喷涂沉积导电氧化物/硅异质结太阳电池和紫外光辐照试验
作者机构：北京市太阳能研究所
出 版 物：《太阳能学报》 (Acta Energiae Solaris Sinica)
年 卷 期：1985年第1期
页 面：83-88页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：异质结太阳电池 ITO 异质结电池 导电氧化物 电池效率 辐照试验
摘 要：一、前言 在适当条件下沉积的铟锡氧化物(ITO)是一种简并的具有低电阻率的n型半导体,它在可见光区具有较高的透过率,除了作为透明导电膜外,还可以作为太阳电池的异质结材料。 ***等人和***用离子束溅射沉积在p型单晶硅上制备的ITO/Si异质结
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