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学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 电气工程
    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 2 篇 衬底电阻模型
  • 1 篇 栅接地n型金属氧化...
  • 1 篇 esd保护器件
  • 1 篇 静电放电
  • 1 篇 深亚微米

机构

  • 1 篇 西安电子科技大学

作者

  • 1 篇 杨银堂
  • 1 篇 吴晓鹏
  • 1 篇 高海霞
  • 1 篇 柴常春
  • 1 篇 董刚

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=衬底电阻模型"
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基于深亚微米工艺的栅接地NMOS静电放电保护器件衬底电阻模型研究
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物理学报 2013年 第4期62卷 424-430页
作者： 吴晓鹏 杨银堂 高海霞 董刚 柴常春 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071
在考虑了电导率调制效应的情况下对深亚微米静电放电(electrostatic discharge,ESD)保护器件的衬底电阻流控电压源模型进行优化,并根据轻掺杂体衬底和重掺杂外延型衬底的不同物理机制提出了可根据版图尺寸调整的精简衬底电阻宏模型,所... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
深亚微米ESD保护器件中与工艺和布局有关的衬底电阻模型
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电子产品可靠性与环境试验 2002年 第4期20卷 65-65页
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 评论
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