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  • 1 篇 紧束缚
  • 1 篇 逆stone-thrower-...
  • 1 篇 石墨烯纳米带

机构

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作者

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  • 1 篇 mohammad bagher ...

语言

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检索条件"主题词=逆Stone-Thrower-Wales缺陷"
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逆stone-thrower-wales缺陷和9AGNR双栅石墨烯纳米带FET的传输特性(英文)
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Journal of Central South University 2019年 第11期26卷 2943-2952页
作者: Mohammad Bagher NASROLLAHNEJAD Parviz KESHAVARZI Electrical and Computer Engineering Department Semnan University
基于缺陷的碳纳米结构工程正在成为改变石墨烯纳米带FET中电子传输性质的重要且有效的方法.本文研究了ISTW缺陷的位置和对称性对低维9NR双栅石墨烯纳米带FET(DG-GNRFET)性能的影响.分析透射光谱和态密度和电流?电压特性表明,对电子传输... 详细信息
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