检索结果-南通市图书馆

福州大学学报（自然科学版） 2007年第S1期35卷 1-3页

作者：黄春晖福州大学物理与信息工程学院福建福州350002

以态密度为基础,通过计算系统增加一个电子时,产生的系统能量ΔE变化,以及把BN纳米管看成一个电容入载流子时的库伦效应,得到库伦排斥能,分析库伦排斥对电子输运的影响,研究BN纳米管注入电子的过程.

关键词： BN纳米管库仑效应载流子注入电子能态

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载流子注入与半导体制冷

制冷学报 1996年第3期 53-57页

作者：杨玉顺崔国民王滨哈尔滨工业大学

本文着重讨论了载流子注入半导体制冷的关系，并且对其制冷性能进行了比较分析。

关键词：半导体制冷载流子注入温度特性

聚合物电致发光器件载流子注入及输运特性分析

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聚合物电致发光器件载流子注入及输运特性分析

作者：王军培浙江大学

学位级别：硕士

聚合物电致发光器件(PLED)属于有机发光器件的一类，它采用有机聚合物作为器件发光层，聚合物膜材料因具有机械性能好、热稳定性高、成膜方法简便以及特别适合于制备大面积器件等特点，使得人们对于PLED器件的研究产生了浓厚的兴趣，现... 详细信息

聚合物电致发光器件(PLED)属于有机发光器件的一类，它采用有机聚合物作为器件发光层，聚合物膜材料因具有机械性能好、热稳定性高、成膜方法简便以及特别适合于制备大面积器件等特点，使得人们对于PLED器件的研究产生了浓厚的兴趣，现在已经成为新一代平板显示技术的研究领域之一。聚合物发光器件载流子注入过程是器件的一个基本物理过程，它对器件的许多重要性能都有重要的影响，为了提高电子的注入，经常在聚合物发光器件阴极与有机发光层之间插入一层介质修饰层，为了解阴极修饰层厚度变化时阴极电子的注入特性，本文制作了以MEH-PPV为有机发光层的聚合物电致发光器件，阴极修饰材料用LiF，当只改变LiF厚度时，一定电压下，器件的电流值随之先增大，而后又减小，这说明LiF在作为阴极修饰层时，存在一个最优厚度，这时电子注入势垒较低。聚合物电致发光器件阴极修饰材料有多种，为了比较不同阴极修饰材料之间的差异，我们研究了几种具有不同阴极修饰层(ZnS、BaO、MgF)的聚合物发光器件，这些阴极修饰材料具有不同的介电常数，通过测试和相关理论分析，相同修饰层厚度下，具有较低介电常数的阴极修饰材料修饰效果较好。在电致发光器件的聚合物薄膜状态下，聚合物多处于无定型状态，同时由于聚合物在合成过程中带来的杂质，使薄膜内部形成很多细小的杂质和缺陷，这些细小的杂质和缺陷会成为一个局部的载流子陷阱，这些陷阱的存在对聚合物发光器件的多种性能都会产生影响，根据有关计算模型，对几种不同的聚合物发光器件进行了测试和计算，结果表明有机层本身的变化(材料变化，厚度变化等)对载流子陷阱浓度的变化影响较大，而阴极修饰层本身对器件载流子陷阱影响不大。

关键词：聚合物电致发光器件阴极修饰载流子注入载流子陷阱

提高Ⅲ族氮化物深紫外发光二极管中载流子注入的相关途径的研究

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提高Ⅲ族氮化物深紫外发光二极管中载流子注入的相关途径的研究

作者：方梦倩河北工业大学

学位级别：硕士

Al Ga N基深紫外发光二极管(DUV LED)拥有环保、安全、高效和低功耗等特点,在众多领域均具有独特的优势,包括杀菌消毒、水和空气的净化、食品安全、医学治疗和紫外通信等。另外,由于紫外线可以破坏细菌的基因链,使其无法复制再生,同时... 详细信息

