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迁移率对单层有机发光器件中电场与载流子分布的影响

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发光学报 2008年第6期29卷 962-966页

作者：袁建挺彭应全杨青森邢宏伟李训栓兰州大学物理科学与技术学院甘肃兰州730000

有机发光器件的宏观特性与有机层中的电场和载流子浓度分布密切相关。建立的有机电致发光器件模型是由两个金属电极中间夹一层有机发光薄膜材料组成的单层器件,金属与有机发光层之间为欧姆接触。模型以载流子运动的扩散-漂移理论为基础... 详细信息

有机发光器件的宏观特性与有机层中的电场和载流子浓度分布密切相关。建立的有机电致发光器件模型是由两个金属电极中间夹一层有机发光薄膜材料组成的单层器件,金属与有机发光层之间为欧姆接触。模型以载流子运动的扩散-漂移理论为基础,利用数值方法研究了有机发光层中双极载流子注入时的电势、电场、载流子浓度和复合密度分布。分析结果表明:当两种载流子的迁移率相同时,电场强度、载流子浓度、复合密度的分布呈对称形式。而当电子和空穴的迁移率μn和μp相差比较大时,高迁移率的载流子不仅仅分布在注入端附近而且还有一小部分能够传输到另一端,而低迁移率的载流子只分布在其注入端附近;当μn、μp的大小相差不大时,载流子传输情况就介于两者之间。当μn/μp的比值变化时,电场强度的极大值向载流子迁移率小的注入端偏移。

关键词：有机电致发光迁移率载流子分布数值计算

多能MeV硼离子注入单晶硅形成特殊形状载流子分布

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Journal of Semiconductors 1995年第10期16卷 772-778页

作者：康一秀赵渭江王宇钢张利春虞福春北京大学重离子物理研究所北京大学微电子学研究所

以在Ｎ型单晶硅表面１．３μｍ内实现理想平台状Ｐ型载流于分布为例，我们实验研究了多能离子注入形成特殊形状载流子分布的Ｐｅａｒｓｏｎ函数拟合叠加的计算机设计方法．首先，用扩展电阻法（ＳＲＰ）测量高温快速热退火（ＲＴＡ）后... 详细信息

以在Ｎ型单晶硅表面１．３μｍ内实现理想平台状Ｐ型载流于分布为例，我们实验研究了多能离子注入形成特殊形状载流子分布的Ｐｅａｒｓｏｎ函数拟合叠加的计算机设计方法．首先，用扩展电阻法（ＳＲＰ）测量高温快速热退火（ＲＴＡ）后的载流子分布，对０．５—２．４ＭｅＶ能量范围内单能硼离子注入单晶硅的研究表明，Ｐｅａｒｓｏｎ函数分布比半高斯函数分布更好地符合实验所测的载流子分布．给出了投影射程凡、射程歧离σ、偏斜度γ和峭度β对能量的依赖关系．还由双能离于注入研究了注入顺序对分布的峰位和峰高的影响及两个单能分布线性叠加的条件．文中给出的接器件要求设计平台分布的离子束参数，与实验结果符合很好．

关键词：高能离子注入硼单晶硅载流子分布

As^+沟道注入硅(100)的损伤、二次缺陷及载流子分布特征

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Journal of Semiconductors 1991年第2期12卷 87-92页

作者：张伯旭罗晏王忠烈机电部第十三研究所北京师范大学低能核物理研究所北京100875

本文利用沟道背散射分析技术、剖面透射电子显微镜(XTEM)等对150keV As^+沿〈100〉沟道方向注入硅的基本特征和临界条件进行了分析测试.剂量达到1×10^(14)/cm^2时,浅注入区(0-0.2μm)晶格损伤严重,导致沟道注入效应基本消失.沟道深注入... 详细信息

本文利用沟道背散射分析技术、剖面透射电子显微镜(XTEM)等对150keV As^+沿〈100〉沟道方向注入硅的基本特征和临界条件进行了分析测试.剂量达到1×10^(14)/cm^2时,浅注入区(0-0.2μm)晶格损伤严重,导致沟道注入效应基本消失.沟道深注入区(0.2-0.6μm)形成均匀的轻度损伤.常规退火后,沟道深注入区内的载流子浓度一般不超过2×10^(17)/cm^3,本文称之为沟道注入饱和浓度.还发现沟道注入造成的非晶层比相同剂量下随机注入造成的非晶层略厚一些.退火后残留的二次缺陷仍在原重损伤层与衬底之间的过渡区.

