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脉冲激光法连续制备纳米钴乙醇溶胶的研究

高等学校化学学报 2003年第2期24卷 337-339页

作者：章仪陈文哲章文贡福建师范大学实验中心福州350007 福州大学材料科学与工程学院福州350002 福建师范大学高分子研究所福州350007

A novel nano-cobalt/ethanol sol was firstly obtained by pulsed laser ablation on the interface of solid and flowing-liquid. TEM results show that nano-cobalt particles size is about 30 nm. Electronic diffraction and XRD analysis both indicate that the nano-cobalt is non-crystalline. It was found that the stretching vibration of associating hydroxyl(γ OH) and the deformation vibration of C-H in ethanol are strengthened, but stretching vibration of γ C-O in primary hydroxyl of ethanol is restrained through the FTIR spectrum. The UV-Vis results show that there are one strong absorption peak at 231 99 nm due to primary nano-cobalt particles and two medium absorption peaks at 273 00 and 308 56 nm due to quantum confine effect.

关键词：脉冲激光法制备钴乙醇溶胶纳米材料磁性材料

脉冲激光法直接测量EuZ^6P_(7/2),Z^8P_(9/2)的能级寿命

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激光杂志 1987年第5期8卷 316-319页

作者：侯耀武明长江孙孝忠屈福生王文韵中国科学院长春应用化学研究所

一台小型原子束装置用来将Eu原子蒸发成束,以氮分子激光泵浦的染料激光激发a^8S_(7/2)—Z^6P_(7/2)(5765A),a^8S_(7/2)—Z^8P_(9/2)(6018A)两跃迁,经快响应光电倍增管探测,在存贮示波器上提取信号。测得Z^6P_(7/2)和Z^8P_(9/2)两能态的... 详细信息

一台小型原子束装置用来将Eu原子蒸发成束,以氮分子激光泵浦的染料激光激发a^8S_(7/2)—Z^6P_(7/2)(5765A),a^8S_(7/2)—Z^8P_(9/2)(6018A)两跃迁,经快响应光电倍增管探测,在存贮示波器上提取信号。测得Z^6P_(7/2)和Z^8P_(9/2)两能态的平均寿命分别为(890±25)ns和(1070±30)ns。

关键词：脉冲激光法直接测量能级寿命光电倍增管激光激发激光泵浦平均寿命原子束氮分子跃迁

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脉冲激光法外延生长锰氧化物薄膜

材料研究学报 1999年第6期13卷 659-662页

作者：李美亚熊光成王忠烈范守善赵清太林揆训汕头大学北京大学清华大学

利用脉冲激光法在LaAlO3衬底上外延生长了La－Ca－Mn—O、La－Sr－Mn－O等巨磁电阻薄膜.测定了这些薄膜的电阻—温度特性，观测到了其铁磁转变及巨磁电阻效应实验发现，较高的淀积温度使薄膜的峰值转变温度Tp降低、峰值电阻率增大。

关键词：锰氧化物薄膜巨磁电阻外延生长脉冲激光法

脉冲激光法制备硅基ZnMgO合金薄膜及其特性研究

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脉冲激光法制备硅基ZnMgO合金薄膜及其特性研究

作者：邹璐浙江大学

学位级别：硕士

近年来，ZnO光泵浦紫外激光的获得和自组装谐振腔的发现显示了用ZnO制作光电器件的潜力，随之ZnMgO合金半导体也成为近期关注的一个研究方向。将ZnO与MgO形成半导体合金薄膜，可以达到随Mg组分不同调节ZnMgO合金半导体禁带宽度的目的。 ... 详细信息

