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超深亚微米SOI NMOSFET中子辐照效应数值模拟

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原子能科学技术 2011年第4期45卷 456-460页

作者：胡志良贺朝会张国和郭达禧西安交通大学能源与动力工程学院陕西西安710049

考虑3种特征尺寸的超深亚微米SOI NMOSFET的中子辐照效应。分析了中子位移辐照损伤机理,数值模拟了3种器件输出特性曲线随能量为1MeV的等效中子在不同辐照注量下的变化关系及中子辐照环境下器件工艺参数对超深亚微米SOI NMOSFET的影响... 详细信息

考虑3种特征尺寸的超深亚微米SOI NMOSFET的中子辐照效应。分析了中子位移辐照损伤机理,数值模拟了3种器件输出特性曲线随能量为1MeV的等效中子在不同辐照注量下的变化关系及中子辐照环境下器件工艺参数对超深亚微米SOI NMOSFET的影响。数值模拟部分结果与反应堆中子辐照实验结果一致。

关键词：中子辐照超深亚微米 SOI NMOSFET 数值模拟

超深亚微米工艺下基于热量分区的SoC热感知测试调度方法

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计算机应用研究 2015年第12期32卷 3682-3684,3696页

作者：焦铬李浪刘辉邹祎衡阳师范学院计算机科学与技术学院湖南衡阳421002

在超深亚微米时代,功耗不但直接影响芯片的封装测试成本,而且过高的功耗将导致芯片热量的增加,影响着芯片的可靠性,为了保证芯片测试的热安全,基于热感知的测试调度方法越来越受到重视。综合考虑超深亚微米工艺下,漏电功耗、空闲芯核唤... 详细信息

在超深亚微米时代,功耗不但直接影响芯片的封装测试成本,而且过高的功耗将导致芯片热量的增加,影响着芯片的可靠性,为了保证芯片测试的热安全,基于热感知的测试调度方法越来越受到重视。综合考虑超深亚微米工艺下,漏电功耗、空闲芯核唤醒功耗、分区开销和热量等约束条件对So C芯片测试的影响,利用叠加原理迅速而准确地计算功耗和热量分布,提出了一种基于热量分区的热感知测试调度方法,避免出现芯片局部过热的现象。在ITC’02基准电路上的实验结果表明,该方法在保证芯片热安全的同时,能有效地减少测试时间。

关键词：超深亚微米片上系统热量分区热感知测试调度

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超深亚微米高速互连的信号串扰研究

固体电子学研究与进展 2006年第4期26卷 540-544,559页

作者：史江一马晓华郝跃方建平朱志炜西安电子科技大学微电子学院西安710071

探讨了超深亚微米设计中的高速互连线串扰产生机制,提出了一种描述高速互连串扰的电容、电感耦合模型,通过频域变换方法对模型的有效性进行了理论分析。针对0.18μm工艺条件提出了该模型的测试结构,进行了流片和测量。实测结果表明,该... 详细信息

探讨了超深亚微米设计中的高速互连线串扰产生机制,提出了一种描述高速互连串扰的电容、电感耦合模型,通过频域变换方法对模型的有效性进行了理论分析。针对0.18μm工艺条件提出了该模型的测试结构,进行了流片和测量。实测结果表明,该模型能够较好地表征超深亚微米电路的高速互连串扰效应,能够定量计算片上互连线间的耦合串扰,给出不同工艺的互连线长度的优化值。

关键词：串扰互连超深亚微米信号完整性

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超深亚微米物理设计中天线效应的消除

半导体技术 2012年第6期37卷 429-432页

作者：张智胜吴秀龙安徽大学微纳电子器件与集成电路设计省级实验室合肥230601

分析了超深亚微米物理设计中天线效应的产生机理以及基于超深亚微米工艺阐述了计算天线比率的具体方法。同时,根据天线效应的产生机理并结合时钟树综合提出了消除天线效应的新方法。此方法通过设置合理的约束进行时钟树综合,使得天线效... 详细信息

分析了超深亚微米物理设计中天线效应的产生机理以及基于超深亚微米工艺阐述了计算天线比率的具体方法。同时,根据天线效应的产生机理并结合时钟树综合提出了消除天线效应的新方法。此方法通过设置合理的约束进行时钟树综合,使得天线效应对时钟延时和时钟偏斜的影响降到最低,从而对芯片时序的影响降到最低。最后结合一款芯片的物理设计,该设计采用台积电(TSMC)65 nm低功耗(LP)工艺,在布局布线中运用所述的方法进行时钟树综合并且使得时钟网络布线具有最大的优先权。此方法有效地消除了设计中存在的天线效应,并且使得天线效应对时钟树的影响降到最低以及对时序的影响降到最小。

