超深亚微米物理设计中天线效应的消除

作     者：张智胜 吴秀龙 Zhang Zhisheng;Wu Xiulong

作者机构：安徽大学微纳电子器件与集成电路设计省级实验室合肥230601 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2012年第37卷第6期

页      面：429-432页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：安徽省教育厅重点科研项目(KJ2010A022) 

主　　题：超深亚微米 天线效应 时钟树综合 时序 布局布线 

摘      要：分析了超深亚微米物理设计中天线效应的产生机理以及基于超深亚微米工艺阐述了计算天线比率的具体方法。同时,根据天线效应的产生机理并结合时钟树综合提出了消除天线效应的新方法。此方法通过设置合理的约束进行时钟树综合,使得天线效应对时钟延时和时钟偏斜的影响降到最低,从而对芯片时序的影响降到最低。最后结合一款芯片的物理设计,该设计采用台积电(TSMC)65 nm低功耗(LP)工艺,在布局布线中运用所述的方法进行时钟树综合并且使得时钟网络布线具有最大的优先权。此方法有效地消除了设计中存在的天线效应,并且使得天线效应对时钟树的影响降到最低以及对时序的影响降到最小。