近年来，ZnO光泵浦紫外激光的获得和自组装谐振腔的发现显示了用ZnO制作光电器件的潜力，随之ZnMgO合金半导体也成为近期关注的一个研究方向。将ZnO与MgO形成半导体合金薄膜，可以达到随Mg组分不同调节ZnMgO合金半导体禁带宽度的目的。本文采用脉冲激光法，用四种Mg含量不同的陶瓷靶，ZnO、ZnMgO、ZnMgO、ZnMgO，在不同衬底温度下，500℃、550℃、600℃、650℃、700℃生长ZnMgO合金薄膜。主要的研究工作如下： 1．目前，ZnMgO合金薄膜大多数以蓝宝石或ScAlMgO为衬底，本文首次报道了在硅衬底上用脉冲激光法沉积ZnMgO合金薄膜。以硅为衬底与器件传统的硅平面工艺兼容，为硅基光电集成的实现奠定基础。 2．在国内首次采用PLD方法生长ZnMgO合金薄膜。 3．关于衬底温度对ZnMgO合金薄膜的晶体质量、光学特性等方面的影响的报道很少，本文率先对这方面进行了探讨。实验表明随着衬底温度升高，薄膜中Mg含量增大，相应合金薄膜的禁带宽度增大。衬底温度为650℃时得到的合金薄膜晶体质量最好，XRD图谱中仅出现(002)峰，半高宽仅为0.19°，薄膜高度C轴取向。ZnMgO合金薄膜与ZnO的晶格失配度仅为0.5％，取得了比较领先的结果。 4．对生长的ZnMgO合金薄膜做了室温荧光光谱(PL)测试，发现ZnMgO薄膜紫外发射峰相对ZnO的紫外发射峰产生蓝移，即由于Mg的掺入，ZnMgO薄膜的禁带宽度增大。本实验中，用靶材ZnMgO，在衬底温度为650℃时沉积的合金薄膜晶体质量最好，其带边发射峰与杂质发射峰的强度之比高达159，优于目前国际上的报道。 5．研究了不同靶材对合金薄膜晶体质量的影响。当Mg含量小于37％时，ZnMgO薄膜为单一相，当Mg含量大于37％时，开始出现MgO的相偏析。同时，随着靶材中Mg含量的增大，ZnMgO合金薄膜(002)峰的半高宽增大。 6．在ZnMgO合金薄膜分别在氧气、氮气中500℃退火1小时，初步研究了不同退火条件对薄膜晶体质量的影响。

关键词：脉冲激光法 ZnMgO合金薄膜晶体质量

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脉冲激光法制备MgB_2薄膜

稀有金属快报 2002年第4期21卷 18-19页

作者：刘春芳

具有39K超导转变温度的MgB2发现以后,引起了科学界的极大关注,其原因不仅是因为这种化合物具有比较简单的二元金属间化合物特性,而且还因为人们想通过它寻找具有更高Tc的同类化合物,各方面的研究工作进展很快.毫无疑问,MgB2线材制备技... 详细信息

具有39K超导转变温度的MgB2发现以后,引起了科学界的极大关注,其原因不仅是因为这种化合物具有比较简单的二元金属间化合物特性,而且还因为人们想通过它寻找具有更高Tc的同类化合物,各方面的研究工作进展很快.毫无疑问,MgB2线材制备技术的开发是这种超导体技术实际应用的关键,然而,另一类外延薄膜制备技术的开发也是非常需要的,很多高技术应用装置都使用约瑟夫逊结和外延薄膜.

关键词：脉冲激光法制备 MgB2薄膜超导体

以Al_2O_3为过渡层脉冲激光法制备PZT铁电薄膜

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功能材料与器件学报 2002年第2期8卷 128-132页

作者：万青王连卫邢朔章宁琳沈勤我林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所

为实现PZT铁电薄膜与半导体衬底的直接集成引入Al2O3为过渡层,首先用真空电子束蒸发法在Si(100)、多晶金刚石(111)衬底上生长约20nm厚的Al2O3过渡层,接着在上述衬底上采用脉冲激光淀积(PLD)法淀积PZT薄膜,衬底温度为350-550oC。X光电子... 详细信息

