiconductor Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 China

A new method for fabricating electroabsorption modulator integrated with a distributed feedback laser(EML) was *** the method we fabricated a selective area growth double stack active layer EML(SAG-DSAL-EML).Through comparing with other fabrication methods of EMLs,the characters and the merits of the new method presented in this paper were discussed.

关键词：分布反馈激光器电吸收调制器选择区域生长有源层集成堆积 EML 制备方法