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西南交通大学学报 1990年第3期25卷 37-41页

作者：王钧石吴大兴杨川

本文用透射电镜和x光衍射仪揭示了PCVD法TiN涂层的物相及超细晶粒、位错、择优取向等微观结构,并对该涂层的性能进行了比较试验。

关键词：等离子化学气相沉积涂层氮化钛组织性能

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等离子化学气相沉积装置的研制及有机磁性薄膜的制备

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等离子化学气相沉积装置的研制及有机磁性薄膜的制备

作者：郑建万华中科技大学

学位级别：硕士

目前,人们对薄膜磁性能的认识已达到了一个新的水平,这除了人们对二元系物体的自发磁化问题很感兴趣以外,主要还是由于磁性薄膜已日益广泛地应用于电子计算机的记忆元件、记录元件等方面。薄膜的制备方法包含很多,主要有化学气相沉积,... 详细信息

目前,人们对薄膜磁性能的认识已达到了一个新的水平,这除了人们对二元系物体的自发磁化问题很感兴趣以外,主要还是由于磁性薄膜已日益广泛地应用于电子计算机的记忆元件、记录元件等方面。薄膜的制备方法包含很多,主要有化学气相沉积,物理气相沉积和其他一些独特的制备方法。本文首先是介绍了如何研制一台适用于沉积磁性薄膜的等离子体化学气相沉积装置,从材料的选择到两个气路的设计都做了充分的考虑;然后是通过大量实验,以二茂铁为前驱原料,普通玻璃为基片,采用等离子体化学气相沉积方法,在不同工艺条件下制备出了具有磁性的FeOOH薄膜。用台阶仪测试了薄膜的厚度,探讨薄膜沉积速率和沉积工艺的关系;用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对薄膜表面进行分析,知表面粒子分布均匀,形貌规则;用化学元素有机分析(ESCA)方法测量了薄膜的化学组成,分析了不同功率下元素之间的结合方式;用超导量子干涉仪测量了其磁化率温度曲线与磁滞回线。综合各项条件,提出了使用此PECVD装置的一般工作流程,以及制备此类薄膜的合适工艺参数,为课题组以后制备有机磁性薄膜做了实验准备和理论探讨。实验证明,控制适宜的沉积参数,可以获取比较理想的磁性薄膜。

关键词：二茂铁薄膜等离子化学气相沉积沉积

以100倍的沉积速度进行类金刚石碳成膜的大气压等离子化学气相沉积装置

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现代化工 2008年第1期28卷 92-93页

日本庆臆义塾大学理工学部的铃木哲也教授开发了一种大气压等离子化学气相沉积（CVD）装置，该装置可以将类金刚石碳（DLC）在大气压下成膜为薄膜状，宽50cm的薄膜在通过1对电极间的空间过程中向表面成膜。与采用真空容器的方法相比，... 详细信息

日本庆臆义塾大学理工学部的铃木哲也教授开发了一种大气压等离子化学气相沉积（CVD）装置，该装置可以将类金刚石碳（DLC）在大气压下成膜为薄膜状，宽50cm的薄膜在通过1对电极间的空间过程中向表面成膜。与采用真空容器的方法相比，膜的沉积速度提高100倍，制造成本降低为原来的1／100。

关键词：化学气相沉积装置等离子化学气相沉积类金刚石碳表面成膜沉积速度大气压空间过程真空容器

常压等离子化学气相沉积纳米晶TiO2多孔薄膜的研究

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常压等离子化学气相沉积纳米晶TiO2多孔薄膜的研究

作者：李岩东华大学

学位级别：硕士

近年来,常压介质阻挡放电等离子薄膜气相沉积的研究逐渐兴起,是继真空等离子体气相沉积薄膜之后,很引人关注的一种制备薄膜的方法,由于不受任何真空条件的限制,能耗小,在工业应用上有着广泛的前景。本文阐述了通过常压介质阻挡放电等... 详细信息