关键词：超深亚微米天线效应时钟树综合时序布局布线

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超深亚微米器件单粒子翻转率计算方法研究

超深亚微米器件单粒子翻转率计算方法研究

作者：邵隆西安电子科技大学

学位级别：硕士

半导体器件在空间辐射环境中发生的单粒子翻转效应严重影响航天器的在轨任务。随着我国航天事业的快速发展，越来越多的先进器件用于空间环境，使得单粒子翻转对航天器可靠性影响日益严重。研究适用于先进器件的单粒子翻转率计算方法，... 详细信息

半导体器件在空间辐射环境中发生的单粒子翻转效应严重影响航天器的在轨任务。随着我国航天事业的快速发展，越来越多的先进器件用于空间环境，使得单粒子翻转对航天器可靠性影响日益严重。研究适用于先进器件的单粒子翻转率计算方法，并将其用于在轨预计，对准确选用器件，提高我国航天器的可靠性和寿命有着重要的意义。本文首先介绍了空间辐射环境、单粒子翻转机理和器件翻转截面。其次重点论述了超深亚微米器件的电荷共享和多位翻转效应，提出了基于积分、基于截面数据FOM和基于器件参数FOM的单粒子翻转率计算方法，并利用matlab对三种方法进行编程。然后选取了四个关键技术节点先进CMOS体硅静态存储器相关数据，计算了各自单粒子翻转率，同时计算了130nm器件的多位翻转率。随后以普适性的基于积分的方法为标准，验证并讨论了两种FOM方法在超深亚微米尺度的适用性，此外，对器件单粒子翻转率随特征工艺尺寸的变化趋势和130nm器件的多位翻转率进行了分析。最后，设计了将三种单粒子翻转率计算方法用于在轨预计的应用方案。

关键词：单粒子翻转率超深亚微米静态存储器在轨预计

超深亚微米MOS器件单粒子翻转截面计算方法研究

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超深亚微米MOS器件单粒子翻转截面计算方法研究

作者：刘肇卿西安电子科技大学

学位级别：硕士

超深亚微米器件具有特征尺寸小、体积小、集成度高、功能强等特点。为了满足现代航天器性能不断提高的要求，需采用超深亚微米器件。而这些新型元器件在空间应用过程中，受到空间辐射环境影响一旦发生失效，将会对系统和航天器产生重大... 详细信息

超深亚微米器件具有特征尺寸小、体积小、集成度高、功能强等特点。为了满足现代航天器性能不断提高的要求，需采用超深亚微米器件。而这些新型元器件在空间应用过程中，受到空间辐射环境影响一旦发生失效，将会对系统和航天器产生重大的影响。因此，为了保障太空中航天器安全可靠的飞行，新型元器件在选用时必须考虑其抗单粒子辐射性能，进行器件单粒子效应的在轨预计，预计其在轨单粒子翻转率。为进行超深亚微米器件单粒子翻转率的在轨预计，迫切需要计算超深亚微米器件的单粒子翻转截面。由于深亚微米尺度下计算单粒子翻转截面的方法，如重离子点值截面模型算法、质子Bendel两参数截面模型算法等，都是建立在RPP模型的基础上，无法适用于超深亚微米器件单粒子翻转截面的计算。要进行超深亚微米器件单粒子翻转截面的计算，需建立包括电荷共享效应的器件几何模型与电荷收集模型。本文针对超深亚微米MOS器件单粒子翻转截面的计算方法进行研究，完成的主要工作如下： 1、在研究超深亚微米器件单粒子新效应物理机理及多体积概念的基础上，建立用于翻转截面计算的超深亚微米器件单粒子效应器件模型及考虑电荷共享的电荷收集模型。 2、基于模型，建立了包括电荷共享和多位翻转在内的超深亚微米器件单粒子翻转截面的计算方法。 3、模拟研究粒子入射漏区时相邻敏感单元间的电荷共享及粒子入射漏区周围时相邻敏感单元间的电荷共享，从而判断粒子入射是否导致单粒子翻转及多位翻转。同时，模拟仿真粒子在敏感节点内产生的能量沉积，计算单粒子翻转截面，验证了计算方法的正确性。 4、研究超深亚微米器件单粒子单位翻转截面和多位翻转截面之间的关系。