Al Ga N基深紫外发光二极管(DUV LED)拥有环保、安全、高效和低功耗等特点,在众多领域均具有独特的优势,包括杀菌消毒、水和空气的净化、食品安全、医学治疗和紫外通信等。另外,由于紫外线可以破坏细菌的基因链,使其无法复制再生,同时在杀菌过程中不受温度等外界条件的影响,因此在杀菌消毒领域起到了重要作用。近年来,III族氮化物LED得到广泛关注和探索。而且,Ga N基蓝光LED的技术发展变得越来越成熟。但相比之下,DUV LED的光输出功率和量子效率却仍偏低,且存在明显的量子效率衰退现象。诸多因素引发上述器件问题,例如:有源区中的量子限制斯塔克效应(QCSE)。具体是指,量子阱与量子垒材料的晶格常数不同引起层界面处极化电荷的产生,电荷相互作用以形成极化电场,导致严重的能带弯曲,电子-空穴空间分离,最终削弱电子-空穴辐射复合发光的几率。除此之外,晶体质量存在缺陷导致载流子的非辐射复合,以及载流子注入有源区的效率偏低,有源区中载流子的不均匀分布等现象亦会影响器件的光电性能。于是,研究人员通过对器件结构中的电子注入层,空穴注入层,多量子阱结构,p-型电子阻挡层的设计和改良来改善上述问题。这些创新结构的提出为增强器件的发光性能提供了理论基础和重要思路。在本文中,具体通过提高载流子注入来改善III族氮化物LED的光学特性。对电子注入源层和空穴注入源层进行设计研究,进一步深入地讨论对载流子注入效率方面的影响。由于电子具有迁移率较高,有效质量较小的物理性质,因此注入到有源区中的电子很容易溢出。我们首先提出了改变Al Ga N基DUV LED的电子注入源层中的Si掺杂浓度,进而讨论其对于电场的影响。电场在电子进入有源区之前对其做更多的负功,增强电子减速效应,因此提高多量子阱局限电子的能力和电子浓度分布,缓解电子泄漏问题。然而,过高的Si掺杂浓度一定程度上会有碍于空穴输运。因此,我们对DUV LED器件的电子掺杂浓度进行具体的优化并通过理论分析研究其对载流子注入方面的影响。相较电子来说,较低的空穴迁移率和较大的空穴有效质量导致空穴注入效率偏低。同时,空穴注入效率也是影响器件光电特性的一个主要原因。在这里,我们通过调节DUV LED的空穴注入源层中的Mg掺杂浓度来调节电场,空穴在电场的作用下加速,从而提高注入到有源区中的空穴浓度。同时我们将不同Al组分的p-Al Ga N层插入到p-型电子阻挡层与p-Ga N层之间,讨论器件插入层的阶数和对应阶数下的Mg掺杂浓度。具体而言,适当地降低高阶器件中的Mg掺杂浓度会提高空穴注入效率,这是因为形成的电场会增加空穴的漂移速度,有助于更多的空穴通过p-型电子阻挡层进入至有源区,进而与电子发生辐射复合,最终提高器件的光输出功率。

关键词： AlGaN基发光二极管载流子注入掺杂浓度电场漂移速度光输出功率

载流子注入全内反射型GaAs/GaAlAs光波导开关

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Journal of Semiconductors 1993年第1期14卷 1-5页

作者：庄婉如林雯华杨培生李任石志文赵一兵孙富荣高俊华刘涛中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室北京100083

研制出利用载流子注入能带填充效应制成的全内反射型(CI-TIR)GaAs/GaAlAs光波导开关。开关工作波长为0.87μm,工作电流70mA,消光比14dB,串话-13dB。该开关具有尺寸小,与偏振无关,无阻塞,易集成的优点。

关键词：光波导光波导开关载流子注入

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热载流子注入对器件性能影响及其改善措施

电子器件 1988年第4期 38-45页

作者：张安康

当载流子在大于10;V·cm;的电场下运动时,它从电场获得的能量大于散射过程中与晶格原子碰撞损失的能量,因而载流子的温度将会超过晶格温度.这样的载流子就称为热载流子.在VLSIC中,为了达到高速度和高集成度,设计时必须采用一系列的折衷... 详细信息