近年来,常压介质阻挡放电等离子薄膜气相沉积的研究逐渐兴起,是继真空等离子体气相沉积薄膜之后,很引人关注的一种制备薄膜的方法,由于不受任何真空条件的限制,能耗小,在工业应用上有着广泛的前景。本文阐述了通过常压介质阻挡放电等离子体化学气相沉积方法(AP-PECVD),利用四氯化钛作为钛源,与氧气、氩气混合,在不同的反应条件下进行气相沉积反应,制备纳米晶TiO多孔薄膜。首先,自行设计并搭建了一套介质阻挡放电装置,对常压介质阻挡放电过程进行了研究。测定并分析了其放电参量,包括放电频率、电压、电流以及放电功率,研究了介质阻挡放电发射光谱与放电参量的关系,并对电子激发温度加以测量计算,便于从机理上控制放电条件,控制薄膜的沉积过程。实验结果表明在给定的实验条件下,放电形貌较均匀,电流-电压波形曲线显示了丝状放电的特征。等离子体发射光谱表明放电等离子体中包含Ti、O、Cl等组分,这证明单体与载气在放电过程中被裂解,得到了合成二氧化钛薄膜所需的活性物种。随放电功率升高,发射光谱图中的元素对应的峰强值增加,这说明在介质阻挡放电等离子体中,随着功率的增加,放电细丝密度增加,电子密度与离子密度逐渐增加。通过借助对氩气等离子体的近似计算,得到了常压介质阻挡放电中的电子激发温度约为0.67eV。其次,我们考察了放电功率、沉积时间、载气流量配比、衬底偏压、后处理等因素对常压介质阻挡放电等离子体化学气相沉积薄膜的沉积速率、表面形貌、化学组成、化学结构、结晶度等特性的影响。利用自动椭圆偏振测量仪测定薄膜的厚度,采取高分辨透射电镜(HRTEM)与扫描电镜(SEM)观察薄膜表面形貌,通过热台偏光显微镜(PMWHS)与X射线衍射(XRD)来观察、表征薄膜的结晶度,利用X射线能谱(EDS)与X─射线光电子能谱(XPS)检测薄膜化学组成以及傅立叶变换红外光谱(FTIR)表征薄膜的化学结构。以上的分析结果表明:常压等离子化学气相沉积得到的薄膜是一种由众多小颗粒(其中主要为尺度在20-30nm的颗粒)的颗粒串联形成的网孔结构,并且在薄膜生长过程中一部分的颗粒被包埋在其中,薄膜颗粒分布较均匀。薄膜的沉积速率随着放电功率的增加而增加,而在放电功率保持不变时,单体气流量越大,薄膜的沉积速率越大。随着单体通入量的提高,薄膜上的颗粒变得密集,易团聚,对薄膜的均匀性有很大的破坏,导致成膜结构的不稳定。在对衬底施加偏压后,改变了薄膜颗粒的生长方式,类似串联密堆集式生长,而且偏压值升高后,颗粒之间紧密堆集的现象愈加明显。 XRD测试结果表明,薄膜存在位于2θ=25.3°的衍射峰,这是晶体TiO锐钛矿结构(101)面的衍射峰,说明常压等离子化学气相沉积TiCl可以获得锐钛矿结构TiO,采用Bragg-Scherrer公式计算得到平均晶粒大小约80nm,而在后处理温度500°C时,结晶峰变得更尖锐且强度提高,薄膜结晶度得到很大的提高。EDS检测薄膜成分主要含Ti、O、Cl元素,红外光谱表明膜中存在的化学键主要含有Ti-O、C=O。

关键词：等离子化学气相沉积 TiO2多孔薄膜纳米晶结构大气压DBD放电

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等离子化学气相沉积生长石墨烯的研究

等离子化学气相沉积生长石墨烯的研究

第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术...

作者：董良旭张春梅陈强刘福平北京印刷学院印刷包装北京市重点实验室

利用DBD介质阻挡放电等离子化学气相沉积技术,以电子束蒸镀有镍的单晶硅为基材,采用CH为碳源,H作为刻蚀气体,在温度650℃下合成了石墨烯。实验研究了不同生长时间,气体配比以及镍层厚度对生长石墨烯的影响。采用扫描电镜(SEM),透射电

关键词：石墨烯等离子化学气相沉积介质阻挡放电

来源： cnki会议评论

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一种等离子化学气相沉积镀膜方法和设备

表面技术 2008年第2期37卷 84-84页

本发明中等离子化学气相沉积镀膜方法和设备包括：传统的可抽成真空的炉体；将汽化的、含有金属氯化物的和其它工作气体通入所述真空炉体内的装置；放置在真空炉体中的被镀工件与电极阴极相连，将炉体与阳极相连。阳极接地，阴极施加负... 详细信息

本发明中等离子化学气相沉积镀膜方法和设备包括：传统的可抽成真空的炉体；将汽化的、含有金属氯化物的和其它工作气体通入所述真空炉体内的装置；放置在真空炉体中的被镀工件与电极阴极相连，将炉体与阳极相连。阳极接地，阴极施加负电压，将电压升高到一定程度后，阴、阳级之间产生辉光等离子场；在所述炉内设置一个能喷出等离子炬的电弧喷枪。电弧喷枪喷出的等离子炬直接进入到辉光等离子场中。

关键词：等离子化学气相沉积镀膜方法设备等离子场电弧喷枪等离子炬金属氯化物真空炉

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用等离子化学气相沉积法制备金属钼保护层

腐蚀与防护 1989年第3期 35-35页

作者：计又为

尝试采用等离子化学气相沉积法在不同的基体材料上由M;（CO）;制得金属钼保护层。所得的沉积膜经鉴定为含碳的金属钼,具有非晶态或准非晶态结构。研究了载气、基材温度、等离子反应器压力、M;（CO）

关键词：保护层等离子化学气相沉积沉积速度

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聚合物阻隔防护薄膜的气相法制备与结构调控

聚合物阻隔防护薄膜的气相法制备与结构调控

作者：夏天益宁波大学

学位级别：硕士

高分子材料是阻隔防护薄膜中一个重要的分支,聚合物基材料以其易加工、柔性好等多种优势而备受青睐。传统的聚合物薄膜制备方式以液相法为主,液相法在合成过程中所使用的溶剂可能会对环境造成不利影响;在成膜阶段所使用的旋涂等方式也... 详细信息