关键词：沟道注入硅二次缺陷载流子分布

掺Cr半绝缘GaAs中Si离子注入的载流子分布尾研究

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物理学报 1985年第3期 402-407页

作者：王渭源夏冠群卢建国邵永富乔墉中国科学院上海冶金研究所

本文研究了掺Cr半绝缘GaAs中28Si+注入后的载流子浓度分布尾,包括退火温度和时间的影响。应用计算机模拟了分布尾对GaAs MESFET器件输出特性的影响,与实测结果符合,表明分布尾会造成器件输出特性异常。讨论了产生分布尾的原因,认为与G... 详细信息

本文研究了掺Cr半绝缘GaAs中28Si+注入后的载流子浓度分布尾,包括退火温度和时间的影响。应用计算机模拟了分布尾对GaAs MESFET器件输出特性的影响,与实测结果符合,表明分布尾会造成器件输出特性异常。讨论了产生分布尾的原因,认为与GaAs衬底中残留Si等浅施主杂质和高温退火时Cr再分布有关。

关键词：载流子分布 GaAs 半绝缘输出特性离子注入离子掺杂 Cr Si

消除载流子分布的不均匀性的影响准确测量深中心俘获载流子的截面

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物理学报 1984年第4期 486-495页

作者：陈开茅秦国刚王忠安金泗轩北京大学物理系

Zylbersztejn指出在空间电荷区边界层中,由于势垒的存在而引起的载流子分布的不均匀性,对测量深中心对载流子的俘获截面的不良影响,并且提出一种消除这种影响的方法。可惜的是,他的方法只适用于在能级相当深的情况下,测量低温时载流子... 详细信息

Zylbersztejn指出在空间电荷区边界层中,由于势垒的存在而引起的载流子分布的不均匀性,对测量深中心对载流子的俘获截面的不良影响,并且提出一种消除这种影响的方法。可惜的是,他的方法只适用于在能级相当深的情况下,测量低温时载流子的俘获截面。本文在详细分析结电容瞬态动力过程的基础上,提出一种消除载流子分布不均匀(包括边界层中载流子分布不均匀和体内浅施主或浅受主浓度不均匀)的影响,准确测量俘获截面的方法,不受测量温度及样品中的能级情况的严重限制。这对于研究俘获截面与温度的关系以及进而研究俘获动力学机制是很关键的。以硅中的金受主中心为例,应用这种方法进行了测量,结果表明,消除载流子不均匀分布的影响后,确实提高了测量俘获截面的准确性。

关键词：俘获截面费密能深能级电子能态载流子分布空间电荷区不均匀性准确测量

用“平均电导”求硅中硼离子注入层的载流子分布

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微电子学 1975年第Z1期 1-9页

作者：离子束组

本文在LC—1离子注入机的实验条件下(30SS～80Kev),测量了B~+沿紊乱方向入射单晶靶的平均投影射程RP和标准偏差(?)RP的实验值,并通过对LSS理论和测量数据的分析,提出了借用厄尔文“硅中P型高斯分布扩散层的平均电导”曲线,求Si中B~+注... 详细信息

本文在LC—1离子注入机的实验条件下(30SS～80Kev),测量了B~+沿紊乱方向入射单晶靶的平均投影射程RP和标准偏差(?)RP的实验值,并通过对LSS理论和测量数据的分析,提出了借用厄尔文“硅中P型高斯分布扩散层的平均电导”曲线,求Si中B~+注入层的载流子分布的方法。实验结果表明:其近似程度比LSS理论高,而且方法简单;既便于选择注入条件,又便于器件工艺分析。

