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  • 35 篇 中文
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用于自对准Si MMIC的等平面深槽隔离工艺(英文)
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微纳电子技术 2013年 第8期50卷 528-533页
作者： 苏延芬 梁东升 胡顺欣 邓建国 中国电子科技集团公司第十三研究所 石家庄050051
研究了在自对准硅MMIC中等平面深槽隔离工艺的实现。该工艺包括如下过程:首先应用各向异性刻蚀的Bosch工艺刻蚀出用于隔离埋集电极的1.6μm宽、9μm深的隔离槽,接着对隔离槽通过热氧化二氧化硅、淀积氮化硅和多晶硅的形式进行填充,然后... 详细信息
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等平面铝阳极氧化在LSI双层布线中的应用
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半导体技术 1983年 第5期 34-40+22页
作者： 毛宏春 八七一厂
集成电路芯片上各元件之间的互连接线,是经过蒸发以形成覆盖芯片表面氧化物的金属膜,再通过刻蚀形成的。对中小规模集成电路来说,由于元件少,连线简单,只需要单层布线。随着集成电路向大规模、高集成度和微细尺寸的发展,为避免集成电路... 详细信息
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等平面结构
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微电子学与计算机 1972年 第2期1卷 1-5页
作者： 张正德 金长春
为了提高大规模集成电路的生产效率,应当(1)尽量减小芯片面积,(2)改进引线的成品率,(3)改进光刻工艺,(4)保证良好的工艺环境。实际上关键就在于采用高精度的图形掩模和高精度的曝光设备。但从原理上讲。
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用等平面阳极氧化Al2O3膜保护集成电路表面
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微电子学动态 1973年 第2期 1-8页
作者： 刘文友 邓永孝
引言表面沾污、高能辐照会造成半导体器件电特性变劣,甚至失效。在工艺操作过程中,由于机械损伤和化学腐蚀损坏铝金属互连线而严重降低组件成品率和可靠性已成为集成电路生产中一个突出的问题。进一步提高半导体器件的稳定性、可靠性和... 详细信息
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硅栅等平面CMOS集成电路设计规则的研究及应用
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东南大学学报(自然科学版) 1984年 第3期 96-105页
作者： 童勤义 唐国洪 陈德英 庄庆德 南京工学院无线电电子学研究所
本文根据Mead和Conway提出的NMOS集成电路设计规则理论及CMOS特点,提出了混合型设计规则概念及其在硅栅等平面CMOS工艺中的应用,给出其几何及电学设计规则的典型值以及根据此规则试制成功的CMOS环形振荡器、D触发器、运算放大器等集成... 详细信息
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用于VHSIC的低缺陷无“鸟嘴”等平面氧化物隔离技术
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半导体技术 1988年 第3期 1-4+12页
作者： 高明辉 汤庭鳌 吴苏华 复旦大学微电子研究所
本文提出了一种比熟知的SWAMI方法更简便有效的低缺陷无“鸟嘴”等平面氧化物隔离技术.采用各向同性化学腐蚀形成硅槽以克服RIE刻蚀硅造成的损伤.同时巧妙地利用各项同性腐蚀中形成的氮化硅“屋檐”在RIE刻蚀氮化硅时的掩蔽作用,形成理... 详细信息
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用于集成电路等平面多层布线的聚酰亚胺介质材料
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功能材料 1983年 第3期 46-49页
作者： 张菊华 王晓明 杜岷 成都科技大学
聚酰亚胺是一类耐高温(400℃)、耐低温(-200℃)、电绝缘性能优良的新型聚合物。在宇航、原子能、电器、电子等工业部门均得到广泛应用。近年来国外在大规模集成电路中采用聚酰亚胺作等平面多层布线的层间绝缘介质,取得了良好的效果。聚... 详细信息
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等平面隔离结构的存储器件
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电子计算机动态 1974年 第5期 81-82页
作者： 秦志斌
等平面隔离工艺最适合于要求高集成度和高速度的电路。尽管在高速存储器的设计上可以考虑各种各样的电路技术,然而对于等平面隔离存储器而论,还是采取了ECL 形式。ECL 结构有快速性和复杂逻辑电路的通融性以及较好的速度与功耗乘积,而... 详细信息
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氧化物隔离等平面工艺及其应用
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微电子学 1983年 第5期 17-24页
作者： 刘英清
本文描述了用于双极集成电路制造的氧化物隔离等平面Ⅰ工艺过程。隔离氧化是用Si3N4膜掩蔽、由低温、高压水汽氧化实现的。为解决很薄的外延层及开槽氧化所带来的困难提出了一系列措施,使氧化物隔离等平面工艺成功地应用于全温度、全电... 详细信息
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采用等平面隔离工艺Ⅱ的一千兆赫集成电路计数器
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计算机研究与发展 1975年 第1期 112-112页
作者： 廖清裕
对正弦输入的响应频率能够超过一千兆赫的数字逻辑电路,要求每一开关点的转换时间小于500微微秒。利用先进的等平面隔离工艺,得到 f=4千兆赫的晶体管和大约300微微秒的芯片门延迟,就有可能设计出重复频率超过一千兆赫的触发器。为了达... 详细信息
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