检索结果-南通市图书馆

作者：徐宗胜大连理工大学

学位级别：硕士

硅片是集成电路(IC)、半导体分立器件以及光伏太阳能电池制造过程中最常用的基础材料。在制作半导体和太阳能电池中用到的最主要的材料都是单晶硅和多晶硅。多晶硅是生产单晶硅的直接原料,两者在具有半导体特性的同时,也在物理特性及其... 详细信息

硅片是集成电路(IC)、半导体分立器件以及光伏太阳能电池制造过程中最常用的基础材料。在制作半导体和太阳能电池中用到的最主要的材料都是单晶硅和多晶硅。多晶硅是生产单晶硅的直接原料,两者在具有半导体特性的同时,也在物理特性及其他方面表现出一些差异。在太阳能利用上,单晶硅和多晶硅发挥了很大的作用。随着硅片尺寸的逐渐增大以及光伏产业的迅猛发展,对硅片表面层质量的要求也日益提高。切片是硅片制造过程中的一个重要工序,切割加工会不可避免地给硅片带来表面层损伤,该损伤会影响到后续工序的加工时间、加工效率以及成本。为了降低生产成本,提高转换效率,拥有更大的消费市场,研究单晶硅和多晶硅在切片过程中产生的亚表层损伤深度及裂纹特征对后续加工以及光伏产业的发展具有重要的指导意义。本文研究了线锯切割硅片的亚表面损伤检测方法,用截面显微观测法和角度截面显微观测法检测了线锯切割硅片的亚表面损伤和裂纹类型,分析了固结磨料线锯切割单晶硅片(Fixed Abrasive Sawed Monocrystalline Wafer, FAS-MW),游离磨料线锯切割单晶硅片(Loose Abrasive Sawed Monocrystalline Wafer, LAS-MW)以及游离磨料线锯切割多晶硅片(Loose Abrasive Sawed Polycrystalline Wafer, LAS-PW)的表面粗糙度、表面形貌、亚表面损伤深度和亚表面损伤微裂纹的分布规律。试验结果表明,同样的加工条件下,FAS-MW的亚表面损伤深度最大值小于LAS-MW的亚表面损伤深度最大值。此外,LAS-PW在腐蚀后会出现密集的腐蚀坑以及划痕。部分多晶硅片因切片位置的不同,会出现晶界。FAS-MW, LAS-MW以及LAS-PW的微裂纹密度与微裂纹深度都符合指数关系,但是FAS-MW微裂纹密度与微裂纹深度分布比较均匀;而LAS-MW与LAS-PW的微裂纹密度与微裂纹深度分布范围比较大。论文研究结论为硅片切割方法的选择和工艺参数的确定提供了指导。

关键词：线锯切割单晶硅片多晶硅片表面层损伤微裂纹

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

碲锌镉晶片研抛加工表面层损伤的研究

引用

电子工业专用设备 2019年第5期48卷 26-28,47页

作者：张文斌郭俊伟葛劢翀中国电子科技集团公司第四十五研究所

介绍了碲锌镉晶片背面研抛机的工艺过程和原理,研究了研抛工艺中砂轮粒度、砂轮进给率、砂轮转速和工作台转速对晶片表面层损伤深度的影响。

关键词：碲锌镉研抛表面层损伤

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

晶圆超精密磨削加工表面层损伤的研究

引用

电子工业专用设备 2015年第5期44卷 21-24页

作者：张文斌高岳张敏杰北京中电科电子装备有限公司北京100176

介绍了晶圆减薄机的工艺过程和原理,研究了磨削工艺中砂轮粒度、砂轮进给率、砂轮转速和工作台转速对硅片表面层损伤深度的影响。

关键词：晶圆磨削表面层损伤

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

300mm硅片的磨削加工工艺研究

300mm硅片的磨削加工工艺研究

引用

作者：闫志瑞大连理工大学

学位级别：硕士

从20世纪后期开始,硅基集成电路产业成为发展最快的产业,它不仅自身迅速成长,还带动了一批其他产业的崛起和完善,例如计算机、通信、航天、精密机械等,这一系列产业的发展推动着我们的生活不断往前发展。半导体产业的快速发展,对其基础... 详细信息

从20世纪后期开始,硅基集成电路产业成为发展最快的产业,它不仅自身迅速成长,还带动了一批其他产业的崛起和完善,例如计算机、通信、航天、精密机械等,这一系列产业的发展推动着我们的生活不断往前发展。半导体产业的快速发展,对其基础材料硅单晶的要求不断提升,表现为硅片的直径越来越大,特征线宽越来越小,因此对硅片尤其是其表面质量也提出了更高的要求。传统的硅片机械加工工艺己难以满足这高标准的要求,故硅片精密磨削、双面抛光等工艺被陆续引入。本文对300mm硅片精密磨削过程进行了研究,旨在提升机械加工后硅片的平整度水平,改善硅片表面及亚表面的质量的同时,提高生产效率,以满足后续工艺的要求,并对实际生产的进行起到一定的指导作用。首先,通过试验研究了磨削过程中砂轮粒径及主要磨削工艺参数对硅片表面层损伤深度及表面微粗糙度的影响规律。结果表明,使用小的砂轮粒径、小的砂轮轴向进给速度以及大的砂轮转速进行磨削加工,硅片的表面质量较好。同时通过氧化层错的观察,最终确定2000#砂轮为粗糙阶段砂轮,8000#砂轮为精磨阶段砂轮。然后,通过对比试验表明磨削工艺参数对磨削后硅片几何参数及面型的影响不大,但磨削硅片的面型却对抛光后硅片的几何参数影响显著。当磨削硅片呈现“凹”面型时,可以有效的抑制硅片抛光过程中的Edge Roll-off现象,从而抛光时更容易获得较好的边缘几何参数,因此确定磨削加工时应该制备“U”和“W”面型的硅片,其中以“U”面型最佳。最后,通过观察不同磨削去除量下硅片表面氧化层错情况,确定粗磨阶段去除量需≥70 μm,精磨阶段去除量需≥25 μm。使用本文改善后的磨削工艺对硅片进行了磨削加工,获得了满足65-90nm线宽要求的磨削硅片。

