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CMOS图像传感器辐射敏感参数测试电路设计及试验验证

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半导体光电 2024年第2期45卷 216-221页

作者：王祖军聂栩唐宁王兴鸿尹利元晏石兴李传洲西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应全国重点实验室西安710024 湘潭大学材料科学与工程学院湖南湘潭411105 西安高科技研究所西安710024 兰州大学核科学与技术学院兰州730000

以航天领域广泛应用的CMV4000型CMOS图像传感器(CIS)为研究对象,通过开展CIS辐射敏感参数测试电路设计,将CIS辐照电路板与测试电路板中FPGA数据采集及传输板分离,辐照电路板与测试电路板通过接插口通信,从而实现开展辐照试验时对FPGA数... 详细信息

以航天领域广泛应用的CMV4000型CMOS图像传感器(CIS)为研究对象,通过开展CIS辐射敏感参数测试电路设计,将CIS辐照电路板与测试电路板中FPGA数据采集及传输板分离,辐照电路板与测试电路板通过接插口通信,从而实现开展辐照试验时对FPGA数据采集部分进行辐射屏蔽防护,避免FPGA数据采集板受到辐射影响。开展了CIS测试电路中的电源模块、数据采集、存储模块、外围电路等设计及PCB版图的布局布线设计。采用VerilogHDL硬件描述语言对各个功能模块进行驱动时序设计,实现CIS辐射敏感参数测试功能。通过开展CMV4000型CIS ^(60)Coγ射线辐照试验,分析了平均暗信号、暗信号非均匀性、暗信号分布等辐射敏感参数随总剂量增大的退化规律,验证了CIS辐射敏感参数测试系统的可靠性。

关键词： CMOS图像传感器测试电路设计辐照试验辐照损伤效应辐射敏感参数

200℃耐辐照电机用聚酰亚胺电磁线的辐照试验研究

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大电机技术 2022年第2期 49-54页

作者：刘磊袁建东刘天才刘健王世佳彭朝晖衣大勇李楠中国原子能科学研究院反应堆工程技术研究部北京102413 生态环境部核与辐射安全中心北京100882 兰州空间技术物理研究所兰州730000

为验证200℃耐辐照电机用电磁线的辐照性能,在泳池式轻水反应堆内对电磁线进行辐照试验。将电磁线辐照样件放置在特制的辐照装置内,通过辐照装置和温控系统保证了电磁线辐照样件的环境气体氛围和环境温度;在线实时测量了电磁线样件的电... 详细信息

为验证200℃耐辐照电机用电磁线的辐照性能,在泳池式轻水反应堆内对电磁线进行辐照试验。将电磁线辐照样件放置在特制的辐照装置内,通过辐照装置和温控系统保证了电磁线辐照样件的环境气体氛围和环境温度;在线实时测量了电磁线样件的电性能,并对辐照后的电磁线辐照样件外观进行了目测。试验结束时,样件辐照所达到的总剂量为:热中子7.80×10^(18)n/cm^(2)、超热中子4.90×10^(17)n/cm^(2)、快中子9.15×10^(17)n/cm^(2)、γ射线1.56×10^(8)Gy。试验结果表明,200℃耐辐照电机用电磁线样件在达到累积辐照剂量后,其电性能均满足绝缘电阻大于50MΩ、耐电压性能良好的要求,具有良好的机械性能和耐辐照能力。

关键词：辐照试验辐照装置耐辐照电机电磁线电性能

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通信电台连续波电磁辐照试验研究

电波科学学报 2018年第2期33卷 190-194页

作者：杜海兵于永利李伟陆军工程大学石家庄校区静电与电磁防护研究所石家庄050003 陆军工程大学石家庄校区装备指挥与管理系石家庄050003

为掌握通信电台在连续波辐照下的带内干扰规律,揭示通信电台连续波带内干扰作用机理,以某型超短波通信电台为受试对象,通过搭建试验平台,利用辐照法对其进行干扰效应试验研究,进而确定在不同参数指标作用下通信电台的受干扰规律.研究结... 详细信息

为掌握通信电台在连续波辐照下的带内干扰规律,揭示通信电台连续波带内干扰作用机理,以某型超短波通信电台为受试对象,通过搭建试验平台,利用辐照法对其进行干扰效应试验研究,进而确定在不同参数指标作用下通信电台的受干扰规律.研究结果表明:该超短波电台的带内敏感频率范围为30kHz;在相同的功率模式下,电台工作于高频状态下更容易受到干扰;提高电台工作信号的功率能有效提高通信电台的抗干扰能力.

