载流子注入全内反射型GaAs/GaAlAs光波导开关
Carrier-Injected GaAs/GaAlAs Total Internal Reflection Optical Switch作者机构：中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室北京100083
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：1993年第14卷第1期
页 面：1-5页
核心收录：
摘 要：研制出利用载流子注入能带填充效应制成的全内反射型(CI-TIR)GaAs/GaAlAs光波导开关。开关工作波长为0.87μm,工作电流70mA,消光比14dB,串话-13dB。该开关具有尺寸小,与偏振无关,无阻塞,易集成的优点。
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