关键词：载流子分布 LSS 厄尔薄层电阻扩散层表面层离子注入工艺高斯分布正态分布平均

有机电致发光器件发光层中电场与载流子浓度分布的数值研究

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Journal of Semiconductors 2003年第3期24卷 274-278页

作者：彭应全张福甲李海蓉宋长安兰州大学物理科学与技术学院兰州730000

以陷阱电荷限制传导理论为基础 ,用数值方法研究了单层有机电致发光器件发光层中电势、电场和载流子密度的空间分布 .分析结果表明 ,电场强度在靠近两边电极的地方上升很快 ,而在中间区域几乎是线性地缓慢增大 .大部分载流子分布在靠近... 详细信息

以陷阱电荷限制传导理论为基础 ,用数值方法研究了单层有机电致发光器件发光层中电势、电场和载流子密度的空间分布 .分析结果表明 ,电场强度在靠近两边电极的地方上升很快 ,而在中间区域几乎是线性地缓慢增大 .大部分载流子分布在靠近两个电极的地方 ,只有少量分布在中间区域 .在靠近注入电极的地方扩散电流大于漂移电流 ,而在其它区域漂移电流大于扩散电流 .

关键词：发光层有机电致发光电场分布载流子分布数值研究

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红外波长上转换器件中载流子阻挡结构的研究

物理学报 2015年第17期64卷 398-405页

作者：康健彬郝智彪王磊刘志林罗毅汪莱王健熊兵孙长征韩彦军李洪涛王禄王文新陈弘清华信息科学与技术国家实验室清华大学电子工程系北京100084 中国科学院物理研究所北京100190

复杂半导体材料结构中的载流子分布特性对器件性能有重要影响.本文针对一种新型的波长上转换红外探测器,研究了载流子阻挡结构对载流子分布和器件特性的影响.论文通过自洽求解薛定谔方程、泊松方程、电流连续性方程和载流子速率方程分... 详细信息

复杂半导体材料结构中的载流子分布特性对器件性能有重要影响.本文针对一种新型的波长上转换红外探测器,研究了载流子阻挡结构对载流子分布和器件特性的影响.论文通过自洽求解薛定谔方程、泊松方程、电流连续性方程和载流子速率方程分析了不同器件结构中的空穴分布.同时,生长了相应结构的外延材料,并通过电致荧光谱分析了载流子阻挡结构对器件特性的影响.结果表明,2 nm厚的AlAs势垒层既能有效阻挡空穴又不影响电子输运,有利于制作波长上转换红外探测器.此外,论文分析了阻挡势垒层的厚度和高度以及工作温度对载流子分布的影响.本文研究结果亦可应用于其他载流子非均匀分布的半导体器件.

关键词：波长上转换载流子分布阻挡结构电致荧光

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SiGe HBT势垒电容模型

物理学报 2004年第9期53卷 3239-3244页

作者：吕懿张鹤鸣戴显英胡辉勇舒斌西安电子科技大学微电子所西安710071

在考虑SiGeHBT的势垒电容时 ,通常的耗尽层近似不再适用 ,应考虑可动载流子的影响 .在分析研究SiGeHBT载流子输运的基础上 ,建立了考虑发射结势垒区内载流子分布的发射结势垒电容模型和不同电流密度下包括基区扩展效应的集电结势垒电容... 详细信息

在考虑SiGeHBT的势垒电容时 ,通常的耗尽层近似不再适用 ,应考虑可动载流子的影响 .在分析研究SiGeHBT载流子输运的基础上 ,建立了考虑发射结势垒区内载流子分布的发射结势垒电容模型和不同电流密度下包括基区扩展效应的集电结势垒电容模型 .将以上势垒电容模型应用于SiGeHBT频率特性模拟。

关键词： SiGe HBT 势垒电容微分电容载流子分布电流密度异质结双极晶体管