关键词：通信电台连续波干扰机理辐照试验抗干扰

高通量工程试验堆辐照试验能力和辐照试验技术

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核科学与工程 2018年第6期38卷 986-994页

作者：杨文华赵国正张亮斯俊平童明炎孙胜汪海中国核动力研究设计院四川成都610213

高通量工程试验堆(HFETR)作为我国在役运行功率最高的研究堆,是我国进行各种反应堆燃料和材料辐照性能研究的重要工具和平台。HFETR以动力堆燃料和材料的辐照研究为主,同时兼顾同位素生产等其他任务。HFETR辐照试验能力与其结构相关,包... 详细信息

高通量工程试验堆(HFETR)作为我国在役运行功率最高的研究堆,是我国进行各种反应堆燃料和材料辐照性能研究的重要工具和平台。HFETR以动力堆燃料和材料的辐照研究为主,同时兼顾同位素生产等其他任务。HFETR辐照试验能力与其结构相关,包含静态容器辐照试验、仪表化辐照试验和回路辐照试验三种辐照试验形式。HFETR具有与各种辐照试验匹配的成熟的和应用经验丰富的辐照装置设计、辐照参数控制以及复合辐照环境控制等辐照试验技术。大量的材料和燃料辐照试验结果表明,HFETR现有的辐照试验技术能够完全实现受试件的辐照指标要求,并同时确保辐照试验开展以及反应堆运行的安全。

关键词：高通量工程试验堆辐照试验辐照技术辐照装置

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碳化硅半导体材料的辐照试验及表征研究

黑龙江科学 2022年第4期13卷 38-39页

作者：朱泓达伦敦大学学院伦敦WC1H0AQ

介绍了用于碳化硅半导体材料辐照试验的装置和基本流程,分析了碳化硅半导体材料在辐照试验后的表征变化,包括离子注入量与原子平均离位损伤的关系,碳化硅表面形貌变化情况,碳化硅C-AFM测试结果分析。通过试验,对辐照剂量引起的碳化硅半... 详细信息

介绍了用于碳化硅半导体材料辐照试验的装置和基本流程,分析了碳化硅半导体材料在辐照试验后的表征变化,包括离子注入量与原子平均离位损伤的关系,碳化硅表面形貌变化情况,碳化硅C-AFM测试结果分析。通过试验,对辐照剂量引起的碳化硅半导体材料的损伤机制有了基本了解。

关键词：碳化硅材料辐照试验原子平均离位损伤 C-AFM测试

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STD双机容错系统在辐照试验中的应用

控制工程（北京） 1990年第2期 33-39页

作者：张云珠郭俊魁

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卫星用CMOS电路的辐照试验

控制工程（北京） 1989年第1期 17-25,8页

作者：薛仁经郭俊魁

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GaN功率放大器重离子辐照试验研究

GaN功率放大器重离子辐照试验研究

喷涂沉积导电氧化物/硅异质结太阳电池和紫外光辐照试验

中国核学会2019年学术年会

作者：于庆奎孙毅张洪伟梅博李晓亮吕贺王贺李鹏伟唐民王哲力文平中国空间技术研究院国防科技工业抗辐照应用技术创新中心南京电子器件研究所空间电子信息技术研究院

在加速器上对GaN功率放大器进行了重离子辐照试验。GaN功率放大器由GaN HEMT、二氧化硅MOS电容器和电感器等构成。试验离子为Si、Ti和Ge,离子的线性能量传输(LET)值分别为9.6 MeV·cm/mg、21 MeV·cm/mg和37.4 MeV·cm/mg。试验结果是,... 详细信息

在加速器上对GaN功率放大器进行了重离子辐照试验。GaN功率放大器由GaN HEMT、二氧化硅MOS电容器和电感器等构成。试验离子为Si、Ti和Ge,离子的线性能量传输(LET)值分别为9.6 MeV·cm/mg、21 MeV·cm/mg和37.4 MeV·cm/mg。试验结果是,在重离子辐照下,内部的GaN HEMT性能未出现变化,SiO MOS电容器发生了击穿失效,造成功率放大器功能失效。分析认为,在高能重离子辐照下,MOS电容器发生了单粒子介质击穿,单粒子介质击穿与入射离子LET和偏压有关。利用经验公式计算了不同入射离子LET和偏压下的单粒子介质击穿的电压,与重离子试验获得值基本吻合。研究结果表明,对于混合电路工艺制造的GaN功率放大器,除了有源器件,如GaN HEMT外,无源的SiO MOS电容器也会发生单粒子介质击穿,如果应用于空间环境,应进行单粒子效应评估。

关键词：功率放大器单粒子效应辐照试验单粒子介质击穿二氧化硅MOS电容器

来源： cnki会议评论

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太阳能学报 1985年第1期 83-88页

作者：江雪生尹万里北京市太阳能研究所

一、前言在适当条件下沉积的铟锡氧化物(ITO)是一种简并的具有低电阻率的n型半导体,它在可见光区具有较高的透过率,除了作为透明导电膜外,还可以作为太阳电池的异质结材料。 J.Dubow等人和J.Shewchun用离子束溅射沉积在p型单晶硅上制备... 详细信息

一、前言在适当条件下沉积的铟锡氧化物(ITO)是一种简并的具有低电阻率的n型半导体,它在可见光区具有较高的透过率,除了作为透明导电膜外,还可以作为太阳电池的异质结材料。 J.Dubow等人和J.Shewchun用离子束溅射沉积在p型单晶硅上制备的ITO/Si异质结

关键词：异质结太阳电池 ITO 异质结电池导电氧化物电池效率辐照试验