高分子材料是阻隔防护薄膜中一个重要的分支,聚合物基材料以其易加工、柔性好等多种优势而备受青睐。传统的聚合物薄膜制备方式以液相法为主,液相法在合成过程中所使用的溶剂可能会对环境造成不利影响;在成膜阶段所使用的旋涂等方式也存在厚度不均匀、环境污染等问题。本文采用化学气相沉积的方法,分别从提高聚合物交联度以及聚合物疏水性两个维度出发,通过结构与组分调控制备了高性能的聚合物阻隔防护涂层,主要研究了其在金属防腐蚀与器件防护领域的应用。具体研究成果如下:1.以1,6-己二胺（HEA）和甲基丙烯酸异氰基乙酯（IEM）为单体,通过引发式化学气相沉积法（iCVD）制备了p（IEM-co-HEA）聚合物防护镀层。IEM单体通过自由基聚合成链,基于-NH与-NCO的高反应活性,链段迅速交联,得到柔性透明镀层。镀层后黄铜的腐蚀抑制率达96.86%,在模拟海水浸泡7天后仍保持92.6%的有效防护。共聚物镀层在电子元器件封装、金属防腐等领域,尤其是光敏元件防护有着较高应用价值。2.以全氟丁基乙基甲基丙烯酸酯（C4）和二乙烯基苯（DVB）为单体,采用iCVD方法制备了系列绿色环保的短氟疏水共聚镀层p（C4-co-DVB）。单镀层防腐蚀抑制率为97.87%,将疏水层与课题一中的交联层进行复合,基于协同效应,复合镀层的抑制率提高至99.91%。将镀层在模拟海水浸泡20天后,保护效率下降等离子化学气相沉积（iPECVD）方式沉积疏水镀层。研究发现基于PECVD制备镀层与基底结合更为牢固。iPECVD方式所输入能量更少,相比于PECVD更好地保留了原始化学结构。适当能量输入下iPECVD制备的pHFBA表现出更高的水接触角（105°）和更低的滚动角（23°）。电化学测试表明,单层疏水镀层具有99.76%的防护效果,并且在耐久测试后仍然保持疏水性。综上所述,基于iCVD及PECVD为主要制备方式,通过对交联以及疏水体系的筛选和结构调控,在现有研究基础上改善了高分子聚合物阻隔防护镀层的性能,取得一定有益成果。

关键词：引发式化学气相沉积等离子化学气相沉积引发式等离子化学气相沉积复合镀层金属防腐蚀疏水防护

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高性能光学合成石英玻璃的制备和应用

光学精密工程 2016年第12期24卷 2916-2924页

作者：聂兰舰王玉芬向在奎王蕾王慧中国建筑材料科学研究总院石英与特种玻璃研究院北京100024

介绍了制备光学合成石英玻璃的常用工艺方法,包括化学气相沉积、等离子化学气相沉积和间接合成法等;给出了不同光学石英玻璃使用的原材料、它们的特点及其在不同领域的应用综述了该项技术在国内外的发展现状。比较了上述制备方法的优缺... 详细信息

介绍了制备光学合成石英玻璃的常用工艺方法,包括化学气相沉积、等离子化学气相沉积和间接合成法等;给出了不同光学石英玻璃使用的原材料、它们的特点及其在不同领域的应用综述了该项技术在国内外的发展现状。比较了上述制备方法的优缺点,其中立式化学气相沉积工艺是目前最成熟的商业化工艺,可用于制备直径达Φ600mm以上、光学均匀性优于2×10^(-6)、抗激光损伤阈值达30J/cm2@355nm的大尺寸合成石英玻璃;等离子化学气相沉积工艺可制备内在质量优异、羟基含量≤5×10^(-6)、光谱透过率T190-4000nm≥80%的全光谱透过石英玻璃;间接合成法可制备光吸收系数小于1×10^(-6)/cm@1064nm、羟基含量≤1×10^(-6)、光谱透过率T157-4000nm≥80%的石英玻璃,而且易于掺杂及控制缺陷,进而制备各类掺杂特殊功能的石英玻璃。文章最后指出:上述制备工艺各有优缺点,应根据高端光电技术领域的应用需求采取适当的制备工艺。

关键词：光学石英玻璃化学气相沉积等离子化学气相沉积间接合成法综述

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氢退火工艺对非晶硅光学性能的影响

集成电路应用 2022年第1期39卷 43-45页

作者：曾璞罗杰平刘从吉罗丹袁菲罗辉王兴伦王路钱煜关晟西南技术物理研究所四川610041 四川航空股份有限公司四川610225

阐述利用等离子化学气相沉积制备了非晶硅材料,然后在不同浓度的氢气气氛下进行了等离子退火处理,并对其折射率,消光系数和傅立叶红外吸收谱进行了测试分析。结果显示,不同浓度的氢气氛等离子退火处理对非晶硅材料的光学性能有影响。

关键词：非晶硅等离子化学气相沉积退火折射率消光系数傅立叶红外吸收谱

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