为实现PZT铁电薄膜与半导体衬底的直接集成引入Al2O3为过渡层,首先用真空电子束蒸发法在Si(100)、多晶金刚石(111)衬底上生长约20nm厚的Al2O3过渡层,接着在上述衬底上采用脉冲激光淀积(PLD)法淀积PZT薄膜,衬底温度为350-550oC。X光电子能谱(XPS)测试表明,在高真空下,电子束蒸发Al2O3固态源能获得化学配比接近蒸发源的Al2O3薄膜。X射线衍射(XRD)测试说明,不论衬底是硅还是多晶金刚石,当衬底温度为550oC时,PZT在Al2O3过渡层上呈现(222)取向的焦绿石相结构。当衬底是金刚石时,通过如下工艺:(1)较低温度(350oC)淀积;(2)空气氛围650oC快速退火5min,可以在Al2O3过渡层上获得高度(101)取向的钙钛矿结构的铁电相PZT薄膜。最后AFM测试显示,在硅衬底上,PZT薄膜的表面均方根粗糙度为9.78nm;而在多晶金刚石衬底上,PZT薄膜的表面均方根粗糙度为17.2nm。

关键词：脉冲激光法制备铁电薄膜过渡层 PZT PLD 氧化铝

脉冲激光沉积ZrW_2O_8/ZrO_2复合薄膜及其靶材制备

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真空科学与技术学报 2009年第6期29卷 686-689页

作者：刘红飞张志萍程晓农江苏大学材料科学与工程学院镇江212013

采用化学共沉淀法合成26wt%ZrW2O8/ZrO2近零膨胀复合陶瓷靶材,并以脉冲激光法在石英基片上沉积制备了ZrW2O8/ZrO2复合薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、热膨胀仪、扫描电子显微镜（SEM）研究了复合靶材的晶体结构、热膨胀性能和致密度,同... 详细信息

采用化学共沉淀法合成26wt%ZrW2O8/ZrO2近零膨胀复合陶瓷靶材,并以脉冲激光法在石英基片上沉积制备了ZrW2O8/ZrO2复合薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、热膨胀仪、扫描电子显微镜（SEM）研究了复合靶材的晶体结构、热膨胀性能和致密度,同时也探索了热处理温度对复合薄膜的相组成和表面形貌的影响。结果表明：合成的靶材由-αZrW2O8和m-ZrO2组成,26wt%ZrW2O8/ZrO2复合靶材在30℃-600℃的热膨胀系数为-0.5649×10^-6K^-1,近似为零,且靶材致密、均匀;脉冲激光沉积制备的薄膜为非晶态,表面平滑、致密,随着热处理温度的升高,薄膜开始结晶,在1200℃热处理6min后得到纯ZrW2O8/ZrO2复合薄膜,且两相物质在膜层中分散均匀,结晶后的薄膜存在一些孔洞缺陷。

关键词： ZrW2O8 ZrO2 脉冲激光法低热膨胀复合靶

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用脉冲激光开采硬矿石

国外化学矿山消息 1994年第1期 13-19页

作者：周志湘

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铅基压电薄膜材料的制备、微结构与性能

力学进展 2003年第2期33卷 227-238页

作者：郑学军周益春杨芝茵湘潭大学基础力学与材料工程研究所湘潭411105 湘潭大学材料与光电物理学院湘潭411105

随着微电子技术的发展和高度集成化的趋势,压电薄膜材料愈来愈受到人们的重视.本文对铅基类压电薄膜材料的研究进展进行了评述,主要讨论了: (1)两种主要制备方法:脉冲激光熔融法(PLD)和溶胶凝胶法(Sol—Gel);(2)压电薄膜微观结构的表征... 详细信息

随着微电子技术的发展和高度集成化的趋势,压电薄膜材料愈来愈受到人们的重视.本文对铅基类压电薄膜材料的研究进展进行了评述,主要讨论了: (1)两种主要制备方法:脉冲激光熔融法(PLD)和溶胶凝胶法(Sol—Gel);(2)压电薄膜微观结构的表征,如畴结构,薄膜材料与大块材料的差别等;(3)压电薄膜材料力学、电学及相互耦合性能的评价参数,薄膜处理过程的相变和残余应力和破坏特征.最后提出了人们可能关注的一些问题.

关键词：铅基压电薄膜材料微观结构性能制备方法脉冲激光法溶胶凝胶法