关键词：超深亚微米单粒子效应多位翻转翻转截面

超深亚微米器件单粒子辐射新效应的物理机理研究

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超深亚微米器件单粒子辐射新效应的物理机理研究

作者：刘菁西安电子科技大学

学位级别：硕士

随着半导体工艺的发展，器件特征尺寸越来越小，单粒子辐射效应已经成为辐射环境微电子器件可靠性的一个主要的影响因素。器件尺寸缩小不仅使得半导体存储器对于单粒子电离效应更为敏感，而且出现了电荷共享和多位翻转等新可靠性问题。... 详细信息

随着半导体工艺的发展，器件特征尺寸越来越小，单粒子辐射效应已经成为辐射环境微电子器件可靠性的一个主要的影响因素。器件尺寸缩小不仅使得半导体存储器对于单粒子电离效应更为敏感，而且出现了电荷共享和多位翻转等新可靠性问题。单次粒子撞击引发多个存储单元的翻转在超深亚微米技术下变得越来越频繁，成为一个日益严重的问题。由于以前的电荷收集模型主要是基于单个节点上的电荷输运收集过程，故无法对粒子从不同位置入射引起的相邻器件间的电荷收集进行分析。然而，对于超深亚微米器件，电荷共享和多位翻转使得上述的假设不再成立。因此，如果想要正确地预计超深亚微米器件中的单粒子翻转率，就必须对电荷共享和多位翻转等新效应的物理机理进行研究。本文通过理论分析和数值模拟对超深亚微米器件新效应的物理机理进行了深入研究，并在此基础上建立了超深亚微米器件考虑电荷共享的电荷收集模型，并通过与90nm MOS技术的TCAD模拟结果进行对比，验证了模型的正确性。本文主要完成的工作及得到的结论如下： 1)总结了多位翻转随工艺尺寸发展的变化趋势及多位翻转的物理机理。确定了电荷共享是导致超深亚微米器件发生多位翻转的主要原因。 2)建立了超深亚微米器件考虑电荷共享的电荷收集模型。此模型考虑了相邻器件间的电荷共享，并考虑了粒子从器件不同位置入射时，电荷收集的物理机理的不同。 3)设计了计算机模拟方案，从建模结果发现，电荷共享随着器件的节点间距的增大而减小，随着入射粒子与器件表面的夹角的减小而增大。研究结果还发现多位翻转的主要机理是电荷共享，并且多位翻转随着器件间距减小而增加。

关键词：超深亚微米单粒子效应电荷收集电荷共享多位翻转

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超深亚微米数字集成电路版图验证技术

电子与封装 2017年第8期17卷 16-20页

作者：吕江萍陈超胡巧云中国兵器工业第214研究所江苏苏州215163

在超深亚微米工艺中,数字集成电路版图设计由以前简单的物理验证进入到复杂的版图验证阶段。版图验证包含时序验证、形式验证和物理验证。时序验证进行电压降分析和时序分析,确保时序收敛;形式验证进行两个网表的逻辑等效检查;物理验证... 详细信息

在超深亚微米工艺中,数字集成电路版图设计由以前简单的物理验证进入到复杂的版图验证阶段。版图验证包含时序验证、形式验证和物理验证。时序验证进行电压降分析和时序分析,确保时序收敛;形式验证进行两个网表的逻辑等效检查;物理验证进行可制造性、可靠性和设计规则检查,确保版图符合可制造性工艺规则和电路规则。三种验证技术共同指导并约束着数字集成电路的物理实现,灵活配置相关版图验证技术可进一步加快版图验证的进度。

关键词：超深亚微米版图验证时序验证形式验证

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超深亚微米IC设计中的天线效应分析

电子科技大学学报 2008年第S1期37卷 113-117页

作者：李蜀霞刘辉华赵建明何春电子科技大学电子科学技术研究院成都610054

天线效应(PAE)是超深亚微米IC设计后端设计流程中的一个关键问题。该文具体分析了在芯片制造过程中产生天线效应的原因和影响因素,根据其产生机理提出了四种消除天线效应的方法,同时还给出了设计中的天线规则和天线比率的具体计算方法... 详细信息

天线效应(PAE)是超深亚微米IC设计后端设计流程中的一个关键问题。该文具体分析了在芯片制造过程中产生天线效应的原因和影响因素,根据其产生机理提出了四种消除天线效应的方法,同时还给出了设计中的天线规则和天线比率的具体计算方法。在真实的设计实例中,运用该方法解决了设计中存在的天线效应问题,证明了它的切实可行性。

关键词：天线规则栅氧天线效应超深亚微米