基于薄膜HIC金铝键合失效的工艺研究
Research on Thin-Film HIC Process Based on Gold-Aluminum Bonding Failure作者机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060
出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)
年 卷 期：2021年第51卷第3期
页 面：347-350页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：介绍了薄膜混合集成电路(HIC)中金铝键合失效机理,提出了一种解决金铝键合失效的新工艺。分析失效机理发现,铝丝和薄膜金导带形成的金铝界面因原子扩散而形成内部空洞,出现键合根部的键合丝断裂的现象。通过改变键合区金属层结构,实现了单一金属化系统,有效避免了金属间化合物的形成。该项研究结果对陶瓷基薄膜HIC的工艺应用范围的拓宽具有参考价值。
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