晶圆超精密磨削加工表面层损伤的研究
Study on the Surface Layer Damage of Silicon Wafer Induced by Ultra-precision Grinding作者机构:北京中电科电子装备有限公司北京100176
出 版 物:《电子工业专用设备》 (Equipment for Electronic Products Manufacturing)
年 卷 期:2015年第44卷第5期
页 面:21-24页
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学]
摘 要:介绍了晶圆减薄机的工艺过程和原理,研究了磨削工艺中砂轮粒度、砂轮进给率、砂轮转速和工作台转速对硅片表面层损伤深度的影响。