当载流子在大于10;V·cm;的电场下运动时,它从电场获得的能量大于散射过程中与晶格原子碰撞损失的能量,因而载流子的温度将会超过晶格温度.这样的载流子就称为热载流子.在VLSIC中,为了达到高速度和高集成度,设计时必须采用一系列的折衷方案.为了避免短沟道效应,增加了体掺杂浓度,以使较小的沟道长度的器件保证质量,获得小的亚阈值泄漏电流.由于驱动电流的降低,栅氧化层厚度也按比例缩小.减小沟道长度、减薄氧化层厚度以及相应增加了体掺杂浓度,这些综合结果有助于产生和注入热载流子.一旦晶体管表面反

关键词：热载流子效应电场电磁场栅氧化层器件性能多晶硅栅载流子注入阈电压热电子注入短沟道效应空穴注入沟道长度 MOSFET 平带电压衬底电流

缺陷对InGaN/GaN蓝光发光二极管载流子注入的影响

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河北工业大学学报 2020年第6期49卷 11-16页

作者：贾惠玲楚春双张紫辉河北工业大学电子信息工程学院天津300401 天津市电子材料与器件重点实验室天津300401

缺陷引起的非辐射复合会造成InGaN/GaN蓝光发光二极管(LED)的光功率和外量子效率(EQE)降低,为了揭示其背后的物理原因,本文研究了Shockley-Read-Hall(SRH)复合相关的电子和空穴在多量子阱(MQWs)区域的复合过程,以及缺陷对于载流子注入... 详细信息

缺陷引起的非辐射复合会造成InGaN/GaN蓝光发光二极管(LED)的光功率和外量子效率(EQE)降低,为了揭示其背后的物理原因,本文研究了Shockley-Read-Hall(SRH)复合相关的电子和空穴在多量子阱(MQWs)区域的复合过程,以及缺陷对于载流子注入效率的影响。研究结果表明载流子的注入效率非常容易受到LED中缺陷的影响,尤其是在LED结构的p-GaN层和n-GaN层中。这将导致载流子被LED中的缺陷捕获,从而以非辐射复合的形式被大量消耗。最终,大大降低了载流子注入到多量子阱区域的效率,也正是由于这个原因导致了LED的外量子效率随之下降。此外,还研究了缺陷对漏电流的影响,研究结果表明缺陷可以作为LED的分流电阻,形成一个漏电通道,从而引起漏电流的产生。

关键词：发光二极管缺陷载流子注入载流子复合

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有机电致发光器件载流子注入效率的研究

半导体光电 1999年第6期20卷 409-412,415页

作者：王丽辉徐征孙力陈小红北方交通大学光电子技术研究所北京100044

文章从电极材料、结构、处理方法等角度出发，详细介绍了提高有机电致发光（ＥＬ）器件载流子注入效率的研究现状。

关键词：有机电致发光器件载流子注入阴极阳极

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有机LED的界面与载流子注入

液晶与显示 1998年第3期13卷 203-207页

作者：李文连中国科学院长春物理研究所

介绍了有机电致发光器件中金属／有机界面和有机／有机界面与载流子注入的关系。

关键词：界面有机LED 载流子注入 EL能带图金属/有机界面有机/有机界面

漏雪崩应力下热载流子注入引起的MOSFET退变特性研究

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Journal of Semiconductors 1993年第12期14卷 723-727页

作者：程玉华李瑞伟李志坚清华大学微电子学研究所

本文对亚微米MOSFET在漏雪崩恒流应力(DAS)条件下热载流子注入引起的退变现象做了实验研究。实验结果表明:在一般的恒流应力条件下,栅氧化层中由空穴注入形成的空穴陷阱电荷对器件特性起主要影响作用。恒流应力过程中,任何附加的电子注... 详细信息

本文对亚微米MOSFET在漏雪崩恒流应力(DAS)条件下热载流子注入引起的退变现象做了实验研究。实验结果表明:在一般的恒流应力条件下,栅氧化层中由空穴注入形成的空穴陷阱电荷对器件特性起主要影响作用。恒流应力过程中,任何附加的电子注入都可使器件退变特性发生明显变化,实验结果还证实,漏雪崩应力期间形成的空穴陷阱电荷可明显降低器件栅氧化层的介质击穿特性。

关键词：场效应晶体管雪崩载流子注入