检索结果-南通市图书馆

微电子学 2021年第3期51卷 347-350页

作者：杨镓溢王旭光秦文龙杨亮亮中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

介绍了薄膜混合集成电路(HIC)中金铝键合失效机理,提出了一种解决金铝键合失效的新工艺。分析失效机理发现,铝丝和薄膜金导带形成的金铝界面因原子扩散而形成内部空洞,出现键合根部的键合丝断裂的现象。通过改变键合区金属层结构,实现... 详细信息

介绍了薄膜混合集成电路(HIC)中金铝键合失效机理,提出了一种解决金铝键合失效的新工艺。分析失效机理发现,铝丝和薄膜金导带形成的金铝界面因原子扩散而形成内部空洞,出现键合根部的键合丝断裂的现象。通过改变键合区金属层结构,实现了单一金属化系统,有效避免了金属间化合物的形成。该项研究结果对陶瓷基薄膜HIC的工艺应用范围的拓宽具有参考价值。

关键词：薄膜混合集成电路金铝键合层结构

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不同状态的Si-Al丝对键合点根部损伤的影响

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电子元件与材料 2001年第6期20卷 1-2,5页

作者：李自学王凤生张承军航天工业总公司七七一所陕西西安710054

键合点根部损伤是Al丝超声键合工艺中最常见的问题,严重的根部损伤不仅使焊点的键合强度降低,甚至会使键合点失效。通过优化键合机器的工艺参数、分析键合丝的组分和采取不同的退火条件,研究Al丝超声键合中,键合点根部损伤的程度,为键... 详细信息

键合点根部损伤是Al丝超声键合工艺中最常见的问题,严重的根部损伤不仅使焊点的键合强度降低,甚至会使键合点失效。通过优化键合机器的工艺参数、分析键合丝的组分和采取不同的退火条件,研究Al丝超声键合中,键合点根部损伤的程度,为键合丝的选用和提高Al丝超声键合强度提供依据。

关键词：薄膜混合集成电路超声键合根部损伤硅铝丝焊点

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4—8GHz低噪声小信号放大器的研制

4—8GHz低噪声小信号放大器的研制

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作者：祝加秀电子科技大学

学位级别：硕士

本文中设计的C波段低噪声放大器是在国内先进的薄膜混合集成电路制作工艺基础上,采用光洁度高,导热率好,机械度强的氧化铝精细陶瓷基片,利用西科公司共晶微组装工艺和先进的粘接技术研制而成的。本课题采用宽带平衡式电路,选用日本富士... 详细信息

本文中设计的C波段低噪声放大器是在国内先进的薄膜混合集成电路制作工艺基础上,采用光洁度高,导热率好,机械度强的氧化铝精细陶瓷基片,利用西科公司共晶微组装工艺和先进的粘接技术研制而成的。本课题采用宽带平衡式电路,选用日本富士通公司低噪声高电子迁移率的管芯FHX45X,利用小信号模型S参量法,自行设计了3dB耦合电桥,独立进行电路的输入输出匹配,使放大器工作在低噪声高增益区;并通过Agilent的ADS仿真软件,得到原理仿真结果;利用AutoCAD软件进行电路板的布局工作;采用带脊载体,对电路实行输入模块和输出模块分开设计电路图的方法,便于组装并保证共晶工艺流程的顺利进行。设计出的放大单片和级联单片后的放大器是在HP系列的测试仪器上完成的。主要利用的仪器有:HP8757D标网,以及HP E8247C信号源、8259L频谱仪和8970B噪声仪。本课题设计的4GHz—8GHz低噪声放大器主要的测试条件为外加12V直流电源,通过自行装在放大器内部的稳压模块转换到2V,电流为190mA;得到的测试指标如下:噪声系数最大为2.18dB;满足要求小于2.2dB的指标;增益最高为38.75dB,最小为34.65dB;满足指标要求的增益为32dB9dB;增益平坦度为±2.05dB;基本满足平坦度小于等于4dB的指标要求;输入输出驻波比小于1.86;满足小于2的指标要求;输出1dB压缩点功率最小为10.8dBm。满足指标要大于10dBm的要求。本课题的设计尽管存在某些缺点,但是,基本上仍可以说是完成了事先的研制任务。本文涉及的是西科公司的某预研项目,此项目是由本人独立承担并研制完成的。

关键词：宽带低噪声小信号放大器薄膜混合集成电路共晶工艺 ADS

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高靶材利用率高镀膜均匀性条形溅射靶的设计与实现

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中国集成电路 2021年第7期30卷 70-73页

作者：陈长平佘鹏程陈峰武程文进陈庆广中国电子科技集团公司第四十八研究所

针对传统条形磁控溅射靶磁场分布不理想、靶材利用率低、镀膜不均匀等不足,通过优化磁场分布,缩小条形靶端部与中部的磁场差距,增大靶材的刻蚀均匀性,增大有效镀膜区,从而提高靶材利用率和改善镀膜均匀性。本文结合模拟仿真、结构设计... 详细信息

针对传统条形磁控溅射靶磁场分布不理想、靶材利用率低、镀膜不均匀等不足,通过优化磁场分布,缩小条形靶端部与中部的磁场差距,增大靶材的刻蚀均匀性,增大有效镀膜区,从而提高靶材利用率和改善镀膜均匀性。本文结合模拟仿真、结构设计与工艺验证的方式,开发出一种镀膜均匀性优于3%、靶材利用率超过30%的条形磁控溅射靶。

关键词：磁控溅射镀膜均匀性靶材利用率薄膜混合集成电路

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