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可靠性问题讲座——第七讲设计与工艺中的可靠性考虑(上)

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微纳电子技术 1974年第11期 31-58页

半导体器件可靠性的提高取决于以下因素:合理的设计方案、先进的工艺措施、严格的质量控制、适当的筛选程序、及时的失效分析及反馈等。这一讲我们讨论通过设计及工艺措施改进器件的可靠性,包括失效分析中提出的纠正措施在设计与工艺中... 详细信息

半导体器件可靠性的提高取决于以下因素:合理的设计方案、先进的工艺措施、严格的质量控制、适当的筛选程序、及时的失效分析及反馈等。这一讲我们讨论通过设计及工艺措施改进器件的可靠性,包括失效分析中提出的纠正措施在设计与工艺中的实施。重点涉及双极集成电路;因平面晶体管及MOS电路与其基本工艺是相同的。一、设计中的可靠性考虑 1.结构设计(包括引线的材料及方案选择、芯片到管壳的组装方法、管壳种类等) 当有缺陷的芯片已被剔除后,结构特性对器件在电应力和环境应力下的性能起着决定作用。结构设计需要考虑电学、热学及机械性能是否满足高可靠性的要求,对于小功率管和一般集成电路,功率在毫瓦范围,结温由适当的管壳散热来控制,在设计中只需要计算电参数要求,结构根据可靠性的要求适当选择即可。对于大功率器件,功率在数

关键词：磷硅玻璃设计与工艺机械抛光表面钝化技术硅表面 PSG

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聚酰亚胺表面钝化在大功率晶体管上的应用

电子工艺技术 1984年第9期 26-28+39页

作者：施昭平谢霓北京市半导体器件十一厂北京市计算机工业总公司

前言半导体器件表面钝化技术如氮化硅、磷硅玻璃等无机物钝化层发展比较早,而聚酰亚胺表面钝化是近几年发展起来的一种新技术,它具有设备简单、工艺稳定、易于大批量制作等优点。在上海交通大学的帮助下,我们将聚酰亚胺表面钝化技术用... 详细信息

前言半导体器件表面钝化技术如氮化硅、磷硅玻璃等无机物钝化层发展比较早,而聚酰亚胺表面钝化是近几年发展起来的一种新技术,它具有设备简单、工艺稳定、易于大批量制作等优点。在上海交通大学的帮助下,我们将聚酰亚胺表面钝化技术用在为电视机配套的行输出管DS;上,在减小反向漏电流I;、减少后工序杂质沾污及提高产品成

关键词：聚酞亚胺 DS 表面钝化钝化层反向漏电流氧化层表面层表面钝化技术管芯复合流小电流

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超小型片状电阻

电子元件与材料 1985年第6期 2-3页

作者：余根海电子工业部第十三研究所

一、引言本所研制的砷化镓场效应管微波宽带混合集成放大器(4～8GHz、8～12GHz)为平衡式结构,制作微带线所用的99％氧化铝陶瓷基片尺寸是9.6×20mm、5×10mm。负载电阻是用厚度只有0.3mm的99％氧化

关键词：聚酞亚胺保护层宽带放大器氧化铝铝化合物电阻变化片状表面钝化技术陶瓷基片超小型

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用涂料提高半导体器件的可靠性

涂料工业 1982年第6期 52-53页

作者：韩仲儒哈尔滨化工研究所

现代半导体科学技术的主要成就之一,就是半导体器件表面钝化技术得到了应用,从而使高可靠半导体器件的制造成为可能。国外从三十年代就开展了对器件表面钝化技术的研究,先后创造了很多钝化方法,例如热氧化法、化学沉积法、热解法、辉光... 详细信息

现代半导体科学技术的主要成就之一,就是半导体器件表面钝化技术得到了应用,从而使高可靠半导体器件的制造成为可能。国外从三十年代就开展了对器件表面钝化技术的研究,先后创造了很多钝化方法,例如热氧化法、化学沉积法、热解法、辉光放电沉积法和涂料保护法等。但是,由于操作技术复杂,成本高,致使一些方法难以推

关键词：半导体器件击穿强度管芯高可靠电子设备电气强度涂料表面钝化技术

半导体器件钝化层Si_3N_4薄膜的制备及特性研究

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哈尔滨理工大学学报 2003年第6期8卷 105-108页

作者：刘宝峰李洪峰金立国哈尔滨理工大学材料科学与工程学院黑龙江哈尔滨150040

采用热分解法在硅衬底上制备了Si3N4薄膜.根据在制备过程中薄膜生长速度随颜色的变化,研究了衬底温度和薄膜沉积速率之间的关系.分别利用AFM对薄膜表面进行观测。C-V法对薄膜和硅片界面态进行了测试.结果表明:所制备的Si3N4薄膜在硅片... 详细信息

采用热分解法在硅衬底上制备了Si3N4薄膜.根据在制备过程中薄膜生长速度随颜色的变化,研究了衬底温度和薄膜沉积速率之间的关系.分别利用AFM对薄膜表面进行观测。C-V法对薄膜和硅片界面态进行了测试.结果表明:所制备的Si3N4薄膜在硅片上以无定形方式存在,在Si3N,薄膜和硅界面之间存在着大量的表面电荷,由于这种高密度表面电荷的存在,导致Si3N4薄膜不适于直接作为半导体器件的表面钝化层.

关键词： Si3N4薄膜热分解法半导体表面钝化技术

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