关键词：硅片磨削表面层损伤几何参数

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

超精密磨削硅片变形规律的研究

超精密磨削硅片变形规律的研究

引用

作者：赵海轩大连理工大学

学位级别：硕士

集成电路(IC)是现代信息产业和信息社会的基础。硅片作为IC发展的基础和半导体芯片的理想衬底材料,其表面质量直接影响着IC器件的性能、成品率以及寿命等。超精密磨削是硅片超精密加工的关键技术,具有高加工精度、高效率等优点。然而,... 详细信息

集成电路(IC)是现代信息产业和信息社会的基础。硅片作为IC发展的基础和半导体芯片的理想衬底材料,其表面质量直接影响着IC器件的性能、成品率以及寿命等。超精密磨削是硅片超精密加工的关键技术,具有高加工精度、高效率等优点。然而,目前硅片超精密磨削所用砂轮一般为微粉金刚石砂轮,金刚石砂轮磨削后,硅片表面不可避免地会产生磨削损伤及残余应力,进而导致硅片发生变形,影响硅片的机械性能和搬运等。为了研究超精密磨削硅片的变形规律,本文通过检测硅片磨削表面的损伤分布规律分析了其上的应力分布情况,运用Ansys软件分析了磨削过程中的硅片受力情况;根据弹性力学理论对超精密磨削硅片的弯曲变形规律进行了理论研究,并进行了试验验证。本文的主要研究内容包括如下几个方面：(1)采用截面角度抛光方法研究了磨削硅片的表面层损伤深度及其沿不同晶向和径向的分布规律,分析了有无光磨、砂轮粒度对损伤的深度大小及分布规律的影响,结果表明：砂轮粒度越大,磨削硅片的表面层损伤深度越大;经过光磨后损伤深度沿硅片不同的晶向和径向位置没有明显的变化,在整个光磨硅片表面的损伤几乎是均匀分布的,也表明光磨硅片表面的加工应力是均匀分布的。(2)根据硅片超精密磨削过程中真空吸盘与硅片之间的作用力情况和磨削硅片表面的加工应力分布特征,利用弹性力学理论建立了小挠度变形情况下硅片弯曲变形的数学模型。研究表明,超精密磨削硅片变形的最大挠度与硅片表面损伤层深度、加工应力大小及硅片厚度有关,其挠度曲线为一条抛物线;并运用Ansys软件验证了磨削过程中硅片的受力情况及磨削后硅片的挠度曲线特征。(3)通过硅片超精密磨削试验研究了不同粒度金刚石砂轮磨削的不同厚度的硅片最大挠度和挠度曲线,并与建立的数学模型进行了对比。试验表明,小挠度范围内,数学模型能很好的预测硅片被磨削至不同厚度时的最大挠度,误差小于5%,但在大挠度变形范围内,出现了较大误差。

关键词：硅片超精密磨削表面层损伤加工应力弯曲变形

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

激光刻痕取向硅钢底层损伤效应研究

引用

电工钢 2023年第5期5卷 8-15页

作者：贾增本张乾庞旭王祥辉赵福轶郭琪贾志伟鞍钢股份冷轧硅钢厂辽宁鞍山114009 鞍钢集团钢铁研究院辽宁鞍山114009

以激光刻痕取向硅钢为研究对象,研究了刻痕过程表面层损伤效应。结果表明,取向硅钢表面层由1.5μm左右的绝缘层、2.5μm左右硅酸镁底层组成,刻痕处理使表面层烧损形成刻线,并在内部形成裸露铁基体和Mg_(2)SiO_(4)的微小孔洞。在刻痕功... 详细信息

以激光刻痕取向硅钢为研究对象,研究了刻痕过程表面层损伤效应。结果表明,取向硅钢表面层由1.5μm左右的绝缘层、2.5μm左右硅酸镁底层组成,刻痕处理使表面层烧损形成刻线,并在内部形成裸露铁基体和Mg_(2)SiO_(4)的微小孔洞。在刻痕功率较低情况下,刻线为直径50μm的浅轻状断续斑痕,未形成有效刻线。此外,通过提高刻痕功率、降低刻痕频率和速度、增加激光光源能量和作用时间,可使刻线宽度和深度增加,但刻线内部裸露基体和Mg_(2)SiO_(4)的增加以及孔洞密度的增加,不利于产品绝缘性和耐蚀性。

关键词：高磁感取向硅钢激光刻痕表面层损伤

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：